Ключ

748875 Союз СоветсиилСоциалистическихРеслублии ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(51)М. Кд. Н 03 К 17/56 Веудеротввииый комитет СССР ао делам изобретений и открытийДата опубликования описаний 18,07,80(54) КЛЮЧ Йзобретение относится к области авто- матики.Известны ключи, содержащие транзисторы одного типа проводимости, резисторы, диодно-мостовую схему и переключа 5 тель, при этом между точками объединения анодов диодов диодно-мостовой схемы последовательно включены первый и второй резисторы, общая точка которых соединена с коллектором первого транэис 1 о тора, эмиттер которого непосредственно, а база через третий резистор подключены к обшей шине, одна иэ точек объединения анодов диодов диодно-мостовой схемы соединена с обшей точкой эмиттеров второго и третьего транзисторов, а другая точка объ динения анодов диодов диодно-мостовой схе- мы подключена к общей точке эмиттеров четвертого и пятого транзисторов причем одна из точек объединения катодов диодов диодно-мостовой схемы через четвертый резистор соединена с первой входной клеммой, через пятый резистор - со вто. рой входной клеммой, через шестой резистор - с базой второго транзистора, а череэ седьмой резистор подключена к базе четвертого транзистора, причем коллекторы второго и четвертого транзисторов соединены соответственно с первой и второй входными клеммами, другая точка объединения катодов диодов диодно-мостовой схемы через восьмой резистор соединена с первой выходной клеммой, через девятый резистор - со второй выходной клеммой, через десятый резистор - с базой третьего транзистора, а через одиннадцатый резистор подключена к базе пятого транзистора, причем коллекторы третьего и ятого транзисторов соединены соответственно с первой и второй выходными клеммами Я.Недостаток известного устройства- большая потребляемая мощность.Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности ключа.Цель достигается тем, что в ключ, содержащий транзисторы одного типа проводимости, резисторы, диодно-мостовуюсхему и переключвтель, при этом между точками объединения анодов диодов диодно-мостовой схемы иос ледов ательно включены т ер-.вый и второй резисторы, общая точка котбрых соединена с коллектором первоготранзистора, эмиттер которого непосредсч- венно, в база через третий резистор подключены к общей шине, одна из точекобъединения анодов диодов диодно-мостовой схемы соединена с обшей точкой эмич10теров второго и третьего транзисторов,а другая точка объединения анодов диодов диодно-мостовой схемы подключенак общей точке эмиттеров четвертого и пя-.того транзисторов, причем одна из точек 15объединения катодов диодов диодно-мостовой схемы через четвертый резистор соединена с первой входной клеммой, черезпятый резистор - со второй входнойклеммой, через шестой резистор - с баэой второго транзистора, а через седьмой рмистор подключена к базе четвертоготранзистора, причем коллекторы второгоичетвертого транзисторов соединены соответстВенно с перВой и ВтОрой ВхОДными 25клеммами, другая точка объединения катодов диодов диоднэ-мостовой схемы через восьмой резистор соединена с первойвыходной клеммой, через девятый резистор - со второй выходной клеммой, через 30десятый резистор - с базой третьего транзистора, а через одиннадцатый резисторподключена к базе пягого транзистора,причем коллекторы третьего и пятоготранзисторов соединены соответственнос первой и второй выходными клеммами,введены первый дополнительный транзистор того же типа проводимости, второйдополнительный транзистор противополож- .ного типа проводимости, диод и дополнительОные резисторы, при этом база первогодополнитепьного транзистора через первый дополнительный резистор соединена с коллектором первого транзистора, эмиттерс общей шиной, а коллектор подключен 45к точкам объединения катодов диодов 50 резистор - к плюсовой шине источникаа питанйя, эмйттер второго дополнительного транзистора соединен через кв 55 3 748875шестой дополнительный резистор - к коллектору первого транзистора, база которого через последовательно включенныеседьмой дополнительный резистор и переключатель соединена с плюсовой шинойисточника питания.Рринцнпиальнаа схема ключа представлена на чертеже.Схема содержит диоды 1, 2, 3, 4диодно-мостовой схемы, между точкамиобъединения анодов диодов которой последовательно включены первый и второй реэисторы 5 и 6, общая точка которых соединена с коллектором первого транзистора 7, эмиттер которого непосредственно,а база через третий резистор 8 подключены к обшей шине 9; точка объединенияанодов диодов 1 и 2 соединена с общейточкой эмиттеров второго и третьего транзисторов 10 и 11, а точка объединенияанодов диодов 3 и 4 подключена к общейточке эмиттеров четвертого и пятоготранзисторов 12 и 13, точка объединениякатодов диодов 1 и 3 через четвертыйрезистор 14 соединена с первой входнойклеммой 15, через пятый резистор 16 со второй входной клеммой 1 7, черезшестой резистор 18 - с базой второготранзистора 10, а через седьмой резистор 19 подключена к базе четвертоготранзистора 12, причем коллекторы транзисторов 10 и 12 соединены соответственно с входными клеммами 15 и 17,точка объединения катодов диодов 2 и 4через восьмой резистор 20 соединена спервой выходной клеммой 21, через девятый резистор 22 - со второй выходнойклеммой 23, через десятый резистор 24с базой транзистора 11, а через одиннадцатый резистор 25 подключена к базетранзистора 13, причем коллекторы транзисторов 11 и 13 соединены соответственно с выходными клеммами 21 и 23; 26 -первый дополнительный транзистор, базакоторого через первый дополнительныйрезистор 27 соединена с коллектором диодно-мостовой схемы, к коллектору вгь- транзистора 7, эмиттер - с общей шиной9, а коллектор подключен к точкам объединения катодов диодов 1, 3 и 2, 4, кколлектору второго дополнительного транзистора 28, через второй дополнительныйрезистор 29 - к общей шине 9, а черездополнительный резистор 30 - к плюсовой "год-анод диода с плюсовой шиной источ- шине 31 источника питания эмиттер транника питания, а через четвертый допол" зистора 28 соединен через катод-анод нительный резистор - с общей шиной а диода 32 с плюсовой шиной 31 источника база подключена к переключателю 1 через питания, а чепеэ,четвеотый дополнительный пятый дополнительный резистор - к плю- резистор 33 с общей шиной 9, а баЖ подсовой нгине источника питввия, а через ключена к переключателю 34, через пятый дсКлюч, содержащий транзисторы одногогипа проводимости, резисторы, диодномостовую схему и переключатель, приэтом между точками объединения анодовдиодов диодно мостовой схемы последовательно включены первый и второй рмисгоры, общая точка которых соединена сколлектором первого транзистора, эмиътер которого непосредственно, а базачерез третий резистор подключены к общейшине, одна из точек объединения анодовдиодов диодно-мостовой схемы соединена " с общей точкой эмиттеров второго и тр тьего транзисторов, а другая точка объе-динения анодов диодов диодно-мостовой схемы подключена к обшей точке эмитт ров четвертого и пятого транзисторов, причем одна из точек объединения катодов диодно-мостовой схемы через четверчъй резистор соединена с первой входной клеммой, через пятый резистор - со второй входной клеммой, через шестой резистор - с базой второго транзистора, а через седьмой резистор подключена к базе четвертого транзистора, причем кол- лекторы второго и четвертого транзисторов соединены соответственно с первой и второй вхолными клеммами, другая точка объединения катодов диодов диодно- мостовой схемы через восьмой резистор соединена с первой выходной клеммой, через девятый резистор - со второй выходной клеммой, через десятый резистор - с базой третьего транзистора, а через одиннадцатый резистор подключена к базе пятого транзистора, причем коллекторы третьего и питого транзисторов соединены соответственно с первой и второй 5 7488 полнительный резистор 35- к плюсовой шине 31 источника питания, а через шестой дополнительный резистор 36- к коллектору транФ зистора 7, база которого через последовательно включенные седьмой дополнительный резистор 37 и переключатель 34 соединена с плюсовой шиной 31 источника питания.Работа ключа осуществляется следующим образом. 10Ключ находится в закрытом состоянии, когда переключатель 34 разомкнут. В этом случае транзистор 26 под действием положительного смещения, поступающего через резисторы 27, 35, 36; открыт, а 15 транзисторы 7 и 28 заперты. Последнее обусловлено тем, что переключатель 34 разомкнут и на базу транзистора 7 не подается положительное смещение, а в транзисторе 28 имеет место отрицатель ная обратная связь по току через резистор 33. С коллектора транзистора 7 через делитеЛь на резисторах 5 и 6 подается положительное смещение на аноды диодов 1, 2, 3, 4 и эмиттеры транзисторов 25 10, 11, 12, 13, а с коллектора транзистора 26 - отрицательное смешение на катоды диодов 1, 2, 3, 4 и через резисторы 18, 19, 24, 25 - соответственно на базы транзисторов 10, 11, 12 и 13. Зо Благодаря этому достигается надежное запирание транзисторов 10, 11, 12 и 13 и полное отпирание диодов 1, 2, 3 и 4, Ключ находится в открытом состоянии при установке переключателя 34 в одно З 5 из двух положений. В одном положении переключателя 34 на базу транзистора 7 подается отпирающее напряжение от плюсовой шины 31 источника питания через резистор 35 и делитель на резисторах 4 О 8 и 37, а в другом положении переключатели 34 отпирающее напряжение на базу транзистора 7 подается от плюсовой шины 31 источника питания через делитель на резисторах 8 и 37, Так как к плюсовой 45 шине 31 источника питания через резисторы 35 и 36 подключен также коллектор транзистора 7, то он отпирается. В результате этого через резистор 27 на базу транзистора 26 и на среднюю точку дели о теля на резисторах 5 и 6 подается потенциал общей шины 9. Сйновременно, потенциал общей шины 9 подается также через резисторы 5 и 6 на аноды диодов 1, 2, 3, 4 и эмиттеры транзисторов 10, 11 55 12, 13, Транзистор 26 запирается, сйимвется шунтирование с резистора 29 и под действием отпираюшего напряжения, поступающего на базу транзистора 28 75 6через резистор 35, последний отпирается. Вследствие этого через диод 32 и эмите. тер-коллектор транзистора 28, щунтирующий резистор 30, подается положительное смешение на катоды диодов 1, 2, 3 и 4, через резисторы 18, 19, 24 и 25 - на базы, и через резисторы 14, 16, 20 и 22 - на коллекторы транзисторов 10, 11, 12 и 13. При этом подача положительного смещения на эмиттер транзистора 28 ослабляет действие отрицательной обратной связи через резистор 33 и тем самым способствует более полному отпиранию транзистора 28. Поэтому в откры том состоянии ключа происходит надежное запирание диодов 1, 2,. 3 и 4 и полное отпирание транзисторов 10, 11, 12 и 13. Формула изобретения74 88 выходными клеммами, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что, с целью уменьшенияпотребляемой мощности, в него введеныпервый, дополнительный транзистор тогоже типа проводимости, второй дополнительный транзистор противоположного типапроводимости, диод и дополнительные резисторы, при этом база первого дополнительного транзистора через первый дополнительный резистор соединена с коллектором первого транзистора, эмиттер - собщей шиной, а коллектор подключен кточкам объединения катодов диодов диодномостовой схемы, к коллектору второго дополнительного транзистора, через второй 15дополнительный резистор - к общей шине,а через третий дополнительный резисторк плюсовой шине источника питания, эмичь 75тер второго дополнительного транзисторасоединен через катод-анод диода с плюсовой шиной источника питания, а через четвертый дополнительный резистор - с общейшиной а база подключена к переключателю, через пятый дополнительный резисторк плюсовой шине источника питания, а через шестой дополнительный резистор - кколлектору первого транзистора, база которого через последовательно включенныеседьмой дополнительный резистор и переключатель соединена с плюсовой шинойисточника питания.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР