Патенты с меткой «мдп-фототранзистор»

Номер патента: 843305

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Крутиков, Педяш

МПК: H04N 5/30

Метки: мдп-фототранзистор

...со встроенным положительным зарядом 8. Диэлектрик 7 со встро"енным положительным зарядом 8 можетбыть сформирован, например, действиемионизирующего излучения,Принцип действия данного МДП-фототранзистора состоит в следующем.Встроенный в диэлектрик 7 положительный заряд 8 создает в поверхностномслое полупроводникового слоя р-типа 2обедненную область 9, заполненнуюв стационарном состоянии неосновныминосителями-электронами, Для освобождения области 9 от электронов на затвор и сток МДП-фототранзистора подаются соответственно ноложнтельныенапряжения Ч и Ч(Чсф, амплитудакоторых достаточна для осуществленияоттока неосновных носителей из обедненной области 9 со встроенным зарядом 8,При этом электроны покидают обедненную область 9 нод диэлектриком...