Импульсный излучающий модуль

ТЕНИ ЕЛЬСТ У уменьш и тем, выполя ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕК АВТОРСКОМУ СВИ(54) ЮЖУЛЬСНЫЙ ИЗЛУЧАЮЩИЙ МОДУЛЬ(57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использо 1)5 Н О 1 8 3/18, Н 03 К 4/О вано, например. в системах оптической локации. Целью изобретения является повышение помехозащищенности при одновременном снижении габаритов и массы. Устройство содержит лавинный транзистор 1 резисторы 2 и 8, .провода 3 и 10 линйи связи, конденсаторы 4 и 6, клемму 5, излучающий диод 7, шину 9 питания. Повышение помехозащищенности достигается в результатеения объема токового контурачто применен один канал связи,енный в виде экранировайной коаксиальной линии. 1 ил.5 10 1520 25 30 35 40 45 50 55Изобретение относится к импульсной технике и может быть использова-но, например, в системах оптическойлокации,Цель изобретения - повышение помехозащищенности при одновременномснижении габаритов и массы.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства.Устройство содержит лавинный транзистор 1, база которого через первыйрезистор 2 соединена с эмиттером,через первый провод 3 линии связи спервой обкладкой конденсатора 4, вторая обкладка которого соединена свходной клеммой 5 устройства, накопительный элемент 6, излучающий диод 7,второй резистор 8, первый вывод которого соединен с шиной 9 питания, второй провод 10 линии связи, первый вывод накопительного элемента 6 соединен с эмиттером лавинного транзистора 1, второй вывод - со вторым проводом 10 линии связи и через,излучающий диод 7 - с коллектором лавинноготранзистора 1, второй вывод второгорезистора Я соединен с первой обкладкой конденсатора 4, второй проводлинии связи соединен с корпусом устройства.Устройства работает следующим образом.При включении источника питания(Е) происходит заряд накопительногоэлемента 6 до напряжения, близкогок напряжению пробоя коллекторногоперехода лавинного транзистора 1,Ток заряда протекает по цепи: шина9 источника Е, - резистор 8 - первый,провод 3 линии связи - резистор 2 -элемент 6 - второй провод 10 линии - заземленный полюс источника Е.Запуск устройства импульсами положительной полярности производитсяследующим. образом. Для отпирания лавинного транзистора импульс, амплитудой 1-3 В и длительностью около10 нс, поступает на вход коаксильнойлинии через конденсатор 4. Пройдя полинии, импульс вьд 6 ляется на ее конце. Конец линии нагружен на коллекторный переход транзистора, а черезнакопительный элемент 6 к немупараллельно подключены согласующий резистор 2 и эмиттерный переход лавинноготранзистора 1. Сопротивление обратносмещенного коллекторного перехода исопротивление эмиттерного перехода транзистора при нулевом смещении велики, поэтому линия практически нагружена на резистор 2, сопротивлениекоторого выбирается несколько большимволнового сопротивления линии. Емкость накопительного элемента состав ляет величину порядка 2 10 Ф, поэтому за время протекания через него тока запускающего импульса напряжение на элементе 6 практически не изменяется (например, при токе в импульсе, равном 20 мА, за время 10 сизменение напряжения не превысит 0,1 В). Инжекция эмиттера начинается в момент, когда напряжение между,ним и базой достигает уровня 0,3-0,5.В, При лавинном включении транзистора короткий токовый импульс амплитудой в десятки ампер формируется в контуре: накопительный элемент - лавинныйтранзистор - излучающий диод. Соединение линии связи с элементами устройства в соответствии с чертежом позволило разместить токозадаюший резистор 8 и входной разделительный конденсатор 4 вне корпуса модуля, совместить каналы питания устройства по постоянному току и сигналу управления в один канал. Низкий уровень мощности, необходимый для управленияработой лавинного транзистора, позволил применить в устройстве коаксиальную линию с малыми геометрическими размерами - микрокоаксиальную лининПолезным результатом данного решенияявляется уменьшение размеров модуля и улучшение его теплового режима.В оптических импульсных портативных системах излучающий и приемный узлы располагаются в непосредственной близости. В этой связи положительный эЬект, который реализуетсяв заявленном устройстве на основеприменения коаксиальной линии связи,заключается в снижении уровня помехи,создаваемой мощным токовым импульсом,накачки лазерного диода. Увеличение помехозащищенности модуля достигается за счет уменьшения объема токового контура и тем, что применен один канал связи, выполненный в виде экранированной, коаксиальной линии, имеющей одну точку соединения ее на-, ружного проводника с общей шинойвнешних цепей, а все элементы модуля, находящиеся в его экраниэирующем корпусе, не имеют с ним гальванической вязи;1631645 Формула изобретения Составитель А.Горбачев Техред А,Кравчук КорректорН, Король Редактор В.Ковтун Заказ 552 Тираж 303 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по.изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 1Производственно-издательский комбинат "Патент"г.ужгород, ул. Гагарина,101 Импульсный излучающий модуль, содержащий лавинный транзистор, база которого через первый резистор соединена с эмиттером, через первый провод линии связи с первой обкладкой конденсатора, вторая обкладка которого соединена с входной клеммой устройства, накопительный элемент, излучающий диод, второй резистор, первый вывод которого соединен с шиной питания, отличающийся тем,что, с целью повышения помехозащищенности при одновременном снижении габаритов и массы, первый вывод накопительного элемента соединен с эмиттером лавинного транзистора; второй вывод - с вторым проводом линии связи и через излучающий диод - с коллектором лавинного транзистора, второй выводвторого резистора соединен с первой обкладкой конденсатора, вто-, рой провод линий связи соединен с корпусом устройства.