Патенты с меткой «138789»

Номер патента: 138789

Опубликовано: 01.01.1961

МПК: C25D 3/50, C25D 7/12

Метки: 138789

...катодной плотности токе 1 а/Лм 2 в течение 20 мин при температуре электролита 50 . В качестве материала анодов применяетсяоплатина.При проведении процесса родирования необходимо обеспечить нанесение радия тмько на требуемую часть кристалла. Поатощу для предотвращения смачивания электролитом непогружеяной части кристалла применяют принудительное обдуваниекристалла воздухом, подаваемым через сопка, Описанный способ родирования карбида кремния может бытьприменен для получения невыпрямляющих контактов, необходимых как при проведении измерений злектрсфизических параметров материалов, так и при конструировании полупроводниковых приборов на основе карбида кремния.ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯщ радСпособ родирования карбида кремния й.-типа, например,для...