Патенты с меткой «датчикплтшис-кtavltoah»

Номер патента: 349961

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Котенко, Ленинградский, Пикулев

МПК: G01R 33/00

Метки: датчикплтшис-кtavltoah, магниторезистивный

...зависимостью.Датчик (см. чертеж) содержит основноймногоэлектродный магниторезистор 1, размещенный в постоянном магнитном поле смеще.ния Вс, и несколько вспомогательных магниторезисторов 2, расположенных,в управляющем магнитном поле В,В создаваемом катушками 3,Многоэлектродный магниторезистор 1 представляет собой полупроводниковую пластину. 25К торцовым граням пластины присоединеныосновные электроды, а к боковым - несколь.ко пар управляющих электродов. К каждойпаре управляющих электродов подключеныдвухэлектродные магниторезисторы 2. 30 При подаче электрического сигнала в катушки 3 магнитное поле этих катушек будет воздействовать на магниторезисторы 2. Это вызовет изменение сопротивления этих резисторов, что, в свою очередь, вызовет...