Патенты с меткой «273770»

Номер патента: 273770

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Зимницкий, Коль, Сморода, Шарецкий

МПК: B01D 9/00

Метки: 273770

...зародышей кристаллов, которая, в свою очередь, связана с зоной 3 роста кристаллов и сгуще ния суспензии.Жидкую смесь, например технический бензол, и жидкий теплоноситель при постоянной температуре, подают в эмульгатор 1. Полученную эмульсию с температурой, близкой к 10 температуре кристаллизации конечного продукта в смеси, и жидкий теплоноситель подают в зону 2 пересыщения и образования зародышей кристаллов. Температуру в зоне 2 поддерживают несколько ниже температуры, 15 поступающей из эмульгатора 1 эмульсии, врезультате чего в каплях эмульсии происходит пересыщение, образование зародышей и начало роста монокристаллов, Для исключения расслоения эмульсии производят интен сивное перемешиванис. Затем эмульсия с зародышами кристаллов за...