Способ формирования изображения на термопластическом носителе

Союз Советских Социалистических Республик(61) Дополт 1 цтельцое к ав (22) Заявлено 18.10.76 (2 сВил.пу -5) М. (.С 03 С 13/18 24 2810/28-12 с присоединением за 11 вкц,"е Гасударственный комитет Совета Миннстроа СССР оо делам нзобретений н открытий45) Дата опубликования оиисаниц 10,11,7 72) Авторы изобретен А. Пасечник В, И, Булгаков ц В, И. Павлов(54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИ НА ТЕРМОЧЛАСТИЧЕСКОМ НОСИТЕЛЕ 2 Изобретение относится к области приборостроения, а именно к области фототер мической записи цв термопластический но. си гельИзвестен способ фототермопластической записи, заключающийся в формировв нии скрытого электростатического изображения на термопластическом носителе путем подключения пульсирующего напряжения между проводящим слоем носителя и фотополупроводниковой пластиной, находя О шейся в механическом контакте с носителем, экспонирования с одновременной подачей напряжения противоположной полярности и последующего появления электростатического изображения нагревом 1) . 15Недостаток этого способа заключается в неравномерности фона получаемых изображений.11 елью изобретения является повышение равномерности фона получаемых изоб ражений,Эта цель достигается тем, что одновременно с отводом фотополупроводниковой пластины от термопластического носителя риложеццое постоянное напряжение снижают до 600-1000 в и отделение осуществляют прц этом напряжении. На чертеже изображен график зависимости пробойного напряжения от величинывоздушного зазора, нв которомдоз я 31 з - величины зазора, ваЦ пр т ИУнр, - пробойное цвпряжеццеП р и м е р. Термопластический носигель состоит из основы (лавсаца толщиной 50-100 мкм), нанесенного нв цеепрозрачного проводящего слоя (хром),йимеющего сопротивление 10" ом/см, цтермопластического слоя толщиной 7 мкм,фотополупроводццковая пластина состоитиз металлической подложки (дуралюмиций)и фотополупроводникового слоя (селецидмышьяка) толщиной 15 мкм. Проявлениеосуществляется в проявляющем устройстве, состоящем из проявляющего элемента(пластина слюды со слоем 5 т 1 0 ) ц импульсного источника питания,В исходном положении фотополу.проводниковвя пластина отведена от термоплас631858 20 тического носителя и напряжение записи на систему не подается.Процесс записи происходит следующим образом.Между термопластическим носителем и 5 фотополупроводниковой пластиной прикладывают постоянное напряжение 1500 в, подводят последнюю к термопластическому носителю и производят экспозицию (на фотополупроводниковую пластину прое.-10 цируют равномерный белый фон через дифракционную рещетку с частотой 25 лин/мм) Время экспозиции составляет 1 с (для чего соответствующим образом выбирают освещенность). По окончании экспозиции переключают напряжение с 1500 в на 800 в и сразу же отводят пластину под действием этого напряжения. Сформированное таким образом на термопластическом носите ле скрытое электростатическое изображе ние проявляют в проявляющем устройстве,Формула изобретения Способ формирования изображения на термодластическом носителе путем приклаБ дывания между термопластическим носителем и фотополупроводниковой пластиной постоянного напряжения, подвода пластины к носителю, экспонирования, отвода фото- полупроводниковой пластины и проявления, ю о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения равномерности фона полуЦля определения целесообразности использования предлагаемого способа и его полезности производилось сравнение качества изображений, получаемых при исполь зовании известного способа записи, и предложенного. Пля этого производилось получение изображения.по способу, при котором подвод, экспонирование и отвод фото- полупроводниковой пластины осуществлялись при одном напряжении 1500 в. Фото- полупроводниковая пластина, термопластический носитель и экспозиция были при этом такими же самыми. После проявления изображений на микроинтерферометре Линника (МИИ) про-, изводились измерения глубины микродеформаций, из которых состояли изображения.Результаты сравнения двух способов записи приведены в нижеследующей табли, це. чаемых изображений, одновременно с отводом фотополупроводниковой пластины оттермопластического носителя приложенноепостоянное напряжение снижают до 6001000 в и отделение осуществляют приэтом напряжении. Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе:1. Патент США % 3214272, кл.96-1, 1965Составитель Г. Бежанов Редактор Г. Кузьмина Техред 3, Фанта Корректор Н. Ковалева Заказ 6339/45 Тираж 522 ПодписноеПНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раущская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4