188155

Номер патента: 611163

Опубликовано: 15.06.1978

Авторы: Григорьев, Рамзайцев, Шварцбург

МПК: G01R 31/26

Метки: емкости, коллекторного, перехода, транзистора

...1, 2,высокочастотных сигналов, формирующих сигналыс частотой Ф, и 11 соответственно, измеритель.ные каналы 3, 4 и 5, электронную вычислительную машину (ЭВМ) 6 и индикатор 7,Измеритель работает следующим образом.С выходов генер 1 и 2 высокочастот.ные сигналы поступаю клемму К в коллектор испытуемого транзистора. С базы и эмитера испытуемого транзистора (с клемм Б исоответственно) сигналы поступают через буфер.611163 составляюответстобратной та обра частотах съемногоого трап мула изобретения внима. ллекторног Способ измерения емкости ко перехода транзистора путем подачи мый прибор двух различных по ча частотных сигналов и измерения к о бра пой передачи транзистора, о ш и й с я тем, что, с целью пов сти измерения, на одной из двух...

Номер патента: 1464149

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Златкевич, Лескович, Никулин, Христианов, Чернышев

МПК: G05F 1/569

Метки: защитой, комплексной, постоянного, стабилизатор

...как обычные выпрямительныедиоды. Поскольку в первый моментнапряжение на выходе стабилизатораменьше заданного значения, то с измерительного элемента 5 через усилитель 6 постоянного тока на вход регулирующего транзистора 3 поступаетсигнал, и транзистор 3 начинает от- .крываться, что влечет за собой увеличение напряжения на выходе стабилизатора.По достижении на выходе стабилизатора заданного значения напряжениясигнал на входе регулирующего тран50 55 зистора 3 начинает уменьшаться, ирегулирующий транзистор 3 начинаетзакрываться, прп этом уменьшаетсянапряжение на выходе стабилизатора.В результате при изменении напряжения питающей сети напряжение на выходе стабилизатора остается постоянной величиной в пределах заданногозначения.В случае...

Номер патента: 327586

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бур, Чернышев, Чухриенко

МПК: H03K 5/007

Метки: разрядный, формирователь

...5 и коллекторов транзисторов 3 и 4 логической схемы ИЛИ 2. Общая точка 25 связи эмиттера транзистора 19 и резистора 22 коллекторцой цепи трацзцстора 20 подсоедицеца к иице разрядной линии.В статическом состоянии, т. е. прц отсутствии сигналов записи и счцтывацця, когд потецциалы точек 10 и 11, определяемые цсходцым состоянием выходцых каскадов комплекса логических схем управления по трактам записи и считывания, низкие, трацзцсторы 3, 4, 13 и 19 находятся в режиме отсечки, а трацзисторы 14 и 20 - в режиме цасыщсция, На ццшу разрядной лцццц (точка 25) поступет потецциал, прсктическц рВпьп - Е, разрядная линия соедццяется с землей, что приводит к заряду емкости, существующей между стоком и подложкой МОП трацзцстора триггера запоминающего...

Номер патента: 324650

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Сосин

МПК: G11C 7/06

Метки: c4inblbyhhfl, транзисторах, усилитель

...тока.С делителя царяжения па резисторах 9 и 10 на базу 11 первого генератора тока по; ают постояцпыц потеццпал, От Велпчппн которого зависит ток коллектора трацзистора 1.Ток коллектора транзистора 2 задается, в основном, вторым генератором тока на трап/и 7; т 70 Составитель В. ВакарТехред 3. Тараненко Корректор Н. Коваленко Редактор И. Орлова Заказ 246/15 Изд.1856 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Ко.;итста по делам избретеиий и открыт/ш ири Совете Министров СССРМосква, уК, Рау/и 1 скзя иаб., д. 4,5 Тиг 71 афип, ир. Гаитиова, 2 зисторе 8, Пост 051 ппы 1 потенциал пе 1 базх 12 второго генератора тока подают с коллект/р транзистора 3 через стаб 1 литроп 1, и стор 14, Таким образом осуществляется О рнцательпая обратная связь с выхода усилителя па...

Номер патента: 586858

Опубликовано: 30.12.1977

Автор: Адель

МПК: H03F 3/34

Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора

...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...