Патенты с меткой «400979»

Номер патента: 400979

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H03K 3/30

Метки: 400979

...1 о заряд конденсаторов 4 и б, а ток заряда поступает в базу транзистора 2, поддерживая его в режиме насыщения. Параметры ЯС-цепей выбираются таким образом, что заряд конденсатора б происходит раньше заряда 15 конденсатора 4, поэтому коллекторный переход дополнительного транзистора 3 смещается в обратном направлении.В начальный момент транзистор 3 заперт,что обусловлено отрицательным смещением 20 на его эмиттере, которое подается с движкапеременного резистора 10. По мере заряда конденсатора 4 запирающее, смещение между базой и эмиттером транзистора 3 уменьшается, и в момент перемены его знака на обрат ный происходит отпирание эмиттерного перехода транзистора 3, С этого момента перестает заряжаться конденсатор 4, ток его падает до...