Способ настройки ультразвуковой установки

Союз Советских Соцналнстнцвских РеспубликОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК ЙАТЕНТУ и 917711(53) УДК 620.17 ,1 6 (088. 8) летень 12 крыт Дата опубликования описания 30,03.8 ностранцыатер и Карл Рис(ФРГ)2) Автор нзобре с ия нострвнная фирмМаннесманн АГ" 71) Заявител(54) СГОСОБ НАСТРОЙКИ УУСТ АНОВК ТРАЗВУК- повыше Изобретение относится к неразрушаю- шему контролю и может быть использовано прн настройке ультразвуковых установок, а именно для определения их чувствительности и скорости развертки.Известен способ настройки ультразвуковой установки, заключающийся в том, что в эталонном образце возбуждают ультразвуковые колебания, фиксируют параметры эхо-сигналов, отраженных от 10 искусственных дефектов, и по этим параметрам судят о чувствительности контрэля 13.Недостаток данного способа заключается в сложности использования этвлонных 15 образцов в производственных условиях.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является способ настройки ультразвуковой установки, заключающий ся в том, что в эталонном образце, изготовленном из материала изделия и сов падающем с ним по геометрии, возбуждают в лабораторных условиях ультразвуковые колебания, фиксируют амплиту- М ду и время распространения эхо-сигнвля от искусственных дефектов, осуществляют накопление данных о параметрах эхосигнала от различных типов дефектов 21.Однако известный способ контроля не обеспечивает достаточной точности, п- скольку изменение свойств материала, из которого изготовляются изделия, влияегна порог чувствительности испытателтной установки и приводит к пропуску дефектов.Бель изобретения ние точнооти контроля.Укаэанная цель достигается за счет того, что в способе настройки ультразву.- ковой установки, заключающемся в том, что в эталонном образце, изготовленном из материала изделия и совпадающем с ним по геометрии, возбуждают в лаборд. торных условиях ультразвуковые колебания, фиксируют амплитуду и время распространения эхо-сигнала от искусственных дефектов, осуществляют накопление данных о параметрах эхо-сигнала от различных типов дефектов, дополнительно на3 91 771 эталоне в вице цилиндра возбуждают ультразвуковые волны и измеряют ам)щитупу и время распространения данного эхо-сигнала, нахоцят отношение амплитуд и разность времени распространения эхосигналов в эталонном образце и эталоне, проводят аналогичные измерения на эталоне в производственных условиях и по амплитуде и времени распространения данного эхо-сигнала и полученным в ла- Ю бораторных условиях соотношениям судят о чувствительности и скорости развертки ультразвуковой установки в производственных условиях. 15На фиг, 1 представлена схема проведения ультразвукового контроля; на фиг. 2 - схема накопления данных с контрольного образца посредством эталона; на фиг. 3 и 4 - временные диаграм- . мы при контроле и настройке ультразвуковой установки,На эталонный образец 1 устанавливают ультразвуковые преобразователи 2 и 3 на определенном расстоянии от контро лируемого участка 4. Сигналы с ультразвуковых преобразователей подают на усилитель 5, блок 6 регистрации резуль татов измерения и накопитель 7. В дальнейшем ультразвуковой преобразователь 3 устанавливают на эталоне 8, а накопитель 7 подсоединяется к электронно- вычислительной машине 9."Способ осуществляют слецующим образом.35Устанавливают ультразвуковые преобразователи 2 и 3 на эталонный образец. При этом сигнал с ультразвуковых, преобразователей 2 и 3 подают на усилитель 5, блок 6 регистрации и затемюсобирают в накопителе 7. фиксируют зондирующий импульс Е , импульс Е Епри отражении от изделия 1 и импульс Епогрешности испытаний с амплитудой АЕи временем 1пробега. Устанавливают45временной промежуток фЕр 1 Ед, в котОщрый ожидают импульс погрешности испытаний. Эти амплитудные и временные отрезки фиксируют в различных материалахи при разных видах цефектов и собираютв накопителе 7,Затем ультразвуковой преобразователь3 устанавливают на эталон 8 и фиксируют сигнал ЕЕ при вхожпении в эталон8, первичный эхо-сигналот заднейстенки эталона 8 с амплитудой Аивторичный эхо-сигнал В. Определяютвремя 1 первого эхо-сигнала Е. 1 4Устанавливают связь между амплитудными и временными параметрами, принятыми в эталонном образце 1 и эталоне 8,а именноЧЬЯ -ДЕСЕЯ Ьа 1 " Е- ЕЙВ производственных условиях цля опрецеления чувствительности и разверткиультразвуковой установки используетсяэталон. Для этого проводят аналогичныеоперации на эталоне и контролируемомизделии. Сравнивают амплитудные и временные характеристики принятых сигналов и на основании полученных в лабсьраторных условиях соотношений судят очувствительности и скорости разверткиультразвуковой установки пля непосредственного случая на производстве.Предлагаемый способ настройки ультразвуковой установки позволяет в производственных условиях повысить точностьконтроля .за счет частого сопоставленияэталона с контролируемыми изцелиями.Формула изобретенияСпособ настройки ультразвуковой установки, заключающийся в том, что в эталонном образце, изготовленном иэ материала иэделия и совпадающем с ним погеометрии, возбуждают в лабораторныхусловиях ультразвуковые колебания, фиксируют амплитуду и время распространения эхо-сигнала от искусственных дефектов, осуществляют накопление данных опараметрах эхо-сигнала от различных типов дефектов, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения точностиконтроля, аополнительно на эталоне ввиде цилиндра возбуждают ультраэвуковые волны и измеряют амплитуду и. время распространения данного эхо-,сигнала,находят отношение амплитуд и разностьвремени распространения эхо-сигналовв эталонном образце и эталоне, проводятаналогичные измерения на эталоне в производственных условиях и по амплитудеи времени распространения данного эхосигнала и полученным в лабораторныхусловиях соотношениям судят о чувстви- .тельности и скорости развертки ультразвуковой установки в производственныхусловиях.Источ ники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Методы нераэрушающих испытаний,Поп рец, С. Шарпа, М., "Мир, 1972с., 82-86.2. Ермолов И,Н. "Методы ультразвуковой дефектоскопии".М., МГИ, 1966,с. 222-237 (прототип),Тираж 883 ПодГосударственного комитета СССРам изобретений и открытийМосква, Ж, Раушская наб.,