416820

ОП ИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 436820 Союз Соввква Ссциалистицеских РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 10.7,1971 ( 1654961/18-10) М. Кл. Н 031 3/20 с присоединением заявки-ПриоритетОпубликовано 25,111974. Бюллетень,А 7Дата опубликованпя описания 22 Л 1.1974 Государственный комитет Совета Министров СССР аа делам изобретенийи открытийН. С. Голиусов и М. Г. Беядовский Заявитель МОСТОВОЙ УСИЛИТЕЛЪ МОЩНОСТИ Изобретение относится к электронным усилителям и может быть использовано в качестве мощного выходного бестрансформаторного каскада усилителя низкой часто 1 ы с широтно-импульсной модуляцией,В известных мостовых усилителях, содержащих два входных транзистора, а в каждом плече - силовой транзистор, управляю.ций транзистор, подключенный к электродам база - коллеито 1 р и дополнительный транзистор, подключенный к электродам база - эмиттер силового транзистора, включение дополнительных транзисторов в паре плеч отстает от в.включения силовых транзисторов в той же па ре плеч, что снижает быстродействие устройства.С целью повышения быстродействия усилителя в него вводятся два дополнительных входных транзистора, коллекторные нагрузки которых подключены через резистивные делители к базам дополнительных транзисторов, коллекторы к базам управляющих транзисторов.На фиг. 1 и 2 изображена схема описываемого мостового усилителя мощности,Он собран . а четырех силовых транзисторах 1 - 4 одного типа проводимости, при этом транзисторы 1 и 4 включены ото схеме с общим коллектором, а транзисторы 3 и 4 - по схеме с общим эмиттером. В цепи базаколлектор силовых транзисторов подключены управляющие транзисторы 5 - 8, а в цепи база - эмиттер - дополнительные транзисторы 9 - 12,Открытое состояние транзисторов 1 - 4 обес печивается протеканием тока через входныетр анзи сто ры 13 - 16. Управляющие тр анзисторы 5 и 6 имеют проводимость обратную по отношению к проводимости силовых транзисторов.10 На резисторах 17 - 20 собоаны резистивныеделители, а на резисторах 21 - 28 - коллекторные нагрузки входных транзисторов. Диоды 29 - 32 защищают силовые транзисторы 1 - 4 от перенапряжения при включении активно индуктивной нагрузки 33, 34.Полная схема усилителя состоит из двухсимметричных и работающих независимо друг от друга отдельных частей схемы, включающих в себя соответствснно транзисторы чет ных и нечетных позиций.Управляющий транзистор 5 возбуждаетсяодновременно с дополнительным транзистором 11 от одного входного транзистора 13, а транзистор 7 возбуждается одновременно с 25 транзистором 9 от входного транзистора 15.Резистивный делитель 17, 19 через которыйпитается база транзистора 9, подключен с одной стороны к общей точке включения транзисторов 1 и 3, а с другой стороны - к 30 средней точке резистивной коллекторной на10 15 20 25 30 35 40 45 3грузки 21, 23 транзистора 15, к коллектору последнего непосредственно подключена база транзистора 7. Таким образом резисторы 17 и 19 включены в диагональ мостовой схемы, плечами которой являются силовые транзйсторы 1 и 3 и резисторы 21 и 23, Транзистор 15 включен в плечо этого моста вместе с резистором 21. При переключении транзисторов 15, 1 и 3 через диагональ мостовой схемы протекает ток в одном или другом направлении, переключая транзистор 9 так, что в одном состоянии он насыщен, а в другом заперт.Когда входной транзистор 13 выключен, то выключены и транзисторы 15, 5, 1 и 11, При выключенном транзисторе 15 включены транзисторы 3 и 7, в этом случае протекает ток через открытый транзистор 3 и резисторы 23, 17 и 9 в таком направлении, что транзистор 9,включен. Копда входной транзистор 13 включен входным управляющим сигналом, то включены транзисторы 1, 5 11 и 15. При включенном транзисторе 15 транзисторы 3 и 7 выключены. Через открытые транзисторы 15 и 1, а также через резисторы 21, 17 и 19 протекает ток в таком направлении, что транзистор 9 выключен,Полная схема импульсного усилителя работает следующим образом, В исходном состоянии управляющие сигналы отсутствуют на обоих, входах А и Б схемы. При этом транзисторы 13 - 16, 5, 6, 1, 2, 11 и 12 выключены, а транзисторы 7, 8, 3, 4, 9 и 10 включены, Индуктивная нагрузка 33, 34 импульсного усилителя замкнута через открытые силовые транзисторы 3 и 4. При подаче управляющего сигнала па один из входов схемы, например на вход Б, открываются транзисторы 14, 16, 6, 2 и 12, а транзисторы 8, 4 и 10 закрываются. Состояние транзисторов нечетных позиций остается неизменным.В результате этого ток нагрузки протекает через открытые силовые транзисторы 2 и 3, По окончании управляющего сигнала на входе Б транзистор 14 выключается, а вместе с ним выключаются транзисторы6, 6, 2 и 12, а транзисторы 8, 4 и 10 включаются. При этом нагрузка 33, 34 снова оказывается замкнутой через открытые транзисторы 3 и 4, Тем самым осуществляется безразрывная коммутация индуктивно-активной нагрузки 33, 34.При подаче управляющего сигнала на вход А ток нагрузки течет в обратном направлении,В данной схеме импульсного усилителя мощности управления входными транзисторами осуществляется в фазе со стороны соответствующих входов, База транзистора 15 подключена через резистор 35 к резистору 36, стоящему в цепи эмиттера транзистора 13, а база транзистора 16 подключена через резистор 37 к резистору 38, стоящему в эмиттере транзистора 14,Условие возбуждения транзисторов 13, 5 и 14, 16 в фазе может выполняться и при подключении транзистора 15 через резистор 35 к базе транзистора 13, а базы транзистора 6 через резистор 37 - к базе транзистора 14. Описьгваемая схема обеспечивает три состояния цепи нагрузкиУп = +гпит н = пит 1 н = О), поэтому она может раоотать как во втором, так и в третьем импульсном режиме, При помощи данного мостового усилителя можно реализовать как однотактную, так и двухтактную широтно-импульсную модуляцию при безразличной коммутации цепи нагрузки. Предмет изобретенияМостовой усилитель мощности, содержащий входные транзисторы и резистивные делители, а в каждом из плеч - силовой транзистор, управляющий и дополнительный транзисторы, подключенные соответственно к электродам база - колектор и база - эмиттер силового транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, он снабжен двумя дополнительными входными транзисторами, при этом их коллекторные нагрузки подключены через резистивные делители к базам дополнительных транзисторов одной пары плеч, а коллекторы - к базам управляющих транзисторов другой пары плеч.Заказ 1453/5ЦНИ одписио в ССС ипография, пр. Сапунова Изд506Государственного ко по делам изобре Москва, Ж, Ра Тира итета Совета тепй и откры шская наб., д.