Патенты с меткой «410376»

Номер патента: 410376

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: G05F 1/569, H02H 7/10

Метки: 410376

...напряжения питания. База транзистора 2 через резистор 3 подключена к коллектору тр анзн стор а 1. База транзистора 1 и коллектор транзистора 2 объединены и через резистор 4 подключены к плюсу нагрузки 5. Между базой и эмиттером транзистора 2 включены конденсатор 6 и резистор 7.Когда ток нагрузки не превышает установленного тока срабатывания защиты, транзистор 1 открыт и находится в режиме насыщения. Через коллекторный переход этого транзистора протекает весь ток нагрузки 5. Транзистор 2 заперт.Г 1 о достижении током нагрузки величины тока срабатывания защиты транзистор переходит нз режима насыщения в режим усиления, При дальнейшем увеличении тока нагрузки резко растет напряжение между коллектором и эмиттером этого транзистора, что...