Способ образования изображения
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(11) 443524 Союз Советсиин Социалист ицесеа Республик/22 оаудвротвеннье квинтетСовета Мнннотров СССРоо делам нзооретеннйн открытнй 32) Приоритет Опубликоваио 15.09,745 юллетеиь МЙИностранцым Лок коффи, Петер Дон Серлон, Арнэк и Раортииер Леви (США)Иностранная ФирмафРенк Ксерокс Дтд" (Великобритания) 72) Авторы изобретения ильяанд 1) Заявитель БРЬВОМНИЯ ИЗОБРЬЖЕНИЯ(54) СП материал 1 Изобретение относится к злейтрографии, а именно, и способу по лучения электростатографического изображения на воспринимающем материале. 5Йзвестен способ получения изображения на воспринимающем материале под действием электростатических сил с использованием изолирующего слоя, способного размяг и чаться на стадйи проявления.Этот спосоо не обеспечивает высокой разрешающей способности получаемого изображения.С целью повышения узрешающей способности предлагают на изолирующии слой, контактирующии с поверхностью воспринимаюшего ма.ериала, наносить способный разрушать-ся слоя или вводить частицы этого ю слоя в толщину изолирующего слоя.Затем на способном разрушаться слое формируют скрытое электростатическое изображение, которое проя вляют, размягчая изолирующий слой,находяшийся в контакте с восприцимающим материалом, причем частицы разрушаегося слоя проникают через размнгченный слой и осаждаются на поверхности воспринимающего материала.При формировании изображения способный разрушаться слой равномерно заряжазт электростатическими зарядами и экспонируют его активным излучением по конфигурации изображения.На фиг. 1 изображен воспринимающий материал; на фиг. 2 - схема электростатического заряжения воспринимающего материала; на фиг.3 - схема экспонирования йзображения; на фиг. 4 - схема проявления изображения жидким растворителем; на фиг. 5 - воспринимающий матерй ал после проявления, поперечный разрез; на фиг. 6 - приспособление дня формирования злектростатическо. го изображения,Воспринимающийоит из слоя 2, способного разрушаться, изолирующего слоя 3 иопорного слоя 4, Слой 2 имеет толщину 0,2-10 мкм. Частицы этогоааояраспылены внутри или на поверхностиизолирующего слоя 3, рый Выполнен эластичным и способным легкоразмягчаться, обеспечивая избирательное пронйкновение частиц слоя2 к поверхности опорного слоя иосаждения на нем пад действиемэлектрических сил. Опорный слой4 мажет быть ВыпОлн 8 н из ткани,чльги, стекла или палиэтил 8.нтерВ=талата. Толщина изолирующего слоянаходится в пределах 2 мка.Электростатический рельеф, соответствующий проецируемому йзабражению;феормируют на слое 2, например,электрической зарядкой васприйимающего элемента в темноте. При этомспособный разрушаться слой 2 приаоетает потенциал порядка 60-100 в.алее Воспринпмающии материал экспонируют активным излучением паконфигурации первоначального изООражения с помощью приспасаблеееия,изобужепного на фиг,Появление сфор:5-,.:наннатаизааражения на Васпринйиающем материале производят путем размягчения изолирующего слоя 3 нагреванием или растворением для ОЗеспечения селективности миграции фоточувствительнагО материала на по-.верхность опорного слоя.В процессе проявления изображения жидким растворителем фиг.4)па освещенных участках разрушающийся слой не вымывается, а прирастает к Опорному слою, причем на немотпечатывается требуемое изображение),1. Весь процесс прояаления эани)ает менее одной сек и дает изображение хорошего тона с разрешающей способностью более 200 линийна миллиметр.П р и м е р 1, Воспринимающий материал изготавливают прокаткай слоя, состоящего из стайбелитаваго эфира, талшинай В 2 мкм на пОьерхнасти йалиэфирного слоя из Мимм., имеющега прозрачное алвиниевае йакрытие с нанесением слоя се-.леп ), толщиной 0,2 мкм,Сален наносят либо методом вакуу),еаго напыления, либо путем отЛОЖЕНИИ ПРИ ПРОХОЖДЕНИИ ПаРОВ ЛИ)о е 1 ри прохождении паров селейа вазота через еи"ретую зону, Затем)5 а.щ),) ню.)ае)щий материал зае)яжают ва)пени льном зарядном устроистве дои )" ппи)лн примерна 60 В, экспаниук) Г и(;тс)ч еп) кОм 4 ГХ 1(1 А, и наг)ужают Б 10 15 20) )гп ,5) )с В емкОсть с Циклогексаном на 2 сек,где неэвспонированные участки вос-принимающего материала вияываются,при этом получается точная копия репродуцируемого оптического изображенияП р и м е р 2. Воспринимающий материал изготавливают из листа полиэфирной пленки, алюминированного материала Милар, покрытогослоем материала " Г,ссо 1 ех -100"толщиной, примерно, В 2 мкм. ДляФорщювания разрушающ 8 гася слОя2 Вмки, каскадйым методом посыпают смесь графитовых частиц и кусоч.ков стекла размером в 50 мкм.Электростатическое изобение фар)вруют при помощи приспосабления, изображенного на ф)иг. 6,содержащего Воспринимающйй материал 1, шаблон 5 и коронный зарядник6, пйтаемый ат источника тока .Электростатическое скрытое изобужение может быть образовано путемприложения заряда непосредственнок структуре изображения, например,одним из способов, которые известны в технике электростатографического иэображения.Затем воспринимающий материалсо скрытым изображением Обрабатыва,ют пара;еи циклагексана В результа.те чего происходит мигращй частицс плащали, имеющей заряд, к поверхности полиэфирной плейкиУчасткй, не ееесупля изабраженмя 8 сли это желательно, удаляют,погружая воспринимающий материалв жидкий епеклагексан, примерна, на10 сек, в результате получается копия. РЩ Е,") ИжЪЕ)ТЕИЛ Способ образования изображенияр заключающиися В формировании изображения на Восприепиающем материале под действием электростатических сил с использованием изолирующего слоя, спосооного размягча ться на стадии проявления, о т - л и ч а ю щ и Й с я тем, чта, с целью повышения разрешающеи способееасти, на поверхность или В толщину изолирующего слоя вводят способный разрушаться слой и формируют на нем скрытое электростатическое изображение, которое проявляют, размягчая изолирующий слой, на ходящийся В контакте с Васприееймающим материалом, ееричем частицы способного раздшаться слоя проникают через размягченный слой и осаждаются на опа )е)ай е)ане )хнасти ВОСПРие)иающе Га мате)иала.Фиг 6 ФЮ Изд, ИЗ тиращ 506 Подписиое 1 аказ ЦЕИИ 411 И 1 осударственпого коыитега Совета Министров СССР но делап изобретений и открытий Москва, 12035, Раушская наб 4 Предприятие 11 аент, Москва, Г.59, Бережковская наб., 24 Составитель Э ПОЧТЯДЪ 1 едакорБеАНО(Од 1 Техред Е 1 ЮПМЙ корректор НА, А 1.111 Л 0 И с.
СмотретьЗаявка
1111186, 28.10.1966
РЭНК КСЕРОКС ЛТД
ГОФФИ УИЛЬЯМ ЛОК, СЕРЛОН ПЕТЕР ДЖОН, ПАНДСЭК АРНОЛЬД ЛЬЮК, ЛЕВИ МОРТИМЕР
МПК / Метки
МПК: G03G 13/22
Метки: изображения, образования
Опубликовано: 15.09.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-443524-sposob-obrazovaniya-izobrazheniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ образования изображения</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения усилий в подводных элементах тралового механизма
Следующий патент: Устройство для снятия листа с рабочего цилиндра
Случайный патент: Способ контроля уровня электропроводящих сред