Электротехническое стекло
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоввтскихСоциалистическихРеспублик(51)М. Кл. СОЗ С 3/04 с присоединением заявки Ле(23) Приоритет 1 Ьаударстеевй каттет СССР ао делам зебаетеий атхрмт(53) УДК 666, .112,93 (088, 8) Дата опубликования описания 09,08,82(54) ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЕ СТЕКЛО 1Изобретение относится к электроннойи радиоэлектронной технике, приборострое.нию и другим областям техники, где испсеп зуются электротехнические стекла вкачестве диэлектрика с низкими значениями диэлектрических потерь и диэлек,трической прониааемости, .Известно стекло 1 следующего состава, вес. %:бфО( 52-54М(0 8-1 1,2мо 5-6 5СОО . 26-27МттО0,1-0,4Т 10 п 0,3 0,8РЕ,10+РЕО 0,1-0,9С)т%03 2 0-2 81,0 1,8. однако указанный состав стекла не обеспечивает получение низких значений днэлектрыческих потерь и диэлектричес, кой щюницаемости.Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому 2.результату является стекло Г 2 3 следующего состава, вес. %:О( 45 58,АС(10 - 12-21МОО 18-325 ВсхО 0,02-3СОО 0,1-3МвО 0,02-3,и,кроме того,Ь (10 0,02-1Т 1 О( Оф 02 ф 0,5Недостатком данного стекла являетсявысокий фактор диэлектрических потерь(38,4-58) 10 4 и низкий КТР (38-46)хк 10 11/оС, не позволяющий получить15согласованные спаи с молибденом и ко: варом,Целью изобретения является снижениефактора диэлектрических потерь и повышение коэффициента термического расширения аПоставленная цель достигается тем,что электротехническое стекло, включающее 10(1, АЙО, М(0, МпО, Ог(0,57,55 62,0 58,4 55,1. 51,4 51,0 619 62,0 51 01 АОО 11,6 9,47 11,5 12,7 13,0 14,0 7,0 29,0 26,4 28,0 30,0 31,6 32,0 28,0 11,0 25,0 1,01 0,01 2,0 1 пО 1,2 2,0 0,1 06 0,5 0,8 0,5 0,6 0,2 0,4 0,07 0,01 Сг 0 1,0 2,0 0,01 .2,0 01 005 17 1,29 0,20 МоО Т 1 Ог 1 Гангенс угла диэлектрических потерь, ЯсФ 1 04 дри 1 = 310 ГцДиэлектрическая проницаемость, Я0,2 0,19 0,08 0,05 0,01 0,1 0,1 1,0 3,0 2,0 4,6 4,0 3,0 4,0 5,0 567 562 576 51 55 58 50 54 61 62 65 50 57 52 56 54 КТР.10 1 С Температура варки,оС фактор диэлектрических потерь ЬсприЕ 3.16 Гц 1550 1570 1550 1550 1550 1580 1560 1580 5,67 17 11,5 23,5 .22 17,4 20 27 3 9Т 1 Ог дополнительно содержит 1 о О приследующем соотношении компонентов,вес, %: 5 0,1 51-62 АЕ О 7-14 80 25-32 МОО 0,01-2,0 Сгн О 0,01-0,8 Т бг 0,0 1-0,2 00 0,0 1-2,0,Введение добавки 2 пО в предложенный состав стекла стимулирует получение наиболее высоких диэлектрвческих свойств.В таблице представлены составы предпагаемйх стекол и их некоторые жзнко-химические свойства. Состав стекла обеспечивает воэможность варки, пайки и эксплуатации иэделий в условиях восстановительной среды. Коэффициент термического расширения, стекла согласован с металлами - коваром и молибденом. Приготовленную шихту обжигают на воздухе (на спек) до 4891441100 оС с выдержкой при этой температуре 1 ч, Затем шнхту загружают в молибденовые лодочки. Варку стекла осущес;являют в водородной среде при тем пературе 1550-1580 о в течение 1-2 ч.После варки стекло резко охлаждают,измельчают до удельной поверхности(4-6) -10 смог и формуют изделия пометодам, известным в порошковой техноло 1 о гииг Готовые иэделия обжигают до 1200 Ь.,Иэделия могут изготовляться и по стекольной технологии. В области сверхвысоких частот заявляемое стекло имеет (лв 25 раз более низкие значения диэлек 15 трических потерь и диэлектрическую проницаемость в пределах 5,1-5,7,фактор диэлектрических потерь1 с а. 10) у предлагаемого стекла более низкий, а КТР - более высокий,2 о чем у известного, что позволяет получать спаи с молибденом и коваром.Изоляторы, изготовленные из заявляемого стекла могут быть использованыдпя уменьшения паразитных емкостей не 25 юторых изделий.
СмотретьЗаявка
3230343, 12.11.1980
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1067
ШАПИРО ГЕНРИЕТТА МИРОНОВНА, ПУЗЫРЕВ ЭДУАРД ИГОРЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: C03C 3/04
Метки: стекло, электротехническое
Опубликовано: 07.08.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-948914-ehlektrotekhnicheskoe-steklo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Электротехническое стекло</a>