Патенты с меткой «253139»

Номер патента: 253139

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: G06F 7/04

Метки: 253139

...10 и 11 перекрестно включены эИттерно-базовые цели управ ляющнх транзисторов 3 и 4, Такое Вкгиочстпе эмиттерно-бязовых переходов между токосъемными щетками и крайНиои выводами потепцпометров позволяет устранить зону нсчувст.вительности, Обуслов,сппу 10 порогсВыти Вс,111- чинами переходов эмиттер - база транзисторов, т. е. повысить точность сравнивающего устройства. Подк:почеппе параллельно диодам 6 и 7 источников тока Ь и 9 способствмст сме 1 цен 11 ю характеристик диодов на участок, на котором падение напряи(сипя па них делается незав 1- симым от величин сравниваемых напряжений. Падение напряи(енит На диодах при изменении температуры изменяется так, что приводит к кокПепсации температурных измепен 111 й Напряжений эмпттер -...