Блоки нг-генератор3gjrco(c3ha: i fi •l ff”. -. 1 -“• •• •• -г. n4ii., -; h: ; j-ia; . -;: ;: 4, rfб. •-•ti-. т —. •; й. -gt; amp; ,: •; “. •

ОПИСАНИЕ ЗВИ 54ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 16 ЛХ,1970 ( 1476994/26-9) М, Кл, Н 031 с 3/28 соединением заявкикомитет по делам иаобретений и открыти ори Совете Миииотров СССРриоритет К 621.373,544(088.8) Опубликовано 15,Ч.1973. Бюллетень2 Дата опубликования описания ЗО.И 1,197 Автор зобретения Б, А. Глебов Московский ордена Ленина энергетический инститаявитель ОКИ НГ-ГЕНЕРАТО Изобрет У хнике.Известен блокинг-генератор на транзисторе, содержащий трансформатор с обмоткой обратной связи и выходной обмоткой и время- задающую цепь, выполненную по схеме последовательного 1.С-контура, дроссель которого соединен с общей шиной, а одна обкладка конденсатора соединена через диод с эмиттером транзистора.Цель изобретения - повышение стабильности частоты следования и длительности импульсов.Предлагаемый блокинг-генератор отличается тем, что параллельно конденсатору 1.С-контура включена через диод дополнительная обмотка трансформатора; при этом база транзистора через последовательно соединенные дополнительный конденсатор, обмотку обратной связи и диод подключена к обкладке конденсатора 1.С-контура, соединенной через диод с эмиттером транзистора,Кроме того, в блокинг-генератор введен дополнительный последовательный ЕС-контур, у которого свободный вывод дросселя соединен с общей шиной, одна обкладка конденсатора соединена с концом обмотки обратной связи, а точка соединения дросселя и конденсатора подключена через диод к базе транзистора, соединенной с концом обмотки обратной связи ение относится к имп льсной те через цепочку из параллельно включенных рсзистора и конденсатора. На фиг, 1 изображена схема блокинг-гене ратора со стабилизацией частоты повторенияимпульсов; на фиг. 2 - схема того же генератора с дополнительно введенной цепью стабилизации длительности формируемых импульсов.10 Коллектор транзистора 1, эмиттер которогозаземлен, через обмотку 2 трансформатора д связан с шиной питания 4.База транзистора через резистор 6 подключена к шине питания и через диод 6 - к зем ле. Между шиной питания и землей включенЬС-контур, состоящий из последовательно соединенных дросселя 7, конденсатора 8 и диод,".9. Параллельно конденсатору 8 через диод 10 включена обмотка 11 трансформатора. Общая 20 точка конденсатора 8 и диода 9 через последовательно соединенные диод 12, обмотку 18 и конденсатор 14 связана с базой транзистора.Общая точка обмотки 18 и конденсатора 11 через резистор 16 связана с землей. Последа вательно соединенные обмотка 16, диод 17и резистор 18 образуют цепь нагрузки. Цепочка из последовательно соединенных диода 19 и резистора 20, подключенная параллельно первичной обмотке 2, образует цепь восста новления трансформатора.55 60 65 где 3Работу схемы целесообразно рассматривать с момента возбуждения блокинг-процесса. Последний поддерживается током положительной обратной связи, задаваемым в базу транзистора обмоткой 13 через конденсатор 14.Ьо время блокинг-процесса на нагрузке формируется прямоугольный импульс (с выраженной плоскои вершиной), поскольку первичная обмотка трансформатора подключена через открытый транзистор к шине питания. Мощность импульса ограничивается лишь нагрузочной способностью транзистора.За время действия импульса конденсатор 8 заряжается через диод 10 током обмотки 11. Коэффициент трансформации этой обмотки выбран большим единицы, и поэтому конденсатор заряжается до напряжения, превышающего напряжение питания,Одновременно с конденсатором 8 заряжается конденсатор 14: первый - коллекторным током, трансформируемым в обмотку 11, второй - базовым током транзистора. Разница в токах коллектора и базы, обусловленная усилительными свойствами транзистора, позволяет за время импульса зарядить конденсатор 8 значительно большим зарядом, чем конденсатор 14. Иными словами, емкость конденсатора 8 может быть выбрана существенно большей емкости конденсатора 14, что дает возможность достичь желаемого соотношения длительностей паузы и импульса, выраженного неравенством Т Т.По окончании импульса диод 10 запирается, поскольку на его аноде действует отрицательный потенциал, обусловленный заряженным конденсатором 8, а на катоде потенциал положителен, что обусловлено сменой знака напряжения на обмотках трансформатора после запирания транзистора, Изза высокого обратного сопротивления запертого диода 10 это не сказывается на процессах, происходящих в С-контуре после окончания импульса в цепи нагрузки. Иными словами, в схеме при использовании кремниевого диода достигается желаемое малое значение тока утечки, разряжающего конденсатор 1,С-контура.Конденсатор 8, заряженный к моменту окончания импульса до напряжения большего, чем напряжение питания, во время паузы между импульсами разряжается через дроссель 7, источник питания и диод 9. При этом ток разряда имеет полусинусоидальную форму, а напряжение на конденсаторе 8 изменяется согласно выражению Ус= - Е - ) Е (ф - 1) - (ед=9 -2 х 1- ер) совТс Е - напряжение питания схемы; пц - коэффициент трансформации обмотки 11; еп 9, е ,о - пороги отпирания диодов 9 и 10;5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 4Тс - период колебательного процесса в ЕС-контуре,Как следует из записанного выражения, при п 2 напряжение между анодом и катодом диода 10 ни в какой момент колебательного процесса не становится положительным, что гарантирует запертое состояние диода и, тем самым, высокую добротность ЬС- контура. Полусинусоидальный ток ЬС-контура, протекающий через диод 9, создает на нем положительный потенциал, из-за чего диод 12 заперт, и цепь положительной обратной связи разорвана. Это обусловливает отсутствие самовозбуждения даже при открытом транзисторе.Конденсатор 14, заряженный в момент окончания импульса до напряжения, действующего на обмотке 13, после окончания импульса разряжается. Ток разряда протекает через резисторы 5 и 15, а также через диод б. Падение напряжения на этом диоде является запирающим смещением для транзистора. Ток разряда конденсатора экспоненциально спадает, и в момент, когда он становится равным току резистора 5, диод б запирается, С этого момента запирающее смещение на базе транзистора сменяется отпирающим. При соответствующем выборе параметров схемы это происходит до очередного срабатывания блокингген ер атор а.Наличие диода б не обязательно. Этот диод позволяет уменьшить положительный запирающий потенциал на базе транзистора, а также ускорить разряд конденсатора 14Через полпериода колебательного процесса направление тока в 1.С-контуре (дроссель 7 и конденсатор 8) изменяется на обратное. При этом диод 9 запирается, а диод 12 отпирается. Через открывшийся диод 12 замыкается цепь положительной обратной связи и, поскольку к этому моменту транзистор уже открыт, формируется новый импульс. Открытое состояние транзистора перед очередным срабатыванием обусловливает малую величину тока срабатывания (обычно порядка единиц - десятков мка), что способствует повышению стабильности паузы.Стабильность частоты генерации может быть дополнительно повышена, если наряду со стабилизацией длительности паузы обеспечить стабилизацию длительности импульсов. Генератор импульсов с дополнителньо введенной цепью стабилизации длительности импульсов представлен на фиг. 2. Здесь цепь стабилизации длительности импульса образована конденсатором 14 и резистором 15 в сочетании с дополнительным последовательным 1.С-контуром, образованным дросселем 21 и конденсатором 22. Контур включен между землей и точкой соединения обмотки 13, конденсатора 14 и резистора 15, а средняя точка контура через диод 23 связана с базой транзистора.Схема на фиг, 2 отличается от схемы и" фиг, 1 только дополнительно введенной цепью стабилизации длительности формируемых импульсов, принцип действия которой состоит в следующем.При возбуждении блокинг-процесса на обмотках трансформатора, в том числе на обмотке 13 положительной обратной связи, возникают импульсы напряжения. Под действием напряжения на обмотке 13 в базу транзистора через резистор 15 поступает. ток, поддерживающий транзистор в открытом состоянии (в насыщении). Конденсатор 14 ускоряет развитие блокинг-процесса.Отрицательный скачок напряжения на конце обмотки 13, возникший в результате развития блокинг-процесса, передается через конденсатор 22 на анод диода 23 и запирает диод. В ЬС-контуре (дроссель 21 и конденсатор 22) возникает колебательный процесс, в результате которого потенциал на аноде диода 23 повышается по косинусоидальному закону. Через четверть периода, когда ток дополнительного ЕС-контура достигает максимума, диод 23 отпирается. Через открывшийся диод 23 ток дросселя 21 поступает в базу транзистора. Этот ток, направленный противоположно току положительной обратной связи, вызывает запирание транзистора. Тем самым длительность формируемого импульса оказывается близкой к четверти периода колебательного процесса в дополнительном ЕС-контуре, чем достигается стабилизация длительности импульса и, как следствис, подь;шсние стабильности частоты генерации. Предмет изобретения1. Блокинг-генератор на транзисторе, содержащий трансформатор с обмоткой обратной связи и выходной обмоткой и времязадающую цепь, выполненную по схеме последовательно го ЬС-контура, дроссель которого соединенс шиной питания, а одна обкладка конденсатора соединена через диод с эмиттером транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности частоты импульсов, па раллельно конденсатору .СС-контура включеначерез диод дополнительная обмотка трансформатора, при этом база транзистора через последовательно соединенные дополнительный конденсатор, обмотку обратной связи и диод 20 подключена к обкладке конденсатора 1.С-контура, соединенной через диод с эмиттером транзистора.2. Блокинг-генератор по п. 1, отличающийсятем, что, с целью стабилизации длительности 25 импульсов, в него введен дополнительный последовательный 1.С-контур, у которого свободный вывод дросселя соединен с общей шиной, одна обкладка конденсатора соединена с концом обмотки обратной связи, а точка 30 сое,".инення дросселя и конденсатора подключена через;,нод к базе транзистора, соединенной с концом обмотки обратной связи через цепочку из параллельно включенных резистора и конденсатора.381154 Фиг 1 Фиг 2 Составитель А. Горбачев Техред Т. Миронова Корректор С. Сатагулова Редактор Н. Синицына Типография, пр. Сапунова, 2 Заказ 2044/4 Изд.499 Тираж 780 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5