Патенты с меткой «inaulitskj-iexhiitffmfii»

Номер патента: 356722

Опубликовано: 01.01.1972

МПК: H01P 1/18

Метки: inaulitskj-iexhiitffmfii, всесоюзная

...с высокой диэлектрической проницаемостью; и заземленные пластины 3 и 4, соединенные между собой боковыми пластинами 5 и 6 и снабженные пружинными контактами 7 и 8. Подложка с плоским центральным проводником соединена с резъемами 9 и 10, предназначенными для подклювращателя к тракту и установленньбе 11. Со окобой с помощью винтачески связаны пластины 3 и 4, пкоторых производится нормальноцентрального проводника.При перемещении пластин 3 и 4 вниз относительно подложки фазовая скорость коле баний в тракте;возрастает, поскольку большая часть энергии поля концентрируется между центральным проводником и пластиной 3, зазор между которыми заполнен воздухом. При перемещении пластин 3 п 4 вверх большая часть энергии поля концентрируется...