Система электропитания

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК 9) 111) 1)4 П 02 335 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЧОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ОПИ ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬ ку, Це дежнос ь изооротекя и путем уменьше питания. Систем ержит пентрализ ) 1 постоянного овышени я систе электро ния сод ник (Ц 1 элек ита точ ванный окроусо апряжения битекоторого поцк чены нотр онденсато ых 4, го ополнительныительный источиния с вывопомотношеник ли 6,дополн опи и ик постоянн 13 повышенн ПИ 1. Вклю ин. М.: 4 апряж ог с.с5-3,7. ние уровня конден сатора ить пу вливат ПЕКТРОПИТА ие относит:ИСТ 1,"МА Изобрет умен уста ктро значениемь импульсныез.п, Ф-лы,т быть использ ропитания с це ком постоянног технике и мож окаоме трализоемах элек 1 м источн сист ванн 1 р ил. агруз(56) Мкртчян Ж,А. Электэлектронно-вычислительнЭнергия, 1980, с. 180,Там же, с 128-136,жения при работе на импульс ЗОБРЕТ в систему позволяет ковье токи в цепях ПИ 1,уровень зашиты по токуоответствии со срецни агрузке, уменып т шин питания, 211 забретеи 1 аит ) Гек ;ЕКЗ И МажЕт б:Гт, Ит ", Л:ат,т"темах злектропитдния рл 3.:чцых 01 с к -тов, работающих ат истаГика 3 па(гс(511 ного напряжения11 ЕЛЬ ИЗОб 1)ЕТЕНИя - ГОГ К 1 яеттц( тттзтс, -НОСТИ ПУТЕМ УМЕН,Г(ЕШСЛ Г СОКЬГСков1 а фИГ.ПСЕДСтдЛЕЛ СХЕЗ .т; тс - мы электропитания цл фит- тз.тРИаитЫ СХЕМ СИСТЕМЫ ЗЛЕК" )015 таИ1, И. КЛСГЕГГт; Г Г . Г. С которое пастуле " цлХод 7 цлг 1 узк б и т:а бл. трлцзисарл 11, кот: т)ый РГЛЛС 1 -, б( Г("Г,тЛс ГС "ДЗЛ;коттс ц.;(ц " ; .,;:;,",.",3К;, ;,) 013( Ц; 5Г Е М 1 Л 13 Е .);1 Г; ; Г, " .. ,.тсо С)Г )Е Гост т ас" Тт," т, тс; " Ецт П)т т 1 тт ( " "Г -Гя= .- цат тдтяжт 1 я ст(; т-4 а Гсл С) бКЛЛ ГКс 1 Котаа Г тГ тст,( тК ОбтРМу ВЕ 3 аду 5 .тя .ГСГ:НаГруЗКИ б, ССЕДсЕ 1 аму СщиЫВ ОДОМ 3 ИСТОЧЕИК с 1 ,И Вх О;П 10 й 113 ,.,7 для подключения агрукц б, свя: лц -ЕЕЙ С ВЫХОДНЫМ 131 ОДОМ ИСТОЕ 1 ИКСистема содержит также перый диод :, ;.1И В СПОМОГатЕЛЬНЫй УЗЕЛ Э ЛлО(ЛГ,ченця нагрузки б, ключа (. в себяВТорой (ИОД 1 О Т 1)ЛЕЗИСТС) 1и 1)С:3тор 12, причем первый д 10 8 ката;и)ПОДКЛЮЧЕН К ВХОДНОМт ВЫВОУДЛ 51 ;Юподк,лючения нагрузки, л садамвторой обкладке конденсатора 4 ик змиттеру транзистора 11 через ре.:;Гстор 12, база транзистора Г сс)сзи:, -на с катодом Второо диод; Г (11,источника . . учс так 1;.)те ;1 Йрдз "сЮ ЛЕс 1 Р . т1 т.а 1-Г ис- т 1 ЛЦЛ НИ 51 с: СЗ Р В . С 5 ГГ;ГЗ"с ттс" 5:Сццст с тт.тт"ртЛ трЛЖРИЛ 1 Л зт 1 с ссОХ ттс,В; тс т с 5 Гс КГ,.ЕГ.)Сстк.1.",РГ 1:,Гстат; .; . л "птк( 5 кч т(О;ЕЦСЛЭ ОРСт;С С:Г,: .;ЕС К.т КС КЕвХС., СС М 113 5 Г(С( Э,.Ч.Эх, . т ГМу ЕЗ Ст;зтнсССКЭК рсжтЕ раб". Г:с)Е)13.Лиат Е сссс т) Ис) гс .,цт Г; с з 15 жсзс ),.1 ри прахажтеции т(к" ;1", м" уз,с; ЛЦРЯЗ(ЕЦИС сД 13;т;С т 3;)ЗК; ХОДЕ С т ОЧЦИКЛУ(З т .С Е ТС: т К денс.д". ;р ч с т;л" тцер; и В Г Гзг с 6, ПО ЛЕ ПР(.ХсС 115 1)ГУЛЬ,жстИЕ Л КаДС СЛттрЕ т ГСС Лт-.: ВЛЕтСЯ ГЗЛ с)ЧЕТ ЗСРГИ 1 (Зта ГГ:.с:повыш.ецат з ц(зтрлэс.цт Сст" ЦОДГОТ(ВЛИ:ЗЛЛ СИГС,Г;".;:;:"С; ГтттСЛЕДУЮЩЕ О И У 11 лсое с-,ю ст;: т,адС И(зза ;Г) 3.3 ) - ,5 С ;с с ,с с,КОТОРОГО ПОДК:1 К)ЧЕЦ К ВЫХОДЕОМ ЕЗЬП; - ду 2 источника 1, ко;лсзктс-., тр;цзи. -тора подключен к дана;пи ю льццу зыводу3 источник л 1, пмсюпе га;о Г- шенный уроне напряжения ца ) 13в нию к 13 ыхадцам у 1 ыва:у1 РИ НЕОбХОДИМОСтс: Па;К:ЗЮ:.СЗЦИЯ ЕсагЧОК б (фИ , СИСТЕГ ЭСЗ Ра 1 таНИ 5: СаДЕР;Пт .с ПЕРВЫХ Диана 3 Ц Л ВСПОМОГЛТ 11 ЫХ ".ГГО 3,Л 51 ГК, К 1 С . ни 51 цс ау 3 ки б 1. и ) том 1( с 1 жГтй Вх и еаи вы 130 д 7 для падктюче 1 е 5 с 1 т):31(1 б связан с вХо.цГм зыезо;том .". иста ГГ- ка 1 черн:з соответстГуюн;й трс э",и: .) .Г С. Х,1 ; а .с.Гс,3 С,Г;1(т С Л ":;т,; ,; " (1(- 11ЛГ:сСт: , .. т ,: с" .; ., т, с.- С.таГс:1"З ;б 1 СЧ 1 С. та; 1(11 б и т( )т Г(сс ) с т т ГГ , тИМС т;:ЗЛт 3: С;Р 06 ЗС ПС ЧИГЗЛК.5 Е с;0,1,;ря: сЕ,аа ГИ 1 Гт) ат ГС Г;С, (1:,1, .Рте,:; )л ( 1.5 . 0 с 11-Г Р,: ",: ",:3,.:.тт, ". , " а 1.СС Г " Я 1: -диое.3.В ВарнаТС:. ( ГЗСтЗС:ЭЛС:Кт;с;Пит, ц; ."С 1 НаГ 1)ЗКсМИ Г,фи" .1) ИСЕ ОЛЬ(.3 тсл ". С.5ОДИЕ 1 К ОНДРНСД ТОР и ОДИ 1 В С Г) Г;01 1ТЕЛЬНЫЙ УЗЕЛ 3 дпя Па тКЛЮЧЗця Лру З -ки, при этом диоды цер 1 ых диадсВ Я 55объединены и падключс 1 ы к:з" арой ас; -кладке коц;ецслт)рлСи стс.мл .)лет 1) ац . 1115сб (",ссследующим абра:.;м, 1 1,3 Ы 115 20 ного напряжения Один вывод ко ирогоявляется выходным, а другой общим,конденсатор, одна обкладка которогоподключена к общему выводу для подк:тючения нагрузки, соединенному собщим выводом источника и входной вывод для подключения нагрузки, связанный с выходным выводом источника,о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения надежности путемуменьшения пусковых токов, введеныпервый диод и вспомогательный узелдля подключения нагрузки, включающийв себя второй днод, транзистор и резистор, причем первый диод катодомподсоединен к входному выводу дляподключения нагрузки, а анодом - квторой обкладке конденсатора и к эмитеру транзистора через резистор, база трайзистора соединена с катодомвторого диода, анод которого подклю 1 ов1 вг11 аколлектор транзистора подклк 1 чсн к дополнительному выводу источника, имеющего повышенный уровень напряже - иия по отношению к его вь;ходному выводу,2,Система по п,1, о т . в . и ч а ющ а я с я тем, что, с целью подключения 1 нагрузок, система содержитБ первых диодов, 1 вспомогательныхузлов для подключения нагрузки, приэтом каждый входной вывод для подключения нагрузки связан с выходным выводом источника через соответствующийтретий диод,З,Система по п,1, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью подключения нагрузок, система содержитК первых диодов, при этом аноды первых диодов объединены и подключенык второй обкладке конденсатора,