Способ возведения хвостохранилища с противофильтрационным экраном

(я)з Е 02 В 7(0 ГОСУДАРСТВЕ 3+ЦЙ КОМИТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТПРИ ГКНТ СССР ТИЯМ ЗОБРЕЛЬСТВУ Я ОПИСАНИЕ К АВТОРСКОМУ СВИД Т 1 .2(21) 4826830/15 : (57) Изобретение относится к области гидра- (22) 21,05,90. : .: техническогостроительства. Цель изобрете- (46) 07.02.92. Бюл. ЛЬ 5 . ния - снижение трудоемкости и стоимости (71) Научно-производственное объединение сооружения хвостохранилища эа счет упропо осушению месторождений полезных ис-. щения технологии создания противофильт-.копаемых и специальным горным работам рационного экрана. На основании 1 "ВИОГЕМ" отсыпают первичную дамбу 2 обвалования (72) В,Г.Мельник, А.П,Патиченко и Е.В,Лы- и производят поярусный намыв крупных чагин ;фракций грунта 4. Затем намытый грунт раз- (53) 627.8(088.8).: рабатывают траншеями глубиной не менее . (56) Авторское свидетельство СССР . высоты яруса 8 намываВынутый из трен- ЬЬ 1118737, кл. Е 02 В 7/06, 1982.шей грунт. укладывают во вторйчные дамбыАвторское свидетельство СССР :; 9 обвалования, а: траншеи замывают обла-,- Ь 1219712, кл. Е 02 В 7/06, 1984.: . .: дающим зкранирующими свойствами мел-, Гкими фракциями грунта.14 При этом (54 СПОСОБ ВОЗВЕДЕНИЯ ХВОСТОХРА- замытые траншеи каждого,последуащего Я :НИЛИЩ С ПРОТИВОФИЛЬТРАЦИОН- яруса перекрывают траншеи предыдущего НЫМ ЭКРАНОМ . " яруса. 5 ил.Юз.Изобретение относится к гидротехническому строительству, в частности кгидравлическому складированию отходовпромышленнцх предприятий, и может бытьиспользовано при сооружении хвостохранилищ, гидроотвэлов, золоотвалов ТЭС,Цель изобретения - снижение трудоемкости и стоимости сооружения хвостохранилища за счет упрощения технологиисоздания противофильтрационного экрана. 10На фиг.1 показана фаза отсыпки первичной дамбы обаалоаания и намыва первого яруса грунта; на фиг,2 - конечная фаза 1намыва первого яруса грунта, отсыпки дамбобвалования и разработки траншеи; на 15фиг,З - фаза заполнения траншеи мелкимифракциями грунта; на фиг.4 - фаза намывавторого яруса и создания протиаофильтрационного экрана; на фиг.5 - конечная фазавозведения хвостохранилища и, создания 20противофильтрационного экрана.Способ осуществляют следующим образом,На основании 1 (фиг,1) отсыпают первичную дамбу 2 обвалования из приводного грунта 3. После этого осуществляютпоярусный намыв крупных фракций грунта4, например отходов обогащения горнообогатительных комбинатов, подавая их ввиде пульпы 5 через выпуск 6, идущий от 30пульпопровода 7, После замыва яруса 8 иего консолидации приступают к устройствувторичных дамб 9 обвалования из ранее на. мытого грунта 4. Для этого грунт разрабатывают землеройной техникой 10, например 35шагающим экскаватором, траншеями 11(фиг,2), Траншеи располагают так, что их ось12 параллельна оси 13 вторичной дамбы 9обвалования, при этом глубинатраншейдолжна быть не менее высоты и яруса 8 40намытого грунта 4, Вынутый экскаваторомиз траншеи грунт подают в дамбу 9 (стрелка показывает перемещение вынутого изтраншеи грунта в дамбу обвалования), Если расстояние между осями 12 и 13 состветственно траншеи и вторичной дамбыобвалования превышает двойной вылетстрелы экскаватора, грунт можно складиро-.вать в промежуточные отвалы и перемещатьв район дамб 9 с помощью дополнительной 50техники, например бульдозера(не показан).После разработки траншей 11 на всю высоту и яруса 8 грунт в дамбе 9 формируют ипланируют бульдозером, Образовавшиесятраншеи 11 замыкают обладающими зкранирующими свойствами мелкими фракциями грунта 14, подаваемыми в виде пульпы15, например, с помощью врезанного в верхней части пульпопровода 7 выпуска 16(фиг.З). Окружающая траншею 11. толща крупных фракций грунта 4 выполняют функцию дренажной подушки, оттягивая на себя воду. Это способствует скорейшей водоотдаче и консолидации замытых в траншею мелких фракций грунта. В случае возведения хвостохранилища их однородного грунта замыв траншей может осуществляться любым другим грунтом, обладающим экранирующими свойствами.Послеэтого намывают следующий ярус 8, в котором также разрабатывают траншею 1, вынутый из нее грунт укладывают в дамбу обвалования (фиг.4) и замывают траншею мелкими фракциями грунта 14. При этом необходимо, чтобы замытые траншеи каждого последующего яруса перекрывали траншеи каждого предыдущего яруса и при разработке траншей в каждом последующем ярусе должен вскрываться верх замытой, траншеи предыдущего яруса. Только при таких условиях соблюдается сплошность формируемого протиаофильтрационного экрана 17 и обеспечивается его надежная работа, Указанную последовательность отсыпки вторичных дамб обвалования, намыв ярусов грунта и замыаа траншей мелкой фракцией грунта осуществляют поярусно до возведения хвостохранилища на полную высоту Н (фиг.5), В результате формируется противофильтра-, ционный экран 17 с заданными свойствами, способствующий понижению депрессионной поверхности 18, осушению низового откоса и увеличению устойчивости хвостохранилища.П р и м е р. Рассмотрим применение предлагаемого способа на примере возведения хвостохранилища горно-обогатительного комбината. Пульпа со средневзвешенным диаметром хвостовО,12 мм и консистенцией Т;Ж = 1:7 подается на намыв ограждающих сооружений отсека по пульпопроводу диаметром 0,7 мм.Разработка траншей и наращивание вторичных дамб по периметру замываемого отсека осуществляется шагающим экскаватором ЭШ-45 с последующим планированием бульдозером, Высота дамб 7 м, ширина по верху 10 м, заложение откосов 1;1,5, Глубина траншей 8 м. В пульпе ГОКа .содержатся до 307 ь хвостов менее 0,05 мм, т,е. обладающих зкранирующими свойствами. Отбором пульпы из верхних точек сечения потока обеспечивают подачу в траншею хвостов с содержанием до 90 фракции менее 0,05 мм, В процессе возведения ограждающих дамб и замыва траншей сформирован вертикальный экран толщиной Вэк. до 10 м, расположенный на расстоянии 40 - 50 м от низового откоса дамбы. Коэффициент фильтрации экрана Кф 110 м/с. Формула изобретения Способ возведения хвостохранилища с ,противофильтрационным экраном, включающий образование дамб обвалования из ранее намытого грунта и поярусный намыв грунта в пределах вторичных дамб обвалования,отличающийсятем,что,сцелью снижения трудоемкости и стоимости сооружения хвостохранилища за счет упрощения технологии создания противофильтрационного экрана, образование дамб обвалования осуществляют путем разработки грунта траншеями глубиной не менее высоты яруса 5 намыва, причем траншеи располагают параллельно продольной оси вторичных дамб обвалования, вынутый из траншей грунт укладывают в дамбы обвалования, а траншеи замывают мелкими фракциями грунта, обла дающими экранирующими свойствами, приэтом при эамывании траншеи каждого по-, следующего яруса перекрывают траншеи предыдущего яруса.1710657Составитель В. Байдаковедактор И. Шмакова Техред М.Моргентал. КорЭ. Лончаковааз 315 Тираж , ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10