374971

Номер патента: 1260775

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Жиромский, Медведев

МПК: G01N 21/47

Метки: вещества, коэффициента, носителях, поглощения, светорассеивающих

...яют по формуле Резуль мула и з о б р е т е н и еленйя коэффициента ства на. светорассеи х, включающий изме- потоков, прошедших о пос Огло я вещ вающих носител рение световых 07 1 " 1 п,12Изобретение относится к оптическим измерениям коэффициента поглощения веществ, адсорбированных свето- рассеивающими носителями, хроматографической бумагой, тонкими слоями силикагеля или целлюлозы, и может быть использовано при определении количества вещества на хроматограммах, а также при регистрации спектров поглощения веществ, адсорбированных светорассеивающими носителями. Количественное измерение веществ и их спектров поглощения широко используется при биохимических исследова" ниях, в фармацевтической промьппленности, полиграфии, текстильной...

Номер патента: 1807362

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Зиновьев, Смотрицкий, Старостин

МПК: G01N 25/18

Метки: веществ, коэффициента, температуропроводности

...предлагаемым способом для образца толщиной 2 мм составляет 3Ла 2 Ло 2 Ау где лр, = лР д) "(А-Д)- абсолотная погрешность определения величины р,дик д Рк- " и к- -производных зависимости д с дпо аргументам р, и А соответственно;Л р, - абсолютная погрешность определения фазы сигнала (была принятой 1, как и в и ро тоти и е);ЛА - абсолютная погрешность определения отношения амплитуд сигналов =0,05 (для наихудшего случая); Лук =(1,1 18)+(0,05 г,г) =210 Подставляются в расчетную формулу для погрешностей следующие значения величин: о= 2 мм. рз = 120 О, ус = 109,6 О, А = =1,77, рк = 150 О, а = 5,0 м /с, ак = 2,5 м /с, определяется относительная погрешностьопределения коэффициента температуропроводности предлагаемым способом:а г 001+ г 2,1 ооз П р...

Номер патента: 1408325

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Василькивский, Пистун, Рогоцкий

МПК: G01N 25/18

Метки: веществ, коэффициента, теплопроводности

...образца 3 для уменьшения влияния на точность измеренийконтактных сопротивлений заполняютсяысокотеплопроводной замазкой. Послеподготовки устройства к работе вклю 55ахают источники 1 и приемники 2 теплаЭ цепи соответствующих источниковэнергии. При этом тепломеры регистрируют тепловые потоки, проходящие от источников тепла вдоль осей.исследуемого 3 и эталонного 4 образцов. С помощью сопротивления 17 регулируются температуры источников 1 тепла до тех пор, пока величины тепловых потоков при стационарном режиме теплопередачи не станут равны между собой. Затем перемещают теплоизоляционный цилиндр 7 относительно источника 1 и приемника 2 тепла, скрепленных между собой связью 8, до тех пор, пока показания вторичного прибора 1) не станут...

Номер патента: 1805438

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Бурцев, Коротков, Попов, Третьяков, Хикматов

МПК: G02F 1/035

Метки: излучения, импульсной, коэффициента, модуляции, оптического, отражения

...35простые методы генерации ИК-импульсов вдиапазоне не10 с. Как уже отмечалось,изменение величины и от 1 до 0,96 приводитк росту В от 10 до 100%. При росте пг от 0,96до 1 получаем противоположное изменение 40В (угол падения луча на границу раздела вэтом случае устанавливается 0 = 43,68 ).Для частоты оптицеского излучения, попадающей в красное (низкочастотное) крыло полось 1 молекулярного поглощения, 45колебательное возбуждение приводит к более сложной относительности случая высокочастотной накачки зависимости ПП газа от степени возбуждения, а следовательно, и времени, В этом случае наблюдается резкая смена знака разности (пг), Таким образом,показатель преломления в расчете на 1 атмЯЕ 6 падает от 1,03 до 0,95 с последующим далее...

Номер патента: 269623

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Братчиков

МПК: G06G 7/32

Метки: алгебраических, весовых, задания, коэффициентов, линейных, моделях, уравнений

...го Выражения (1) и (2) справедливы при ус- г 5ловиигуэп 7 оп = сп2. Полевой транзистор с р-каналом, Сэр 0:2) и)О, ,р= - К, - (С - Ц) и,ЗО- 1 с 71)О (3)б)(0 ,(з, )-- и 1(о (4)Выражения (3) и (4) справедливы при условиизр с-с ор - -асср40где1 сэфф зпи - рЛггФ1 гзфф - подвижность носителей в канале;з - диэлектрическая проницаемость изолятора под затвором;К - ширина канала;У. - длина канала;гг - толшина изолирующего слоя под затвором;(.гб - пороговое напряжение.Общая вольт-амперная характеристика включенных параллельно двух полевых транзисторов с и- и р-каналом (кривая 1) описывается выражениями:551. Для Ьс)О сложением формул (1) и (3)с общ - ссп+ ср с общ - И (с-з с о) .гс (5)2. Для ".с(0 сложением формул (2) и (4);1 собщ: гоп+ ср гс...