Мостовой усилитель

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 32004 Союз Советскиз Социалистических Республикависимое от авт. свидетельс1431841/26-9) МПК Н 031 3/20 Заявлено 14.1 Ч.197с присоединением зПриоритетОпубликовано 02.Х вкиКомитет по репам зобретений и открытий.1971. Бтоллетеньзете Министров СССР та опубликования описания 27.1.197 АвторыизобретенияЗаявитель С. Голиусов, М. Г. Беядовский и Ю. Н, Преображенский ОСТОВОЙ УСИЛИТЕ к области электрон.ости к мостовым усииспользовано в качео бестрансформаторнизкой частоты с шицией,устройство, содержаовой трансформатор, с коллектором или яющего тр а из истор а. Устройство относитсяных усилителей, в частнлителям и может бытьстве мощного выходногного каскада усилителяротно-импульсной модуляИзвестно аналогичноещее в каждом плече силбаза которого связанаэмиттером своего управл Однако такое устройство характеризуется невысоким к. п. д. и недостаточной надежностью срабатывания в широком температурном диапазоне.Описываемое устройство отличается от известного тем, что в нем каждое плечо выполнено с дополнительным транзистором, при этом в одной паре плеч базы последних связаны между собой посредством резисторов, а их коллекторы подключены к базам силовых транзисторов, в другой паре плеч каждый из дополнительных транзисторов одного плеча связан с базой управляющего транзистора другого плеча посредством соответствующего резистора, а их коллекторы также подключены к базам своих силовых транзисторов. Это позволяет повысить к.п.д, и надежность срабатывания устройства в широком температурном диапазоне,На чертеже изображена принципиальнаясхема устройства.Устройство собрано по мостовой схеме начетырех силовых транзисторах 1 - 4 одного 5 типа проводимости, два из которых 1, 2 включены по схеме с общим коллектором, а два других 8, 4 - по схеме с общим эмиттером.Включение силовых транзисторов 1 - 4 осуществляется замыканием цепей база - кол лектор этих транзисторов через открытые управляющие транзисторы 5 - 8, два из которых 5, 6 имеют обратную проводимость по отношению к проводимости силовых транзисторов, а два других 7, 8 - такую же, как и проводи.15 мость силовых транзисторов.Открытое состояние управляющих транзисторов 5 - 8 обеспечивается протеканием тока через поочередно открытые входные транзисторы 9, 10 и резисторы 11 - 16, два из кото рых 18, 14 имеют высокоомное сопротивление(они определяют величину этого тока), а остальные резисторы 11, 12, 15, 16 - низкоомные.Управляющие транзисторы 5 - 8 включены 25 но схеме с общим эмиттером, что позволяетбез применения опорных источников смещення перевести их в состояние насыщения, ко.торое характеризуется равенством потенциалов база-коллектор и тем самым обеспечить 30 широкие условия близкие к граничному дляоткрывания ненасыщенных силовых транзисторов,Ьо включенном состоянии одновременно находятся два диагонально расположенных силовых транзистора 1, 4 или 2, 3, а вторые два транзистора выключены. Выключение силовых транзисторов 1, 4 или 2, д осуществляется выключением управляющих транзисторов 5, 8 или 6, 7, размыкающих питание базовых цепей силовых транзисторов.Цепи база - эмиттер выключенных управляю щих транзисторов 5, 6 замкнуты через низкоомные резисторы 11, 12, которые включены в коллекторные цепи входных транзисторов 9, 10. Во время выключенного состояния управляющих транзисторов 7, 8 их цепи база-эмиттер замкнуты через низкоомные резисторы 15, 1 Ь, которые включены в эмиттерные цепи входных транзисторов 9, 10.К цепям база - эмиттер силовых транзисторов- 4 подключены цепи коллектор - эмиттер дополнительных транзисторов 17 - 20 такого же типа проводимости, как проводимость силовых транзисторов. Цепи база - эмиттер дополнительных транзисторов 17, И подключены к низкоомным резисторам 21, 22 соответственно, а между базами транзисторов 17 и 16 подключен высокоомный резистор 23,который определяет ток в цепи этих резисторов, Резисторы 21 - 23 представляют собой делитель напряжения, который подключен параллельно сопротивлению нагрузки 24. Базовые цепи дополнительных транзисторов 19, 20 подключены через резисторы 25, 26 к базовым выводам управляющих транзисторов 8 исоответственно и к резисторам 15, 16.Работает устройство следующим образом.Управляющий сигнал поступает на входы 27, 2 б в противофазе таким образом, что если включен один входной транзистор, то другой входной транзистор выключен.При включенном входном транзисторе 9 включены управляющие транзисторы 5, 8 и силовые транзисторы 1, 4. Через открытые силовые транзисторы 1, 4 и делитель напряжения, состоящий из резисторов 21 - 23, протекает ток, который обеспечивает закрытое состояние дополнительного транзистора 17 и открытое состояние дополнительного транзистора 13. В рассматриваемом состоянии вклк- чен также дополнительный транзистор 19, адополнительный транзистор 20 выключен.Выключенные транзисторы 17 и 20 на работу схемы влияния не оказывают, а включенные транзисторы 18 и 19, которые при этомнаходятся в режиме насыщения, обеспечивают низкоомное сопротивление в цепях база -эмиттер выключенных силовых транзисторов2, д, близкое к короткому замыканию.Если управляющим сигналом открыт входной транзистор 10, а входной транзистор 9закрыт, то состояние всех транзисторов схемы изменится на обратное. В этом случае15 включены транзисторы 2, д, а транзисторы 1,4 выключены. При этом открытые транзисторы 17 и 20 обеспечивают низкоомное сопротивление, близкое к короткому замыканию, вцепях база - эмиттер выключенных транзисто 20 ров 1 и 4,Применение дополнительных транзисторов17 - 20 позволяет обеспечить минимальный повеличине начальный коллекторный ток силовых транзисторов выходного каскада, рабо 25 гающего в режиме переключения, примерноравный обратному току коллектора этих тран.зисторов в широком температурном диапазоне. 30 Предмет изобретенияМостовой усилитель, содержащий в каждом плече силовой транзистор, база которого связана с коллектором или эмиттером своего З 5 управляющего транзистора, отличающийсяем, что, с целью повышения к.п.д, и надежности срабатывания устройства в широком температурном диапазоне, каждое плечо выполнено с дополнительным транзистором, 40 при этом в одной паре плеч базы последнихсвязаны между собой посредством резисторов, а их коллекторы подключены к базам силовых транзисторов, в другой паре плеч каждый из дополнительных транзисторов одного 45 плеча связан с базой управляющего транзистора другого плеча посредством соответствующего резистора, а их коллекторы также подключены к базам своих силовых транзисторов.320014 Составитель Н. Герасимова Техред 3. Тараненко Корректор О. Волкова Редактор М. Аникеева Заказ 378215 Изд.1535 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2