Патенты с меткой «памятиgt»

Номер патента: 332563

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Научно, Шепеленко

МПК: H03K 17/30

Метки: аяйатшяо-шипен, биелиотггг, оесоюзн, памятиgt, элемент

...коллекторной цепи транзистора подается напряжение обратной связи. Для обеспечения заряда запоминающей емкости 4 в обход базы транзистора 1 служит диод И.Предлагаемый элемечт памяти работает следующим образом.В исходном состоянии при включении источника питающего напряжения - Е, транзистор 1, работающий в ключевом режиме, устанавливается в состояние насыщения по цепи коллектора. Транзистор открыт, и на выходе элемента памяти фиксируется условный сигнал О. Это устойчивое состояние поддерживается с помощью резистора 3, через который протекает ток смещения базы транзистора в прямом направлении,Одновременно с включением питающего напряжения от источника тактовых импульсов 7 на вход элемента памяти подается непрерывная последовательность...