Патенты с меткой «iнейристор»

Номер патента: 285114

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Буденный

МПК: G09B 23/28

Метки: iнейристор, библиотека

...например золотом, образующими глубокие энергетические уровни. Пластина 1 из и-кремния мсталлизирована снизу слоем 2. Сверху она покрыта слоем изоляции 3. На пластине выполнены области 4 р-типа (например, методом электроннолучевой технологии), скрытые под слоем изоляции Зза исключением выходящих изпод слоя изоляции небольших областей, на которые нанесены контактные площадки 5. Контактные площадки покрыты слоем диэлектрика 6, На этот слой нанесен проводящий электрод Т, а также изолированный от него пусковой элеиттрод 8, находящийся над завчскающим элементом 9. Между электродами и контактными площадками образуется емкость определенной величины.Расстояние, между активными элементамц выбрано достаточно малым, чтобы при срабатывании...