Магниторезистивная головка

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(23) Приоритет С 11 В 5/30 Государственный комитет СССР по делам изобретений н открытий(54 ) ИАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ГОЛО В 1 Ж Изобретение относится к приборостроению, в частности к техникемагнитной записи и воспроизведенияинформации, и может быть использовано в производстве магниторезистивныхголовокИзвестна магниторезистивная головка, содержащая последовательно расположенные нижний магнитный экран,нижний диэлектрический слой, магниторезистивный элемент, токоведущиедорожки, эквипотенциальные проводящие полоски, ориентированные подуглом 45 к оси легкого намагничивания магниторезистивного элемента,верхний диэлектрический слой и верхний магнитный экран 1,1 .Недостатками данной головки являются наличие в ее выходном сигнале интенсивных шумов Баркгаузена, атакже нестабильность чувствительности, что обусловлено многодоменнойструктурой магниторезистивного элемента. 1 роме того, эта головка имеетограниченный входной сигнальный диапазон и высокий уровень нелинейныхискажений выходного сигнала, вызванные характером токораспределония1 на краях магниторезистивного элемента,Известна также магниторезистивная головка, содержащая нижний магнитный экран, нижний диэлектрический слой, магниторезистивный элемент,две антиферромагнитные полоски, выполненные из высокоомного материала параллельно оси легкого намагничивания магниторезистивного элемента,токоведущие дорожки, эквипотенциальные проводящие полоски, ориентированные под углом 45 к оси легкогонамагничивания магниторезистивногоэлемента, верхний диэлектрическийслой и верхний магнитный экран (2 1.Однако эта головка характеризу" ется недостаточной чувствительностью, ограниченной большим магнитным сопротивлением антиферромагнитной полоски, расположенной между магниторезистивным элементом и носителемзаписи, а также узким входным сигнальным диапазоном и относительно высоким уровнем нелинейных искажений выходного сигнала.25 Цель изобретения - повышение чувствительности, расширение входного сигнального диапазона и снижениеуровня нелинейных искажений выход ног сигналаФормула изобретения 40 50 60 65 Поставленная цель достигается тем, что антиферромагнитные полоскирасположены в нижнем диэлектрическомслое под краями магниторезистивного элемента, причем ширина антиферромагнитных полосок не менее 0,7 значения наименьшего расстояния между двумя соседними эквипотенциальными проводящими полосками, а сами анти- ферромагнитные полоски образуют общую планарную поверхность с нижним диэлектрическим слоем.На фиг. 1 показана магниторезистивная головка; на фиг, 2 - функциональная схема магниторезистивной головки, на фиг. 3 - характер токораспределения в магниторезистивномэлементе,Магниторезистивная головка содержит нижний магнитный экран 1, нижний диэлектрический слой 2, магниторезистивный элемент 3, две антиферромагнитные полоски 4 и 5, расположенные в нижнем диэлектрическомслое 2 под краями магниторезистивного элемента 3 параллельно оси его легкого намагничивания и образующие общую планарную поверхность с нижним диэлектрическим слоем. Съем электрического сигнала осуществляется через токоведущие дорожки б и 7,концы которых выведены к контактным площадкам 8 и 9. На поверхности магниторезистивного элемента 3 расположены эквипотенциальные проводящие полоски 10, ориентированные под углом 45 к его оси легкого намагнифчивания. Поверх указанных выше электропроводящих элементов 3, 8, 9 и 10 расположены верхний диэлектрический слой 11 и верхний магнитный экран 12, Магниторезистивная головксформирована на подложке 13,Под действием магнитного поля Й,создаваемого магнитным носителем 14записи (фиг.З), вектор намагниченности М магниторезистивного элемента 3 поворачивается на некоторыйугол 9, пропорциональный величинеполя Й с частотой, равной частотеизменения этого поля. При протекании через магниторезистивный элемент3 постоянного электрического тока детектирования 1 изменение ориентации вектора М относительно ориентации вектора плотности тока детектирования 1 на некоторый угол 6 вызывает изменение удельного электрического сопротивления анизотропного ферромагнитного материала, из которого выполнен магниторезистивный элемент 3.Воспроизводимый магниторезистивньм элементом 3 электрический сигнал снимается через контактные площадки 8 и 9 и подается в регистрирующую аппаратуру. Эквипотенциальные проводящие полоски 10 служат длялинеаризации характеристики передачиголовки.Расположение антиферромагнитныхполосок 4 и 5 под краевыми участкамимагниторезистивного элемента 3 приводит к увеличению коэрцитивнойсилы этих участков, что делает ихнечувствительными к изменениям поляЙ, Это, в свою очередь, обеспечиваетзначительное снижение искажений выходной характеристики магниторезистивного элемента 3, вызванных тем,что по мере приближения к краямукаэанного элемента значение углаОе между векторами М иизменяетсяот 45 до 0 в пределах треугольниковАВС и ПЕР (фиг.3) .Минимальная ширина антиферромагнитных полосок 4 и 5, равная 0,7 величины расстояния между соседнимиэквипотенциальными проводящими полос 1ками 10, обусловлена необходимостьюперекрытия указанных треугольниковантиферромагнитными полосками.Высокое удельное электрическоесопротивление антиферромагнитных по лосок 4 и 5, а также их расположение,в нижнем диэлектрическом слое 2 и образование с ним общей нланарной по,верхности не нарушает характера токораспределения по всему магниторезис тивному элементу 3.Изобретение позволяет значительнорасширить функциональные возможностимагниторезистивных головок, особенно при воспроизведении аналоговой 35 информации, требующей минимальныхнелинейных искажений в широком динамическом диапазоне входногб сигнала и высокой чувствительности. Магниторезистивная головка, содержащая нижний магнитный экран, нижний диэлектрический слой, магниторезистивный элемент, две антиферромагнитные полоски, выполненные из высокоомного материала параллельно оси легкого намагничивания магниторезистивного элемента, токоведущие дорожки, эквипотенциальные проводящие полоски, ориентированные под углом 45 к оси легкого намагничивания магниторезистивного элемента, верхний диэлектрический слой и верхний магнитный экран, о т л и - ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения чувствительности, расширения входного сигнального диапазона и снижения уровня нелинейных искажений выходного сигнала, антиферромагнитные полоски расположены в нижнем диэлектрическом слое под краями магниторезистивного элемента, причем ширина антиферромагнитных полосок не менее 0,7 значения наименьшего расстояния между двумя соседними эквипотенциальными проводящимиполосками, а сами антиферромагнитные полоски образуют общую планарную поверхность с нижним диэлектрическим слоем.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Патент Франции 9 2266253,кл. 6 11 В 5/30, 1975.2. Авторское свидетельство СССРпо заявке Р 2825253/18-10,кл. 6 11 В 5/30, 20.05.80 (прото 5 тип) .980142 Фю Составитель В, Добровольскийдактор Ю.Ковач Техред О. Неце Корректор О, Била Тираж 622 Парственного комитета СССзобретений и открытийЖ, Раущская наб., д. 9367/41ВНИИПИ Госупо делам113035, Москва,исно аказ илиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проекты