Способ определения состава газа

Союз Советских ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(45) Дата опубликования описания 15,04.82ло делам изобретений и открытий) СПОСОБ ОП ЕН ИЯ СОСТАВА ГАЗ Изобретение относится к газовому анализу, преимущественно полупроводниковому, и может быть использовано для анализа состава газа окружающей среды, контроля технологической среды и в различных 5 областях промышленности, где требуется экспрессный газовый анализ.Известен способ определения нескольких компонентов газовых смесей, основанный на разделении сигналов, соответствую щих адсорбции различных молекул. Способ заключается в том, что изготавливают пять различных полупроводниковых датчиков из разного материала, .каждый из которых реагирует на один сорт молекул, и вклю чают в специальную электронную схему сравнения Ц.Недостатками этого способа являются необходимость экспериментального подбора состава полупроводника на определенную 20 детектируемую компоненту и необходимость реконструировать прибор при переходе от одной газовой смеси к другой, состоящей из молекул других сортов.Наиболее близким по технической сущ- Ж 5 ности к изобретению является способ определения состава газа, включающий внесение в исследуемую газовую среду поверхностно-ионного транзистора, приложение к его затвору электрического напряжения не 30 выше величины пробоя диэлектрика и измерение проводимости канала между стоком и истоком транзистора 21.Известный способ определения наличия паров воды в газовой среде заключается в следующем.В исследуемую среду вносят поверхностно-ионный транзистор. К его затвору прикладывают относительно подложки постоянное электрическое напряжение и измеряют изменение проводимости канала транзистора между диффузионными облас;ями. При отсутствии в газовой среде влаги проводимость между диффузионными областями ничтожно мала. Появление в газовои среде молекул воды сопровождается их адсорбцией на поверхности диэлектрика и образованием адсорбированной пленки влаги, Когда к металлическому электроду прикладывают достаточно большой электрический потенциал, происходит диссоциация молекул воды на ионы. При этом отрицательные ионы удаляются от затвора, образуя область ионного заряда. Этот заряд экранируется положительным зарядом дырок, которые притягиваются к.поверхности полупроводника и образуют инверсионный канал. Граница образовавшегося инверсионного слоя перемещается в направлении от затвора совместно с диффундирующими50 60 ионами, так что через некоторое время этот слой достигает диффузионных р+ - областей и между ними начинает протекать электрический ток, т. е. увеличивается электропроводность, что свидетельствует о наличии влаги. При этом проводимость возрастает во времени и достигает насыщения, По скорости нарастания сигнала можно судить о количественном содержании влаги в газовой среде,Известный способ отличается простотой а используемый в способе чувствительный элемент - поверхностно-ионный транзистор - отличается миниатюрностью, что позволяет использовать,его для анализа влаги в небольших объемах. При изготовлении элемента не требуется применения новых технологических операций. Для реализации способа не нужен нагрев чувствительного элемента, в отличие от других известных способов, где используются полупроводниковые чувствительные элементы.Недостатком способа является то, что с его помощью можно обнаружить только самые быстрые ионы, образующиеся при диссоциации воды, которые после достижения детектирующих р+-областей полностью открывают канал и делают невозможным наблюдение изменения тока канала, вызванного движением более медленных ионов, образованных после диссоциации других молекул.Целью изобретения является повышение точности раздельной индикации компонентов газовой смеси, растворимых в воде,Поставленная цель достигается тем, что в способе определения состава газа, включающем приложение к его затвору электрического напряжения не выше величины пробоя диэлектрика и измерение проводимости канала между стоком и истоком транзистора, исследуемую газовую среду предварительно насыщают влагой до образования сплошной пленки воды на поверхности транзистора, а к его затвору прикладывают импульс напряжения длительностью, не большей времени пробега расстояния от затвора к активной области наиболее подвижными ионами, после чего снимают зависимость проводимости канала от времени и по расположению максимумов этой зависимости на оси времени путем сравнения их с расположением максимумов на калибровочной кривой идентифицируют компоненты газовой среды.Способ основан на эффекте пространственного разделения ионов, генерированных одиночным импульсом электрического поля, в пленке влаги. Сущность его заключается в следующем,К электроду поверхностно-ионного транзистора прикладывают импульс электрического поля, При этом молекулы, растворенные в пленке влаги, диссоциируют на ионы, и вблизи электрода формируется волна за 5 10 15 20 25 зо 35 40 45 ряженных частиц, которая вместе с волнойэкранируемых дырок у поверхности полупроводника перемещается вследствие диффузии по направлению от электрода и в некоторый момент времени достигает детектирующих областей, Если длительность импульса электрического поля (в известномспособе оно стационарное) выбирать такой,чтобы она не превышала времени пролетанаиболее быстрыми ионами расстояниямежду затвором и р+-областями, то проводимость канала вначале возрастет, а затем после прохождения волны определенного сорта ионов будет спадать (в известном способе проводимость выходит на на.сыщение) . Скорость перемещения волныопределяется коэффициентом диффузиисоответствующих ионов, а зависимость про.водимости канала от времени содержит рядпиков с характерными для каждого сортаионов, образовавшихся при диссоциациирастворенных в пленке влаги молекул, вре.менами максимумов, По числу наблюдаемых пиков можно судить о количестве сортов молекул в среде, а по высоте пиков -о их концентрации.На фиг. 1 представлена схема исполь.зуемого для определения состава транзистора; на фиг 2 и 3 - зависимости проводимости канала транзистора от времени дляразличных газов.Транзистор содержит металлическийэлектрод 1, установленный на слое диэлектрика 2, нанесенного на полупроводниковуюподложку 3. Расстояние от края электрода1, являющегося затвором, до края диффузионных областей 4, составляет 15 мкм.П р и м е р 1. Исследовалась газоваясмесь, содержащая пары воды, этиловогоспирта и азотной кислоты,При оптимальных условиях - относительной влажности 70%, величине импульса электрического потенциала, приложенного к затвору относительно подложки,- 85. В, длительности импульса 1=3 с - была снята зависимость проводимости каналатранзистора от времени, представленная нафиг. 2 (кривая 5), Эта зависимость имеет три пика, Сравнение с калибровочнымикривыми, снятыми при тех же условиях длязаведомо известных компонентов (кривые 6, 7), позволяет утверждать, что первый пиксоответствует парам воды, второй - парамазотной кислоты, третий - парам этилового спирта.П р и м е р 2, На фиг, 3 представлены зависимости проводимости канала от времени (смесь НО+ СНьОН+ НИОз) при р = = - 85 В для влажности 60 ОО (1 = 7 с; кривая 8) и влажности 40% (1 = 30 с;кривая 9), Использование .предлагаемого способаопределения состава газа обеспечивает по сравнению с существующими способами, следующие преимущества: возможностьюг. миниатюризации первичных измерительных преобразователей аналитической техники; возможность проведения контроля среды обитания, окружающей среды, промыш.ленных выбросов без применения громозд ких и доротих приборов,Формула изобретения Способ определения состава газа, вклю чающий внесение в исследуемую газовую среду поверхностно-ионного транзистора, приложение к его затвору электрического напряжения не выШе величины пробоя диэлектрика и измерение проводимости кана- И ла между стоком и истоком транзистора, отличающийся тем,.что, с целью повышения точности раздельной индикации компонентов, растворимых в воде, исследуемую газовую среду предварительно насыщают 20 влагой до образования сплошной пленки воды на поверхности транзистора, а к его затвору прикладывают импульс напряжения длительностью, не большей времени пробега расстояния от затвора к активной области наиболее подвижными ионами после чего снимают зависимость проводимости канала от времени и по расположению максимумов этой зависимости на оси времени путем сравнения их с расположением максимумов на калибровочной кривой идентифицируют компоненты газовой среды. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Патент Франции2098575, кл, б 01 Х 27/12, 1970.2. Федорович Ю. В. и др. Миграция подвижных зарядов по поверхности различных диэлектриков в МДП структуре. Микроэлектроника, 1973, т, 2, вып, 2, с. 159 - 165 (прототип).862684 Ю4:аАгР Корректор Заказ 361/272 Изд.130 Тираж 882 Поди исноНПО Поцск Государственного комитета СССР ио делам изобретений и открыти113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Харьк. фил. пред. Патент Составитель В, Екаеведактор И, Гохфельд Техред И. Пенчк Я Ж