Патенты с меткой «384156»

Номер патента: 384156

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01J 29/44, H01J 31/08

Метки: 384156

...крайне низкие значения р (10 - " - 10- смав-сек-,) и т (10-в -- 10- сек) в органических полупроводниках, толщину фотопроводящих прослоек делают очень малой (10 -- 10 -см) и для обеспечения эффективной работы (большое поглощение падающего света, возможность поддерживать большие потенциалы при работе) используют в мишени последовательное соединение большого количества тонких гетеропереходов.Мишень представляет собой нанесенные на диэлектрическую подложку с полупрозрачной проводящей пленкой чередующиеся прослойки двух органических полупроводников р и и-типов.Толщину каждой прослойки выбирают достаточно малой, чтобы удовлетворить условию оптимальной работы гетероперехода, а общую толщину фоточувствительного слоч мишени (т. е. число...