Патенты с меткой «i1йтн»

Номер патента: 318995

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Вавилов, Гохфельд, Гуро, Ковтонюк

МПК: G11C 11/42

Метки: i1йтн, библио, запоминающее, устройство•т6

...станет наибольшей, когда сопротивлениедиэлектрика будет во много раз превосходитьсопротивление полупроводника рр, Вэтом случае У будет мало отличаться отчисла свободных зарядов У необходимыхдля полного экранирования поля индукцииУдиэлектрика е Е (Е= - ) . Причем всегдаЛ,У,)У, Таким образом, в ячейках, подвергшихся действию светового луча, накопленныйзаряд с течением времени уменьшится доуказанной предельной величины У(1, -- .1(0), В остальных ячейках, на которые свет не действовал, произойдет накоплениезаряда (1, - 1 д)0) вследствие действия темнового тока (тепловой генерации свободныхносителей). В этих ячейках паразитный на 5 копленный заряд возрастет до той же величины У.Предельную величину У следует принятьза пороговую...