Генератор трапецеидальных импульсов с управляемым экспоненциальным спадол1

Са 5 сз Советских Социалистических РеспубликОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯк Авторском свидетельству Зависимое от авт. свидетельства-Заявлено 05.11.1969 ( 1301546/18-24) Кл. 21 а, 36/18 с присоединением заявкп-Комитет па делам изобретений и открытий ври Совете Министров СССР.5 ПК Н 031 с 3/16УДК 681.326.35 (088.8) Опубликовано 14.Х,1970. Б 1 оглстспь,А 32Дата о:5 убликозания описания 28.1.1971 Авторизобрстс ия М, М, Ивахненко Днепропетровский государственный университет Заявитель ГЕНЕРАТОР ТРАПЕЦЕИДАЛЬНЫХ ИМПУЛЬСОВ С УПРАВЛЯЕМЫМ ЭКСПОНЕНЦИАЛЬНЫМ СПАДОМУстройство предназначено для примененияв области радиотехники и самонастранваОшихся системах автоматического управления,Генераторы трапсцеидальных импульсов суправлясчым экспонснциальных спадом, содержащие трапз 1 сторы, коллскторь 1 и Оазыкоторых соединены с обмотками двух ссрдеч 11 иковвыходпо" трансфорчатор и управляемый россель насыщения, известны.К недостаткам известных устройств относится их малая стабильность,и,неустойчивость работы из-за влияния рода нагрузки ипредела ее .изменепня.Предложенный генератор трапецеидальныхимпульсов с управляемым экспоненциальеымспадом отличается от извесгных тем, что коллскторная цель каадого пранзистора подключена к последовательно соединенным первичной обмотке выходного трансформатора ибинарной обмотке управляемого дросселя насыщен;1 я, а базовая цепь какдого из транзисторов подсоедииена к согласованно-последовательным обмоткам выходного трансформатора и управляемого дросселя насыщения.Это повышает стабильность и устоичивостьработы генератора импульсов,Принципиальная схема предложенного генератора приведена на чертеже,Схема содержит транзисторы 1 и 2 и чегырс элевсгрохаги 1 тпыс систсмь па сердсниках 1, УУ, П 1;1 УК На сердечниках У и УУ расположены базовые обмотки 5 и 4, оснозчыс коллекторныс Об.1 Отки а и 6 и Оох 10 та 11 уподвле 3Н 1151 т 1 д.5 На сердечнике ПУ расположены синхронизирующие коллскторные обмотки 9 п 10, выходная обмотка 11 и обмотки 12 и 13 обратных связей, образующие двумерную систему обратных связей трансформатора. На сердечо нике Ук намотаны бинарные обмотгаи И си 16и обмотки 16 и 17 ооратных связей, образующие двумерную систему обратных связей уп 15 авляемого дросселя насыщения. Для создания необходимого смещения в цепи эмиттер база служит резистор 18. Опорными резисторами в коллекторных цепях служат резисторы 19 и 20.Управление по частоте з предлагаемом генераторе осуществляется специальныч контуром 20 управленпя, состоящим из двух зстречновключенных обмоток 7 и 8 и двух информационных датчиков на диодах 21 и 22, источниках 2,5 и 24 и резеисторах 26 и 26. Информационные датчики и обмотки 7 и 8 образуют сим;-, метричную схему моста, разбаланс по току которого изменяет реакт 5 ивное сопротивление и ,передаточный коэффициент основной электромагнпитной системы на сердечниках У и П, Обратная связь, установленная между сердечнизо ками У и УУ, поддерживаст на заданном уровнсработу генератора и определяет динамику процесса генерации. Для изменения перяода генерации необходимо измененить передаточный коэффициент обратной связи, что достигается изменением напряжения или тока, поступаю щего от кнформационных датчиков.Схема генератора работает следующим об. разом.Пусть в некоторый момент времени в симметричной схеме генератора появится разба ланс, вызываемый различием динамических и статических характеристик магнитотранзисторных элементов схемы, Вследствие этого один из транзисторов, например 1, будет открываться, а транзистор 2 закрываться, Про цесс закрытия и открывания транзисторов характеризуется скоростью изменения магнитных потоков в сердечниках 1, 11, 111, 17. Изменение магнитных потоков,в сердечниках наводит э,д.с, во всех обмотках магнитной системы, 20 которые включены в базовые цепи транзисторов так, что,в базовой цепи открывающегося транзистора 1 наводится положительная э,д.с а в базовой цепи закрывающегося транзистора 2,наводится отрицательная э.д.с. В этом слу чае э.д.с., наведенная на базовой обмотке 4, усиливает запирание транзистора 2. В свою очередь, э.д,с., наведенная на базовой оомотке 3, еще в большей степени отпирает транзистор 1. Коллекторный ток этого транзистора увели чивается до тех пор, пока не наступит насыщение основного сердечника. При этом ток намагничивания сердечника резко возрастет, а поскольку ток базы остается неизменным, то транзистор 1 выходит из области, насыщения 35 и переходит в активную область. Переход транзистора из области насыщения в активную область сопровождается ростом его сопротивления, Это приводит к тому, что ток намагничивания начинает быстро уменьшаться, 40 а индуктирусмая э.д,с. на базовой обмотке 3 падает до нуля, Последнее вызывает изменение полярности э.д.с., что приводит к закрыванию транзистора 1 и открыванию транзистора 2. Далее процесс генерации периодически повто ряется. Процесс формирования экспоненциального спада в коллекторной цепи транзистора происходит следующим образом,При закрытии транзистора 1 коллекторный ток последнего уменьшается по экспоненте до некоторой минимальной величины, равной току отсечки транзистора. Это происходит в момент полного закрытия транзистора, когда на реактивном сопротивлении коллекторной цеп(и транзистора 1 появится э.д.с. самоиндукции, которая поддерживает в течение,первого полу- периода ток того же,направления, которое он имел до закрытия транзистора. В свою очередь, во второй полупериод генерации транзистор 2 открывается, и его коллекторный ток возрастает по экспоненте, достигая вынужденного значения. Это происходит в момент открытия транзистора 2, когда на его реактивном сопротивлении коллекторной цепи появится э.д.с. самоиндукции, которая поддерживает в течение второго полупериода ток того же направления, что и ло открытия транзистора, Поэтому ток,в коллекторной цепи, содержащей индуктивно-активную нагрузку, спадает по экспоненциальному закону,Предмет изобретенияГенератор трапецеидальных импульсов с управляемым экспоненциальным спадом, содержащий транзисторы, коллекторы и базы которых соединены с обмотками двух сердечников, выходной трансформатор и управляемый дроссель насыщения, отличающийся тем, что, с целью повышевия стабильности и устойчивости работы, коллекторная цепь каждого транзистора подключена к последовательно соединенным первичной обмотке, выходного трансформатора и бинарной обмотке управляемого дросселя насыщения, а базовая цепь каждого из транзисторов подсоединена к согласованно-последовательньв обмоткам выходного трансформатора и управляемого дросселя насыщения,.дан торБ,С.Ианк Тек Областная типографа Костромского, управления по печат Заказ Т 940 Тираж 480 Подиснос1,.-1111 П 11 Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРй 1 осква, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5