Способ размножения суккулентных растений е. а. ершова

(39) 51)5 А 0169 00 и ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ РАЗМНОЖЕНИЯ СУККУЛЕНТНЫХ РАСТЕНИЙ Е, А. ЕРШОВА(57) Изобретение относится к цветоводству.Цель изобретения - повышение эффективности способа за счет улучшения условийобразования отростков при разведении кактусов. Способ заключается в том, что у размножаемого растения удаляют верхушку иоставляют пенек требуемой высоты. Послевыполнения среза на поверхность среза ибоковую поверхность пенька, прилегающую Изобретение относится к цветоводству.Цель изобретения - повышение эффективности способа за счет улучшения условий образования отростков при разведении кактусов,На фиг, 1-4 представлена последовательность осуществления способа.При осуществлении способа у растения кактуса, выращиваемого в субстрате 1, удаляют верхушку 2, оставляя пенек 3 требуемой высоты (фиг. 1). Затем, сразу же после выполнения среза, на поверхность среза и на боковую поверхность пенька, прилегающую к его срезу, например,с помощью пипетки наносят первый и последующие слои парафина, толщина каждого иэ которых составляет 0,1-0,5 мм, в результате чего образуются плоский участок 4 защитного покрытия, имеющий толщину 0,5 - 1,0 мм, и буртик 5 защитного покрытия, высоту и толщину коток срезу, пипеткои наносят слои параф на толщиной 0,1 - 0,5 мм. В результате формируют плоский участок защитного покрытия толщиной 0.5 - 1,0 мм и защитный буртик высотой 2,0 - 4,0 и толщиной 0,5 - 1,0 мм. Затем формируют сферическую выпуклость на поверхности плоского среза таким образом, чтобы она перекрывала диаметр камбиального кольца по меньшей мере в 1,5 раза и имела высоту, превышающую в 4 - 5 раз толщину покрытия на периферийном участке, то есть 2 - 5 мм. Затем растение устанавливают в условия произрастания для выращивания отростков. Для формирования защитного покрытия используют парафины марок П 2, Пз, В 1 и С. Способ позволяет сократить продолжительность процесса выращивания отростков и увеличить их количество 3 3, п. ф-лы, 4 ил,рого выдерживают соответственно равными 2,0-4,0 и 0,5-1,0 мм (фиг, 2). После этого приступают к формированию сферообраэной выпуклости 6 защитного покрытия (фиг, 3), используя опять же расплавленный парафин и нанося его слоями толщиной 0,1 - 1,0 мм. При этом ее формируют таким образом, чтобы она перекрывала диаметр камбиального кольца 7 растения по меньшей мере в 1,5 раза и имела высоту, превышающую в 4 - 5 раз толщину покрытия на его периферийном участке, то есть 2 - 5 мм. По окончании процесса формирования сферообразной, выпуклости, следовательно защитного покрытия пенька в целом, растение устанавливают на его постоянное место, обеспечивающее наиболее благоприятные условия для выращивания отростков 8 (фиг.4), Дальнейший процесс ухаживания за растением не отличается от известных, Фю (Ь Сд О 3 ъ О ,ОПри осуществлении предлагаемого спо. соба необходимо соблюдать следующие условия,Для формирования антисептическогозащитного покрытия следует использоватьпарафины марок П 2, Пз. В 1 и С (см, ГОСТ23683-79 "Парафины нефтяные твердые,Технические условия"). Другие парафиныимеют высокую хрупкость (Парафин маркиП 1) или высокую температуру плавления(58-62 Спарафин марки ВБ), что недопустимо при реализации предлагаемого способа. Наиболее оптимальным со всех точекзрения представляется использование парафина марки Пз, Все указанные парафиныобладают антисептическими свойствами,что подтверждает целесообразность их использования для формирования защитногопокрытия.. П р и м е р 1, Выращивание отростковна кактусе "Цереус перувианус".После отделения верхушки от стеблякактуса с помощью скальпеля путем выполнения плоского среза на поверхность срезапенька(диаметр 25 мм, высота 50 мм) и наего боковую поверхность, прилегающую ксрезу, пипеткой нанесли расплавленныйпарафин марки С, имеющий температуру45-46 С. В результате образовался первыйслой защитного покрытия, толщина которого 1,0 мм, При этом буртик был сформирован с высотой и толщиной, соответственно4,0 и 1,0 мм.Затем на центральную часть среза пенька, т. е, на камбиальное кольцо, диаметр которого равен 10 мм, и вокруг него налиливторой слой парафина толщиной 1 мм. После отверждения этого слоя парафина нанего последовательно налили еще четыреслоя парафина аналогичной толщины, в результате было сформировано защитное покрытие, имеющее в своей центральнойчасти сферообразную выпуклость диаметром 15,0 мм (превышение диаметра камбиального кольца в 1,5 раза) и высотой 5 мм,то есть в пять раз превышающей толщинупериферийного участка покрытия,После отверждения последнего слояпарафина кактус был установлен на своепостоянное место, обеспечивающее наиболее благоприятные условия для выращивания отростков. Дальнейший процессухаживания за растением не отличался отобычных условий ухода и содержания кактусов, велся обычными методами с использованием как прямого, так и капельногополива.Процесс выращивания отростков наданном кактусе был завершен по истечениитрех недель, 510 30, сферообразную выпуклость диаметром 21,0 мм . (превышение диаметра камбиального кольца в 3 4 недель 50 55 15 20 25 35 40 45 При использовании известного способа процесс выращивания отростков на данном виде кактусов продолжается 1,5 мес.П р и м е р, 2. Выращивание отростков на кактусе"Дискокактус Хорста".После отделения верхушки от стебля кактуса с помощью скальпеля путем выполнения плоского среза на поверхность среза пенька (диаметр 30 мм, высота 10 мм) и на его боковую поверхнссть, прилегающую к срезу, пипеткой нанесли расплавленный парафик марки Пз, имеющий температуру 50- 52 С, В результате образовался первый слой защитного покрытия, толщина которого 0,4 мм, Затем на него был нанесен второй аналогичный слой, в результате толщина покрытия, в том числе и на периферийном его участке, составила 0,8 мм, При этом буртик был сформирован с высотой и толщиной, соответственно равными,",0 и 0,8 мм,Затем на централ ьну о часть среза пенька, то есть на камбиальное кольцо, диаметр которого равен 7 мм, и вокруг него налили третий слой парафина тол иной 0,4 мм. После отверждения этого слоя парафина на него последоватально налили еще семь слоев парафина аналогичной толщины, в результате было сформировано защитное покрытие, имеюшее в центральной части раза) и высотой 3,6 мм, то есть в 4,5 раза превышающей толщину периферийного участка покрытия,После отверждения последнего слоя парафина кактус был установлен на свое постоянное место, обеспечивающее наиболее благоприятные условия для выращивания отростков, Дальнейший процесс ухакивания за растением не отличался от обычных условий ухода и содержания кактусов, велся обычным методом с использованием как прямого,так и капельного полива.Процесс выращивания отростков на данном кактусе был завершен по истечении При использовании известного способапроцесс выращивания отростков на данном виде кактусов не всегда удается, а при благоприятном исходе продолжается 2 мес,П р и м е р 3, Выращивание отростков на кактусе "Мамилопсис сенилис".После отделения верхушки от стебля кактуса с йомощью скальпеля путем выполнения плоского среза на поверхность среза пенька (диаметр 15 мм, высота 30 мм) и на его боковую поверхность, прилегающую к срезу, пипеткой нанесли расплавленный парафин марки В 1, имеющий температуру 53- 54 С, В результате образовался первыйслой защитного покрытия, толщина которого 0,1 мм, Затем на него были нанесены второй, третий, четвертый и пятый аналогичные слои, в результате толщина покрытия, в том числе и на периферийном его участке, составила 0,5 мм, При этом буртик был сформирован высотой и толщиной, соответственно равными 2,0 и 0,5 мм.Затем нэ центральную часть среза пенька, то есть на камбиальное кольцо, диаметр которого равен 2 мм, и вокруг него налили шестой слой парафина толщиной 0,5 мм, После отверждения этого слоя парафина на него последовательна налили еще три слоя парафина аналогичной толщины, в результате было сформировано защитное покрытие, имеющее в центральной части сферообразную выпуклость диаметром 10 мм (превышение диаметра камбиального кольца в 5 раз) и высотой 2,0 мм, то есть в 4 раза превышающей толщину периферийного участка покрытия.После отверждения последнего слоя парафина кактус был установлен на свое постоянное место, обеспечивающее наиболее благоприятные условия для выращивания отростков, Дальнейший процесс ухаживания за растением не отличался от обычных условий ухода и содержания кактусов, велся обычными методами с использованием как прямого, так и капельного полива,Процесс выращивания отростков на данном кактусе был завершен по истечении 2 мес,При использовании известного способа процесс выращивания отростков на данном виде кактусов реализовать не удается.Предлагаемый способ позволяет не только увеличить количество выращиваемых отростков и получать отростки таких видов кактусов, которые известным способом вырастить было невозможно, но и ускоряет образование каллюса на поверхности:.среза, что в свою очередь более чем в двараза сокращает продолжительность процесса выращивания отростков,5 Способ может быть использован привыращивании отростков не только кактусов,но и других суккулентных растений, например Эуфорбия мелоформис.Формула изобретения10 1, Способ размножения суккулентныхрастений, включающий удаление верхушкирастения, нанесение защитного покрытияна поверхность среза оставленного пня, выращивание отростков по периметру среза,15 о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения эффективности способа за счетулучшения условий образования отростковпри разведении кактусов, защитное покрытие выполняют из парафина с т. пл. 45 - 54 С20 с дополнительным нанесением его на боковую поверхность растения, прилегающую ккромке среза, и формированием сферической выпуклости в центральной части срезас диаметром, превышающим диаметр кам 25 биального кольца растения по меньшей мере в 1,5 раза и высотой, превышающей в 4 - 5раз толщину покрытия на периферийномучастке среза30 2.Способпоп.1,отличающийсятем, что защитное покрытие формируют путем послойного нанесения парафина с толщиной слоя 0,1 - 1,0 мм.3, Способ по п.1,отл ича ющийся 35 тем, что толщина защитного покрытия напериферийном участке среза составляет 0,5 - 1,0 мм.4. Способ по и. 1, отл и ча ю щи йс ятем, что защитное покрытие на боковой по-.40 верхности растения, прилегающей к кромкесреза, формируют толщиной 0,5 - 1,0 мм и высотой 2,0 - ,4,0 мм,1 б 39499 и Редактор Е.Харин рректор М.Демч и ГКНТ СССР Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10 акэз 1254 ВНИИПИ Государс Составитель Г.БростюкТехред М,Моргентал Тираж 382 Подписноенного комитета по изобретениям и открыти3035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5