Патенты с меткой «дляпреобразования»

Номер патента: 807410

Опубликовано: 23.02.1981

Авторы: Выстропов, Кононов, Кононова, Кулешов, Ланшаков

МПК: H01J 47/02

Метки: видимое, дляпреобразования, импульсная, искровая, камера, рентгеновскогоизлучения

...4 Ополе быстро нейтрализуется, благодаря проводимости резистивного слоя.Максимальная частота работы преобразователя определяется временем деионизации йд(обычно сц ) 1 10" с) . Длятогочтобы к моменту прихода следующего импульса питания на преобразователь остаточное электрическое полев. гаэоразрядном промежутке отсутст.вовало, необходимо, чтобы время разряда слоя св было меньше времени деионизации преобразователя сйр 4 йдЕсли С и В соответственно емкостьи сопротивление элемента реэистивного слоя, то Ыср 13 ВСВеличина ЦС, называемая постояннойвремени саморазряда плоского конденсатора, не зависит от величины площади. элемента и толщины слоя и является характеристикой материала слоя. Переходя к значениям физических характеристйк материала...