Способ очистки паяных поверхностей и устройство для его осуществления

(51) 4 В 23 К 1/20, 3/О ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ССС ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ еспечение полноты остатков солей бе остност ащитных гически омон е технол универсальности уст осуществляется пост растворителя под да руженную поверхност растворенных загряз ецов О.К.,зделий в машиностроение,тво СС /00, 1 Устроиствог для осущеста содержит коаксиально м вакуумом ления спос расположенные канал подачи. раство(54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ПАЯНЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕС ВЛЕНИЯ(57) Изобретение относится к пайке в частности к способу очимых поверхностей и устройего осуществления, и можепользовано при изготовленв микроэлектронике, электрадиотехнической и полупрпромышленности. Цель изоб ителя и канал отсоса орения с размещенной ластичной мембраной одуктов растнем кольцевойапиллярнымия, электриканалами, блок управленчески связанный с узлами подачи ечиваетссоса растворителя. Обес высокая локальность нан ворителя и полное удале ний на поверхности плат стени ие загряэне беэ нарушеэлементов. ния целостности навесных2 с.п. ф-лы, 1 ил.(56) Козлов 10,С., КузТельнов А.ф, Очистканостроении. - М.: Маши1982, с. 161-162.Авторское свидетелУ 1155390, кл, В 23 К стки паяеФству для т быть исии изделий ронной, оводниковои ретения -удаления флюсов нарушения цеокрытий, повыше- возможностей и ойства. Очистка янной прокачкой лением через заг с удалением ений отсасывани 138995730 Изобретение относится к пайке, в частности к способу очистки микро электронных устройств после пайки и устройству для его осуществления, и может найти применение в микроэлект 5 ронике, электронной, радиотехнической и полупроводниковой промьпиленности.Целью изобретения является обеспе чение полноты удаления флюсов и остатков солей и без нарушения целостности защитных покрытий, повышение технологических возможностей и универсальности устройства. 15Используя высокую химическую растворимость флюсов и продуктов их взаимодействия с припоями в органических растворителях сразу же после пайки и глубокое проникновение растворителей в узкие зазоры и капилляры за счет низкого поверхностного натяжения и подачи его под давлением, обеспечивают удаление флюсовых и солевых загрязнений как с поверхности, 251 так и из узких зазоров и капилЛяров за счет применения вакуумного отсоса, Локальное нанесение растворителя в места пайки позволяет избежать его,воздействия на органические материалы (клеи, лаки, эмали) навесных элементов, что обеспечивает высокую стабильность параметров гибридных интегральных схем (ГМС) и надежность изпелий.ГИС,подлежащие очистке от флюсов и продуктов их взаимодействия сприпоями, паяют с использованием низкотемпературных припоев и спиртосодержащих флюсов. После пайки и охлаждения изделия до комнатной температуры (28 С) в месте пайки .нано" сят непрерывно под давлением органический растворитель со скоростью1-2 мл/с и уделяют продукты хими 45 ческого растворения вакуумным отсасыванием с разрежением 110 -10 мм рт. ст.Качество очистки предварительно контролируют люминесцентным методом с чувствительностью определения 150 х 10 г/см по канифоли, При отсутствии люминесцентного свечения на очищаемой поверхности ГИС подвергают последующему контролю с помощьюспектрофотометра СФ; очищенный ГИС на, сутки помещают в органический растноритель и методом сравнения с исходным чистым растворителем определяют поглощение света в ультрафиолетовой области. По калибровочнойкривой определяют количество остаточных загрязнений на поверхности впересчете на единицу площади ГИС.Чувствительность метода определения1"10 г/см . Целостность органических покРытий навесных элементов контролируют визуально под микроскопомпри 25-кратном увеличении. Электрические параметры навесных элементовконтролируют как непосредственнопосле очистки, так и после храненияв течение 5 сут.П р и м е р 1. Пайка конденсаторов К-17 проводится с флюсомФКСд. На поверхности ГИС имеютсяучастки клея ТК, защитный лакУР. Зазор между конденсатором иплатой 0,05 мм. В .качестве растворителя используют этиловый спирт,Время очистки каждого участка пайки1,5 мин. После очистки мест пайкиданным способом люминесцентным методом загрязнения не обнаружены, наСФ- за пределом чувствительности. Нарушение целостности покрытийиз органических материалов не обнаружено. Уход электрических параметров не наблюдается,П р и м е р е 2. Напайку дросселя ДПМ,2 проводят с флюсом ФКС ,на поверхности ГИС - лак К 0-08,грунт ЭП. Для очистки используют смесь азеотропного состава: хладон - 11396 мас.7., спирт этиловый.Количество остаточных загрязнений1 10 г/см . Электрические параметры без изменений.На чертеже показано устройстводля осуществления способа.Устройство состоит из корпуса 1,внутри которого размещены наконечникс каналом 2 подачи растворителя,кольцевая эластичная мембрана 3 сосквозными капиллярами для отсосапродуктов реакции, электромагнитныеклапаны 4 подачи растворителя и клапан 5 открывания внутренней системы,управляемые с помощью катушки 6,возвратные пружины 7 и соединительные шланги 8. В верхней части устройства размещены электрические клеммы 9 и 10 и штуцеры 11 для подачирастворителя и соединения с вакуумной системой. Устройство электрически через клеммы 9 и 10 соединено сблоком 12 управления, 1389957Устройство работает следующим образом.На блоке 12 управления нажимают на кнопку "Пуск", после чего на обмотку электромагнитного клапана 4 подается напряжение и клапан открывается, растворитель под давлением через канал 2 подачи поступает на очищаемую поверхность, где происходит процесс растворения флюсов, а также жировых и солевых загрязнений. Одновременно с открыванием клапана 4 или с некоторым запаздыванием открывается клапан 5 вакуумной системы и производится вакуумный отсос продуктов реакции до полного их удаления, Режим включения и выключения клапанов подачи растворителя и вакуумного отсоса подбирается экспериментально и задается блоком управления. Сканируя наконечником устройства по поверхности ГИС, производят отсасывание растворенных загрязнений.Использование данного способа и устройства для его осуществления обеспечивает удаление флюсов и продуктов взаимодействия флюсов с припоями (солей) с паяных поверхностей ГИС, количество остаточных загрязнений З 02не превышает 110 г/см, сохранение целостности так электрических параметров, так и защитных покрытий навесных элементов, повышение процента ,выхода и надежности ГИС, возможность проведения процесса очистки изделий непосредственно на монтажном столе сразу после пайки и снижение материалоемкости процесса очистки по используемому растворителю. Формула изобретенияСпособ очистки паяных поверхностей,преимущественно гибридных интегральных схем и плат, включающий промывку поверхностей жидким органическим растворителем или смесью растворителей, о т л и ч а ю щ и й - с я тем, что, с целью обеспечения полноты удаления флюсов и остатков солей без нарушения целостности защитных покрытий, процесс промывки осуществляют постоянной нрокачкой растворителя под давлением через загрязненную поверхность с удалением растворенных загрязнений посредством вакуумного, отсоса.2. Устройство для очистки паяных поверхностей, содержащее резервуар с наконечником, в котором выполнен канал для подачи растворителя, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения технологических возможностей и универсальности устройства, оно снабжено узлом отсоса растворителя, выполненным в виде коаксиально установленной на наконечнике полой насадки с размещенной в ней коаксиальной наконечнику кольцевой эластичной, мембраной со сквозными капиллярными каналами, и блоком управления, электрически связанным с узлами подачи и отсоса растворителя.1389957 7 Составитель Л.АбросимоТехред М.Моргентал Корректор М.Пож Николайчу дак Заказ 259 лис ное комитета ССи открытийская наб., д по 13035, оизводственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Тираж 9Государственнолам изобретенийсква, Ж, Рауш Ф к ь В 4