Устройство для моделирования тиристора

50 3 9325Пель изобретения - повышение точности воспроизведения моделируемых зависимостей, расширение функциональныхвозможностей за счет получения нелинейной зависимости 0 т =1 ) как с положительным, так и с отрицательным знакамивыходного напряжения операционного усилителя и увеличение надежности,Поста ленная цель достигается тем,что в устройство, содержащее усилительный транзистор, резистор, включенный вцепи отрицательной обратной связи операционного усилителя, выход которого является выходсм устройства, введены выпрямитель, фильтрующий конденсатор,трансформатор, разделительный конденсатор, два ключа и генератор переменного сигнала, первый выход которого соединен с шиной нулевого потенциала, второй вв 1 ход генератора переменного сигна 20ла подключен к информационному входупервого ключа, первый выход которогосоединен с первой обкладкой разделительного кондецсатора, втооая обкладка котсрого подключена к первому выводу первичной обмотки трансформатора, второйвывод которой соединен с шиной нулевогопотенциала, первый и второй выводы вторичной обмотки трансформатора подключены соответственно к первому и второмузовходам выпрямителя, первый выход которого соединен с первой обкладкой фильтрукнщего конденсатора, с базовым выводомусилительного транзистора и с первыминформационным входом второго ключа,управляющий вход которого является первым входом устройства, второй вход которого подключен к управляющему входупервого ключа, второй выход которогосоединен со вторым информационным входом второго ключа и является третьимвходом устройства, первый информационный выход второго ключа подключен кколлекторному выводу усилительного транзистора, эмиттерный вывод которого сое-.динен со второй обкладкой фильтрующег" 4конденсатора и вторым выходом выпрямителя, второй информационный выход второго ключа подключен ко входу операционного усилителя. На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.Устройство содержит усилитель 1, оезистор 2 обратной связи, усилительны" транзистор 3, выпрямитель 4, фильтрующий конденсатор 5, траноАооматор 6, разделительный конденсатор 7, ключ 8, генератор 9 переменного сигнала и ключ 10 410, резисотр 2 и усилитель 1 образуютоперационный усилитель 11.Устройство работает следующим образом,В, исходном состоянии О =0 и ключ10 находится в таком состоянии, чтоколлектор транзистора 3 соединен совходом операционного усилителя 1 1, авторой выход ключа 8 и вход устройстваподключены к базе транзистора 3, ключ8 замкнут, при,этом на управляющийпромежуток "эмиттер-база" транзистора3 подается отпирающее напряжение,поэтому сопрстивление промежутка база-коллекторф мало для любой полярностивходного сигнала. Коэффициент усиленияоперациснного усилителя 11 велик, Этосостояние соответствует закрытому состоянию модели тиоистора. При подачеуправляющего напряжения на ключ 8переменного тока он размыкается, напряжение на промежутке "эмиттер-база"транзистора 3 исчезает и для положительной полярности входного напряжения4 г сопротивление промежутка "базаколлектор транзистора 3 возрастает,а коэффициент усиления усилителя 1 резко уменьшается, что соответствует открытому состоянию модели тиристора.В дальнейшем это состояние поддерживается напряжением, пропорциональнымтоку тиристора 1 ., вплоть до уменьшения этого напряжения до нуля, когдамодель тиристора закрывается.Для получения выходного напряженияс отрицательным знаком необходимо подать управляющее напряжение ( Оу =1)на управляющий вход ключа 10. В качестве ключа 8 переменного тока можетбыть исгопьзован операционный усилительмоделирующей установки в режиме с ограничением. В качестве генератора 9переменного сигнала для питания трансформатора 6 можно использовать источники напряжения моделирующей устаноьки с частотой 200-400 Гц.Преимущество .предлагаемого устройства для моделирования тиристора посравнению с известным заключается втом, что использование трансформаторадля электрического изолирования управляющего промежутка транзистора от корпуса моделирующей установки позволяетповысить точность воспроизведения моделируемых зависимостей, так как насыщение промежутка "эмиттер-база транзистора не наступает до напряжения200 В и выше," расширить функциональные возможности схемы, так как пред932510 ыб 70 Тираж 732 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССпо делам изобретений и открытий11303, Москва, Ж, Раушская наб.,. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород оектна Составитель В. Р инфедактор М Ткач Техред Т. фанта Корректор Л, Бокшанказ 3786/