Патенты с меткой «малоинерционной»

Номер патента: 1662219

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Амосова, Ашмонтас, Верещагин, Мармур, Оксман

МПК: G01J 5/20

Метки: излучения, инфракрасного, малоинерционной, регистрации

...регулируемая температурой, равна где 1 - постоянная Больцмана,Т - рабочая температура,и - концентрация свободных электронов в слаболегированном слое эмиттера,Таким образом, смысл условия Т1 Рсводится к Ограничению высотыЫпп+lпбарьера 00 энергией кванта излучения 1 т, Для регистрации излучения выбирают транзистор, толщина слаболегированного слоя эмиттера которого Оп удовлетворяет условию д Э(Ь т), где ЯЬ 1) - длина рассеяния энергии фотовозбужденных электронов, В противном случае фотоэлектроны не могут преодолеть барьер на границе с металлической базой.Условие для рабочей температуры про+веряли на германиевых и -п-переходах, изготовленных вплавлеиием сплава олова с сурьмой и фосфором в подложки с и 10 см , При этом в сильно легированной...