Дискретный фазовращатель

г1 ОП И САНИ Е И 3 О Б В Е т-Е Н-ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 364075 Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 26.Ч 11.1971 ( 1688431/26с присоединением заявкиН 031 т 7/1 иоритет Комитет по делам изоорвтений и открыти при Совете Министров СССРвторыобретения С, С. Каринский и В. В. Зелени аявитель СКРЕТНЫЙ фАЗОВРАЩАТЕЛЬ Изобретение относится к радиотехнике иможет быть использовано в различных устройствах, например в антенных системах сфазо-фазовым сканированием диаграммы направленности, в согласованных фильтрах сжатия фазоманипулированных сигналов и других.Известные дискретные фазовращатели, выполненные в виде пьезоэлектрической линиизадержки упругих поверхностных волн (УПВ), 10на которой расположены излучающий и приемные преобразователи, не обеспечивают высокой точности установки фазового сдвигамежду излучающим и парциальными приемными преобразователями, расположенными на 15одном и том же расстоянии от излучающегоДля устранения указанного недостатка наповерхность пьезоэлектрического кристаллапредлагаемого фазовращателя нанесена тонкая металлическая пленка ступенчатой формы, причем шаг ступени соответствует необходимому дискрету по фазе,При использовании единого приемного преобразователя между ним и металлическойпленкой ступенчатой формы наносится полупроводниковая пленка, на одной стороне которой расположен общий омический контакт,а на другой - набор парциальных омическихконтактов, подключенных к источнику управляющих сигналов. 30 На фиг, 1 схематически изображен предлагаемый дискретный фазовращатель с единым приемным преобразователем; на фиг. 2 - то же, с парциальными приемными преобразователями.На пьезоэлектрическом кристалле (пластине) 1 нанесено тонкое металлическое покрытие 2 ступенчатой формы с й ступеней, причем шаг ступени Л 1 соответствует необходимому дискрету по фазе. На краях кристалла (пластины) 1 расположены входной 3 и выходной 4 решетчатые преобразователи для возбуждения и приема УПВ. Для поглощения УПВ, отраженных от краев кристалла, используются поглотители б.В центральной части кристалла 1 нанесена полупроводниковая эпитаксиальная секционированная пленка б, с которой контактируют один общий высоковольтный электрод 7 и система раздельных высоковольтных электродов 8, предназначенных для подачи на каждую из секций (а, Ь, й - 1, й) пленки б управляющего напряжения Е;. Для подключения дискретного фазовращателя к внешним электрическим цепям используются металлические контактные клеммы 9.Для вывода одной из Й парциальных волн, имеющей необходимый фазовый сдвиг, в фазовращателе с единым приемным преобразователем используется стробирование, основаннос на эффекте электронного усиления или затухания УГ 1 В в полупроводниковом пленочном покрытии при внешней коммутации управляющего напряжения Е, по знаку (см, фиг. 1).При подаче на входные клеммы электрического сигнала частоты , входной преобразователь 3, выполненный в виде решетки полу- волновых акустических излучателей, расположенных с шагом= г - гЛгде Х - длина волны с частотой ,;г.г - скорость упругой волны, возбуждает в пьезоэлектрическом кристалле 1 упругую волну, которая, проходя через ступенчатое металлическое покрытие 2, расщепляется на Й парциальных упругих волн, получающих свои строго определенные фазовые сдвиги.Распространяясь по полупроводниковому пленочному покрытию, упругая волна усиливается за счет отбора энергии от дрейфующих со сверхзвуковой скоростью в полупроводнике носителей заряда при подключении в этот момент к высоковольтному электроду управляющего напряжения Е, со знаком, соответствующим усилению УПВ, Усиленная парциальная ультразвуковая волна поступает на приемный встречпоштыревой преобразователь 4, который преобразует энергию упругого механического колебания в энергию электрического сигнала, снимаемого с контактных клемм 9,Фазовращатель с /г парциальными приемпы ми преобразователя ми (см. фиг. 2) работает аналогичным образом, только парциальные упругие волны без усиления или ослабления принимаются приемными преобразователями, а выбор нужной фазы производится путем коммутации электрических сигналов внешними электронными ключами.10 Предмет изобретения1. Дискретный фазовращатель, выполненный в виде пьезоэлектрической линии задержки упругих поверхностных волн, на которойрасположены излучающий и приемные преоб 1 разователи, отличающийся тем, что, с цельюобеспечения высокой точности установки фазового сдвига между излучающим и парциальными приемными преобразователями, расположенными на одном и том же расстоянииот излучающего, на поверхность пьезоэлектрического кристалла нанесена тонкая металлическая пленка ступенчатой формы, причемшаг ступени соответствует необходимому дискрету по фазе,2. Дискретный фазовращатель по п. 1, от гичающийся тем, что между единым приемнымпреобразователем и металлической пленкойступенчатой формы нанесена полупроводниковая эпитаксиальная секционированная пленка,ЗО на одной стороне которой расположен общийомический контакт, а на другой - набор парциальных омических контактов, подключенныхк источнику управляющих сигналов.364075 Редактор Г. Котельский Заказ 232/16 Изд.1087 Тираж 404 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 Составитель Ю. Еркин Техред Т. Миронова Корректоры: А. Дзесова н Н, Прокуратова