Магнитно-транзисторный ключ

ОП ИСАНИ Е,921085ИЗОБРЕТЕНИЯН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сфюв СоветскикСфциалистмческиаРеслублик(51) М. Кл. с присоединением заявки йв -(23) Приоритет Н 03 К 17/60 ЭВ 3 арстюееыб кввпет ьИР вв юан вэаврвтевкй в вткрытвяДата опубликования описания 16:04.82 В. А. Цишевский, Н, Н. Лаптев М. П. Завьялов( .1(54) МАГНИТНО-ТРАНЗИСТОРНЬЙ КЛЮЧ Изобретение относится к импульс.ной технике и может быть использова. но, в частности в качестве силовых ключей при создании различных устройств коммутации и формирования импульсов.Известен магнитно-транзисторный ключ, содержащий силовой и вспомогательный транзисторы и трансформатор тока 11.Однако известное устройство не от 1 О личается достаточно высокими динамическими характеристиками, так как иэ-за измерения нагрузки меняется степень насыщения силового трансформатора, что влияет и на временные15 параметры.Наиболее близким к изобретению по технической сущности является магнитно-транзисторный ключ, содержащий20 силовой и вспомогательный транзисторы и трансформатор тока, первичная обмотка которого включена последовательно в коллекторную цепь силового транзистора, вторичная встречно-с первичной между коллекторами силового и вспомогательного транзисторов, база вспомогательного транзистора через источник управляющих импульсов соединена с эмиттером силового транзистора, база которого соединена с эмиттером вспомогательного транзистора, дополнительную обмотку трансформатора, диод и резистор 23,Цель изобретения в улучшение динамических характеристик.Для достижения этой цели в магнитноо-транзисторный ключ, содержащий силовой и вспомогательный транзисторы и трансформатор тока, первичная обмотка которого включена последов- тельно в коллекторную цепь силового транзистора, вторичйря - встречно с первичной между коллекторами силового и вспомОгательного транапс - торов, база вспомогательного ран 1 - тора через источники управляющих92108 импульсов соединена е эмиттеромсилового. транзистора, база которого .соединена с эмиттером вспомогательного транзистора, дополнительную обмотку, диод и резистор, введены дополнительный транзистор, и диод,причем дополнительная обмотка транс,форматора тока соединена одним выводом с коллектором вспомогательноготранзистора согласно со.вторичной об.10моткой, другим выводом - через диодс коплектором дополнительного транзис.тора, эмиттер которого соединен сколлектором силового транзистора, абаза через дополнительный диод - с 1 Юбазой вспомогательного транзистораи через резистор - с коллекторомсилового транзистора:На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.Транзисторный ключ содержит основной 1 и вспомогательный 2 ъранаисторы, токовый трансформатор З,спервичной 4, вторичной 5 и дополнительной 6 обмотками. Входсоставного транзистора 7 подклюиен черезрезистор 8 к источнику 9 сигналовуправления, Дополнительный транзистор 10 и первый диод 11 образуют30замкнутый контур с обмотками 5 и 6трансформатора 3, Базы транзисторов 10 и 2 соединены через второй диод 12. Резистор 13 обеспечивает режимвключения транзистора 10 а диод 14 -13защиту от повьппения напряжения наобмотках токового трансформатбра 3при включении транзисторов 1 и 2.Во внешнюю цепь транзисторный ключ 1подключается с помощью зажимов 15и 16.При появлении на выходе источника 9 напряжения с положительной по лярностью транзисторы 2 и 1 включаются и через коллекторную цепь составг ффного транзистора 7 протекает ток внаправлении, указанном стрелкой, Этотток, протекая через первичную обмотку 4 токового трансформатора 3, обеспечивает через обмотку 5 и вспомога- З 0тельный транзистор.2 режим насыщения транзистора 1. При этом, еслитранзистор 10 включен, то глубина насыщения транзистора 1 определяетсяотношением коэффициента трансформа- Иции между обмотками 5 и 4 и фактическим коэффициентом усиления транзистора 1 в конкретном режиме. Глу 5 фбина насьпцения транзистора 1 фиксируется с помощью измерения напряжения на база-коллекторном переходе, которое, суммируясь с напряжением база-эмиттерного перехода транзйстора 2, сравнивается с суммой падений напряжений на .диоде 12 и бачаэмиттерном переходе транзистора 10.Протекание тока в контуре , база-коллекторный переход транзистора 1, эмиттер-базовый переход транзистора 2 диод 12, база-эмиттерный переход транзистора 10, вызывает отпирание транзистора 10 и протекание тока по контуру : обмотка, 5, обмотка 6, диод 11, транзистор 10. Ток коллектора транзистора 10 вычитается из тока обмотки 5, поступающего в базу транзистора 1, стабилизируя глубину насьпцения последнего. Дополнительная обмотка 6 необходима для компенсации начального падения напряжения на диоде 11 и транзисторе 10.Таким образом, введение дополнительного ключа,. диодов и дополнительной обмотки в схему транзисторного ключа стабилизирует глубинуего насыщения и тем самым улучшает его динамические характеристики, что позволяет применять его в широком диапазоне частот коммутации,формулаизобретенияМагнитно-транзисторный ключ, содержащий силовой и вспомогательный транзисторы и трансформатор тока, первичная обмотка которого включена последовательно в коллекторную цепь силового транзистора, вторичная - встречно с первичной между коллекторами силового и вспомогательного транзисторов, база дополнительного транзистора через источники управляющих импульсов соединена с эмиттером силового трансформатора, база которого соединена с эмиттером вспомогательного транзистора, дополнительную обмотку, диод и резистор, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения динамических характеристик, в ключ введены дополнительный транзистор и диод, причем дополнительная обмотка ч рансформапора тока соединена одним выводом с коллектором вспомогательного транзистора согЛасно с вторичной обмоткой , другим выводом - через диод921085 Составитель Л.,Багянесочный Техред М.Гергель ректор О. Билакедакто Подписноеомитета СССРи открытий,уюская наб., д. 4/ Тираж 954 сударственного лам изобретений осква, Ж, Ра аказ 2380/74 ВНФилиал ППП "Патент", г. Ужгорс)д, ул. Проектная, 4 с коллектором дополнительного транзистора, эмиттер которого соединенс коллектором силового транзистораа база через дополнительный, диод - сбазой вспомогательного транзистораи через резисторс коллектором силового транзистора,бИсточники информации,принятые во внимание при экспертизе.), Авторское свидетедьство СССР9 318462, кл. Н 03 К 7/60, 19692. Авторское свидетельство СССРВ 222462, кл. Н 03 К 6/02, 9 И