Патенты с меткой «наносекунд-ных»

Номер патента: 843183

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Давыдов, Никифоров

МПК: H03K 3/53

Метки: высоковольтных, генератор, импульсов, наносекунд-ных

...повышение электрической прочности и надежности генератора.яПоставленная цель достигаетсятем, что в генераторе высоковольтныхнаносекундных импульсов, содержащемформирующую линию, разрядник, резистивную нагрузку в виде двух диэлектрических шайб, образующих внутреннююкоаксиальную полость, которая заполМиена электролитом, внутренняя поверх-.ность каждой шайбы выполнена профилированной, при этом внутренний профильдиэлектрических шайб изменяется позакону 1 к/х где Г текущий радиусу 40х - текущая координата по оси коак"сиальной линии; к - постоянная,Предлагаемое выполнение профиляобеспечивает равномерное распределение напряженности электрического поля 45в радиальном направлении, тем самымповышается электрическая прочность. На фиг. 1 приведен...

Номер патента: 851581

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Капишников, Муратов, Ушаков

МПК: H01T 9/00

Метки: импульсов, наносекунд-ных, формирования

...напряжением величины, равной пробивному напряжению зазора между электродами, происходит срабатывание разрядника (разрядный канал перемыкает промежуток между электродами1 и 2). После срабатывания разрядника сформированный импульс напряженияпередается по передающей линии 3 в нагрузку (не показана). Причем выбороптимальной величины межэлектроднойемкости коммутатора позволяет существенно повысить амплитуду сформированного импульса. Экспериментальноустановлено, что максимальная амплитуда сформированного импульса имеет Формула изобретения место при С/С 270, 3. 50Однако увеличение О,(С 70,4 не приводит к дальнейшему увеличению амплитуды импульса, а нагрузка на блок зарядки формирующей линии при этом увеличивается (емкость С включенао...