Патенты с меткой «мтейтш-ихни-г»

Номер патента: 310370

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Катаев

МПК: H03K 3/282

Метки: кдябиблиотека, мтейтш-ихни-г

...относительно общего 10 полюса в.При подаче на схему напряжений питанияпотенциал эмиттера транзистора 5 оказывается более положительным, чем потенциал его базы. На коллекторе транзистора 5 устанав ливается потенциал, определяемый напряжением смещения, поступающим от источника питания через сопротивление 7, и управляющим сигналом У Потенциал базы транзистора 1 в этот момент близок к потенциалу 20 полюса в источника литания, транзистор 1 закрыт, на его коллекторе, а следовательно, и на эмиттере транзистора 2 устанавливается напряжение, почти равное напряжению источника питания. Времязадающий конденсатор 3, 25 напряжение которого изменяется прямо пропорционально времени заряда, начинает заряжаться коллекторным током транзистора 4 до...