Гистерезисное звено

СОЮЗ СОВЕ ГСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 5 Ы 1647873 А 1 150 Н 03 К 5/24, 6 05 В 1/01 ПИС Е ИЗОБРЕТЕН ВТОРС КОМУ ЕТЕЛЬСТ(21) 4633488/21 (22) 01,12,88 (46) 07,05,91, Бю (72) В.Н.Иванов, (53) 621,374,33 (О (56) Патент США кл. Н 03 К 13/01 (54) ГИСТЕРЕЗИ (57) Изобретени технике и может ральных преобр нелинейных пре та, нелинейных у Цель иэобре Гения ствия и расширен Цель достигается ствия положитель дифференциально ры 1, 2, 5, 6 и отриц по синфазному ток 7 и резисторы 10, 1 с помощью дифф на транзисторах 8 состояния насыще строиств - повыше ие облас за счет со ной обра му току ч ательной у через т 1. Выход еренциал , 9 и за с ния транз ах автоматики, ние быстродейи применения, вместного дей 1 НОй СВЯЗИ ПО ерез транзистообратной связи ранзисторы 5, 6, осуществляется ьного каскада чет исключения исторов. 1 ил,л. М 17В.В,Иванов и В.А,Ст88.8)М. 4498020,0502.85.СНОЕ ЗВЕНОе относится кбыть использовазователях тообраэователях импульснои ано в интегк - частота, токчастором транзистора 4 и эмиттером транзистора 5. Коллектор транзистора 1 соединен с базой транзистора 5, первым выводом резистора 10 и входной шиной 16. Коллектор транзистора 2 соединен с базой транзистора 6, первым выводом резистора 11 и с шиной 17. Вторые выводы резисторов 10, 11 соединены с эмиттером транзистора 7. Коллекторы транзисторов 5, 6 соединены с базой транзистора 7 и с первым выводом источника 13 тока. Коллектор транзистора 7 соединен с вторым выводом источника 13 тока и шиной 18 питания. Змиттеры транзисторов 8, 9 соединены с первым выводом источника 14 тока. Коллекторы транзисторов 8, 9 соединены с выходными шинами 19, 20 устройства, Номиналы резисторов 10, 11 равны. во работает следу Устроизом,контур оторый стойчиток исеэистор нзистор Транзи пол ожител может нахо вых состоя точника 12 10 и транзи ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТГ 10 ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР Изобретение относится к импульснойтехнике и может быть применено в интегральных преобразователях ток - частота,нелинейных устройствах автоматики, широтно-импульсных модуляторах.Целью изобретения является повышение быстродействия за счет исключения состояния насыщения транзисторов, точностии расширение области применения за счетуправляемости порогом переключения,Сущность изобретения поясняется чертежом,Устройство содержит транзисторы 1-9,резисторы 10, 11, источники 12 - 14 тока,первую шину 15 питания, входные шины 16,17, вторую шину 18 питания и выходныешины 19, 20. При этом змиттеры транзисторов 1 и 2 соединены друг с другом, с базамитранзисторов 3, 4 и с первым выводом источника 12 тока, змиттеры транзисторов 3,. 4 соединены с первой шиной 15 питания и свторыми выводами источников 12, 14 тока.База транзистора 1 соединена с базой транзистора 9, коллектором транзистора 3 и эммитером транзистора б, База транзистора 2соединена с базой транзистора 8. коллектосторы 1,2,5 и б образуют ной обратной связи, к диться в одном из двух у ий: открыт транзистор 1 протекает через него, р стор 7, либо открыт тра5 10 15 20 25 30 40 45 50 2, ток источника 12112 протекает через него и резистор 11. При этом токи коллекторов транзисторов 5, 6, 3, 4 одинаковы и равны 11 з/2 (если пренебречь величиной базовых токов). Соответственно если открыт транзистор 1, то ток источника 14 протекает через транзистор 9 и выходную шину 20, если открыт транзистор 2 - через транзистор 8 и шину 19. В любом иэ устойчивых положений ни один из транзисторов не насыщен (при условиичто разность падений напряжения на резисторах не превосходит напряжения эмиттер - база транзисторов).Контур синфазной отрицательной обратной связи через коллекторы транзисторов 5, 6, транзистор 7 и резисторы 10, 11 компенсирует изменения синфазного вход-ного тока и тока 112,Переключение звена из одного положения в другое происходит при подаче дифференциального входного тока через входные шины 16, 17 в момент, когда Ьвх - 112.Это происходит .следующим образом. Пусть в начальный момент открыт транзистор 1. Начинают увеличивать ток через шину 17; При этом ток через резистор 11 увеличивается, уменьшается потенциал базы транзистора 6 и соответственно, поскольку токи транзисторов б, 5 равны токам транзисторов 3, 4 а те, в свою очередь, друг другу, увеличивается потенциал базы транзистора 2 благодаря действию синфазной обратной связи через транзистор 7. В момент, когда потенциал базы транзистора 2 превзойдет потенциал базы транзистора 1,т,е, при Л 1 вх=12, произойдетлавинообраэное переключение, дифференциального каскада на транзисторах 1, 2 вследствие действия положительной обратной связи. Одновременно переключится каскад на транзисторах 8, 9 и ток источника начнет протекать через выходную шину 19. Аналогичным образом происходит переключениев противоположном направлении,Таким образом, при работе звена ни один транзистор не попадает в состояние насыщения (при условии 2 112 Я 1 о0,6 В), токи открытых транзисторов расчетны .и задаются источниками 12 - 14 тока, Это гарантирует отсутствие задержек при переключении и позволяет использовать транзисторы в режимах, при.которых они обладают наибольшим быстродействием. Порог переключения звена с точностью до коэффициента усиления транзисторов 1, 2, 5, 6 по току задается источником 12 тока. Выходной ток также задан источником 14 тока. Ток 1 з позволяет оптимизировать быстродействие звена.Ф ар мул а изобретения Гистерезисное звено, содержащее первый и второй транзисторы, коллекторы которых подключены к первым выводам соответственно первого и второго резисторов, входные и выходные шины, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения быстродействия, повышения точности и расширения. области применения за счет обеспечения управляемости порогом переключения, введены третий, четвертый, пятый, шестой, седьмой, восьмой и девятый транзисторы, первый, второй третий источники тока, причем эмиттеры первого и второго транзисторов соединены друг с другом, с базами третьего и четвертого транзисторов и с первым выводом первого источника тока, эмиттеры третьего. и четвертого транзисторов соединены друг с другом, вторым выводом первого и третьего источников тока и с первой шиной питания, база первого транзистора соединена с коллектором третьего, базой девятого и эмиттером шестого транзисторов, база второго транзистора соединена с базой восьмого, коллектором четвертого и эмиттером пятого транзисторов, эмиттеры восьмого и девятого транзисторов соединены с первым выводом третьего источника тока, коллекторы соответстенно с первой и второй выходными шинами устройства, коллекторы первого и второго транзисторов соединены с базами соответственно пятого и шестого транзисторов, с первой и второй входными шинами устройства, вторые выводы резисторов соединены с эмиттером седьмого транзистора, коллекторы пятого и шестого транзисторов соединены друг с другом, с базой седьмого транзистора и с первым выводом второго источника тока, коллектор седьмого транзистора соединен с вторым выводом второго источника тока и второй шиной питания.1647873фЧ1 - о/7А 1 р - о/б1Составитель Н,Маркин дактор Т.Зубкова Техред М,Моргентал Корректор М. Шаро аз 1652 Тираж 484 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКН113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5