Способ размагничивания сферического многослойного ферромагнитного экрана

ИЕ библиотека МБЛ ОП И-С- И Союз Советских Социалнстическмх РеспубликИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(22) Заявлено 11.04,74.(21) 201374224.7ос присоединением заявки 1) М. Кл.Н 013 ударотввнный комитет авто Министров СССР во делам иэаервтенийи открытий 23) Приор 43) Опубликовано 25,02,76, Бюллетень7 45) Дата опубликования описания 13.04.76 621.318,25 (088.8) АвторыизобретенЬя дании ко В.А, Захаров и Л 71) Заявител) СПОСОБ РАЗМАГНИЧИВАНИЯ СФЕРИЧЕСКОГО МНОГОСЛОЙНОГО ФЕРРОМАГНИТНОГО ЭКРАН многокра ния переИзобретение относится к области приборостроения и может быть использовано для размагничивания сфе. ,.рического многослойного ферромагнитного экрана с попеременно чередующимся магнитными и немагнитными оболочками, защищающего от постоянного и переменного магнитных полей любое устройство, лув. ствительное к незначительным изменениям магнитного поля, например чувствительный элемент магнито. метра на эффекте Ханле.Известный способ размагничивания состоит в создании внутри экрана переменного магнитного поля, амплитуда которого плавно уменьшается (вручную или автоматически) от максимального значения до нуля. Поле обычно создается проходящим через экюран кабелем, по которому проходит переменный ток большой величины, Время изменения амплитуды должно составлять несколько минут. Разновидностью такого способа является способ, по которому переменный ток изменяющейся амплитуды проходит непосредственно через материал экрана. Для получения малой величины напряженности остаточного поля в центре Ферромагнитного экрана (2-3 гаммы, 1 гам.-5ма =10 э необходимо, чтобы амплитуда переменного поля изменялась очень плавно, синусоидальность поля не искажалась, и чтобы процесс размагничивания проходил в скомпенсированном геомагнитном поле.Напряженность остаточного поля на уровне2 - 3 гамм достигается в общем случае тным проведением процесса размагничиваменным магнитным полем.В результате применения способа необходимыйрезультат (2.3 гаммы в центре экрана) получается после однократной операции размагничивания много. О,слойного экрана, стыки соседних магнитных оболо.чек которого расположены взаимно перпендикуляр 1 но (отверстие проходит сквозь экран), причем сам процесс размагничивания проводится в нескомпен.1 сированном геомагнитном поле.5 . Для успешного однократного процесса раэмагничи.вания многослойный ферромагнитный экран, стыки оболочек которого взаимно перпендикулярны, в не ,скомпенсированном геомагнитном поле при комнат.ной температуре ориентируют так, чтобы плоскость О стыка внутренней магнитной оболочки раслолага. лась в горизонтальнои плоскости, жестко закрспля.ют на столе ударного стенда, однократно разлгагпичивают переменным уменьшаюшимся по амплитудемагнитным полем цо величины, например, .5-30 гамлв центре экрана и подвергают воздействию оппират.ои ударной нагрузки вдоль оси, перпендикулярной к плоскости стыка внутренней магнитной оболочки экрана при величине ускорения в пределах от 5 до 80 фНа фиг. 1 показан многослойный ферромагнитный экран с попеременно чередующимися магнитными и немагнитными оболочками; на фиг. 2 показа " н расположение внутренней магнитной оболочки многослойного экрана относительно системы коор динат и стола ударного стенда (друтие оболочки и крепление всего многослойного экрана к столу удар ного стенда не показаны,.Ферромагнитный экран содержит, магнитные 1 и .немагнитные 2 оболочки, установленные на столе 3,Для эффективногеразмагничивания сферическс. го многослойного ферромагнитного экрана, стыки оболочек которого расположены взаимно перпенДикулярно, т,е, с отверстием, проходящим сквозь экран (см. фиг. 1), необходимо предварительно закрепить данный экран на столе 3 ударного стенда,: например, марки80. Конструкция крепления может быть любой, до должна обеспечивать максимальную жесткость крепления экрана к столу ударного стенда при минимально возможной деформации, его наружной оболочки. Следует: предотвращать не-посредственное касание внешней оболочки экрана стола ударного стенда. Перед окончательным креплением экрану его необходимо ориентировать относительно горизонтальной говерхности стола стенда так, чтобы плоскость, проходящая через стык внутренней оболочки экрана (см, фиг. 2), была параллельно столу ударного стенда (то есть ось ОУ должна быть перпендикулярна к столу) . После ориентации многослойного экрана относительно стола ударного стенр необходимо провести однократную операцию размаг. ничивания постепенно уменьшающимся переменным (50 г .магнитным полем, максимальная напряженность которого не менее 10 э на расстоянии эт раз. магничивающего кабеля, равном радиусу первой внутренней оболочки многослоййого экрана, В дан. ном случае не имеет значения, как уменьшается амплитуда переменного поля (вручную или автоматичес. ки), Несущественны также возможные искажения синусоидальности переменного поля, которые приво дят к величинРнапряженности, остаточного поля экрана после размагничивания, равной 25-30 гамм. Такая величина напряженности остаточного поля в центре экрана после размагничивания является совершенно неудовлетворительной как для прове 4дения исследований физических свойств ферромаг.нитного экрана, так и для удовлетворительной ра: боты чувствительного элемента.магнитометра наэффекте Ханле. Кроме того, размагничивание доуровня величины напряженности поля, равной 2530 гамм, легко провести однократным актом. Послеэтого экран подвергают ударной нагрузке, Минималь.ная величина ускорения, возниказэщего при ударе,при котором .наблюдается эффект размагничивания,щ составляет 5 где Д -ускорение свободного паденйя, Максимальная величина ускорения, при Котором.наблюдается эффект размагничивания, составляет80.у Привеличинах ускорений меньших 5 ч и больших 80 ч исследования не проводили. При этом саИ мые лучшие результаты получены в диапазоне вели.чин ускорений от 20 до 80,у, Величина напряженности остаточного по я в центре. экрана, после воздействия однократной ударной нагрузки составляет 2-3,гаммы, Даннья велицина напряженности остаточногополя как и повторяемость результатов размагничи-вания является вполне достаточной для проведениянеобходимых исследований физических характеристик экранов и для успешного иа использования всостоянии, полученном таким способом размагничива.р ния) в защите чувствительного элемента магнитометра на эффекте Ханле,Формула изобретения 30Способ размагничивания сферического многослой.ного ферромагнитного экрана с взаимно пеопендику-лярным расположением стыков и сквозным. отверстием, основанный на создании в экранированномобъеме переменного магнитного поля с убывающейамплитудой, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюуменьшения числа циклов размагничивания до одного и получения при этом эффективного размагничивания в геомагнитном поле, экран ориентируют так, 46чтобы плоскость стыка внутренней, магнитной оболочки располагалась в горизонтальной плоскости,жестко закрепляют на столе ударного стенда, однократно размагничивают переменным уменьшающим.ся по амп;.итуде магнитным полем до величины,например, 25-30 гамм в центре экрана и подвергают воздействуют оцнокуатной ударной йагруэки вдоль,оси, перпендикулярной к плоскости стыка внутрен-;ней магнитной оболочки экрана при величине ускорения в пределах от 5 до 80.504253 Составитель А. ЛукииРедактор Н, Данилович Техред А. Демьянова Корректор А. Лакида Тираж 977 Подл ИИПИ Государственного комитета СбЬет по делам изобретений и от 113035, Москва, Ж, Раушская наб