Формирователь импульсов

(51)5 Н 03 К 5/01 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ОСьЪ С)(56) Авторское свидетельство СССРМ 307505, кл. Н 03 К 5/01, 1969,Авторское свидетельство СССРМ 683001, кл. Н 03 К 5/01, 1976,(54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ (57) Изобретение относится к импульсным оустройствам и может быть использовано в устройствах вычислительной техники, в частности в схемах памяти как формирователь вытекающих токов в адресных проводах ПЗУ трансформаторного типа, как мощный импульсный источник питания микросхем полупроводниковых ПЗУ, как мощный магистральный усилитель, который может работать на значительную емкостную нагрузку в линии связи, обладает малым и стабильным временем задержек распространения сиг 19 акоп 1626307 А 1 нала при включении и выключении в широком диапазОне температур и нагрузпк, трс бует применения одного источника пп, я и согласуется по входу и выходу с эл-., ми ТТЛ серий. Цель изобретения - ул 1 сньш; ние времени задержек распространения сигнала при включении и выключении фор мирователя и повышение его стабильгст путем формирования минимально нгцб; ц димого тока насыщения вьхо 11 ного т стора, Формирователь импульсое сол:к транзисторы 1 - 6, резисторы 7-13, входную 14 и выходную 15 шины, источник 16 питания. При поступлении во входную шину 14 положительного импульса транэисто,.ы 1 и 6 переходят в инверсный режим работы, обеспечивая быстрое запитывание баз транзисторов 4 и 2 током от источника 16 питания через резисторы 10 и 11 и пг:пеходь коллектор-база транзисторов 6 и 1. При этом открываются транэисторь 2-4 и на выходе 15 формируется соот 11 етствую ций г.и- нал. 1 ил.Изобретение относится к импульсным устройствам и может быть использовано в устройствах вычислительной техники.Цель изобретения - уменьшение времени задержек распространения сигнала при включении и выключении формирователя и повышение их стабильности за счет формирования минимально необходимого тока насыщения выходного транзистора,На чертеже представлена принципиальная схема формирователя импульсов.Формирователь состоит иэ первого 1, второго 2, третьего 3, четвертого 4, пятого 5 и шестого 6 транзисторов, первого 7, второго 8, третьего 9, четвертого 10, пятого 11, шестого 12 и седьмого 13 резисторов, входной 14 и выходной 15 шин, источника 16 питания,Эмиттер первого транзистора 1 соединен с входной шиной 14, коллектор соединен с базой вторсго транзисторг 2, Коллектор транзистора 2 через первый резистор 7 соединен с базой третьего транзистора 3. Коллектор транзистора 3 соединен с выходной шиной 15. Эмиттер четвертого транзистора 4 соединен с общей шиной, э коллектор - через второй резистор 8 с базой третьего транзистора 3. Эмиттер пятого транзистора 5 соединен с общей шиной, база - через третий резистор 9 с выходной шиной 15 формирователя, а коллектор - с базой второго транзистора 2, Эмиттер шестого транзистора б соединен с входной шиной 14 формирователя, а коллектор соединен с базой четвертого транзистора 4, база шестого транзистора 6 - через четвертый резистор 10, база первого транзистора 1 - через пятый резистор 11, а база третьего транзистора 3 - через шестой резистор 12 соединены с шиной 16 источника питания. База пятого транзистора 5 через седьмой резистор 13 и эмиттер второго транзистора 2 соединены с общей шиной, эмиттер третьего транзистора 3 соединен с шиной источника 16 питания. Резисторы 12 и 13 обеспечивают необходимый режим работы формирователя,Формирователь работает следующим образом,При подаче на входную шину 14 формирователя положительного импульса транзисторы 1 и б переходят в инверсный режим работы, обеспечивая быстрое запитывание баэ транзисторов 4 и 2 током от источника 16 питания через соответственно, резисторы 10 и 11 и переходы коллектор - база транзисторов б и 1, Открывается транзистор 4, так как транзистор 5 еще закрыт и не шунтирует своим переходом коллектор -5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 эмиттер переход база-змиттер транзистора 2, последний также открывается.При отношении значений со ротивлений резисторов 10 и 11 как 2:1, а резисторов 8 и 7 как 10:1, большим током, протекающим от шины "Плюс" источника питания через резистор 12 и создающим на нем смещение для открывания транзистора 3, является ток коллектора транзистора 2, Транзистор 3 открывается и быстро входит в глубокое нэсь. щение из-за большого тока базы, равного в основном току коллектора транэистогэТок коллектора открытого транзистора 3 формирует на выходной шине 15 нэ нагрузке 17 положительный импульс с круты "и передним фронтом.Появление положительного им, угьсэ на выходе формирователя вызывает протекание тока по делителю из резисторов 9 ч 13, что вызывает необходимое для грнз,- стора 5 смещение на его переходе бэзэ эмиттер, соединенного с резистором 1 3, Отношение значений сопротивл нии резисторов 9 и 13 выбирается таким образом, чтобы открывание транзистора 5 происходило гри полностью открытом транзисторе 3, Откр, - вэние транзистора 5 выэьвэе закрытие транзит зрэ 2, и основным то,ом трлнзи стора 3 становится ток ксллек ора трээ.- сторэ 4, что приводит к выходу транзистора 3 из глубокого насыщения, создавшегося нэ момент включения, в неглубокое нась:щение в установившемся режи,а, так кэк ток коллектора открытого ран;:и" тора 4 при близительно в 10 раз меньше тока колле ктс ры транзистора 2, когда он бы откры из-,э ,тношения значений сопроти.,ленЮ р. л сторов 8 и 7 как 10:1,Быстрое формирование выходного о ложительного импульса и малое энэчен времени задержки распространения сигнал. при включении обеспечивается бцсггь;, огкрь вэнием выодног трэнзистоэ ,:. счет обеспечения большого нэчен, , ,э его базы на момент включения,Стабильность знэчени., времен, рэспространения сигнала пр." включении ьЬе - печивэется стабнльност ;,:оро. ов включения транзисторов 1, 2, 3 6 н ", о рые зависят только от техноллих изгп товления.В установившемся режиме р:.Ьоты з гг чение выходного нэпряж;- ия и его стабильность обеспечиваются нахождение и транзисторов 4 и 3 в состояни,-эсь ц:ения и зависит тслько от значения нэпря, .ния и точника питания, Г 1 ри этом степан, насыщения транзисторы 4 н=сколько глубже степени насыщения т энэигтор3 определяет открытое.остояние т -н ю, и1626307 ра 4 вне зависимости от изменения температуры окружающей среды и значения напряжения источника питания. Неглубокаястепень насыщения транзистора 3 определена исходя из минимального значения тока. 5его базы через резистор 8, в зависимости отпримененного транзистора 3, При этом приуменьшении температуры окружающей среды или сопротивления нагрузки транзистор3 стремится выйти из насыщения, что при Оводит к уменьшению выходного напряжения, и, соответственно, к уменьшениюнапряжения нэ переходе база - эмиттертранзистора 5. Транзистор 5 закрывается,что приводит к расшунтированию перехода 15база - эмиттер транзистора 2, последнийоткрывается и своим. коллекторным токомчерез резистор 7 подпитывает ток базытранзистора 3, что возвращает транзистор3 в насыщение и приводит к увеличению 20выходного напряжения, обратному открыванию транзистора 5 и эакртию транзистора 2. Действующая тэкил образомотрицательная обратная связь обеспечивает стабильность выходного напряжения в 25установившемся режиме работы при уменьцении температуры окружающей среды инагрузки.При снятии входного импулсэ трэнзистооы 6 и 1 выходят иэ инв рсногс, еж гл н 30работы, ток баэ через их переходы бдзэ -эм ттер от источника 16 питания и реъ сторы 10 и 11 через внутреннее сопровлениеисточника 16 ответвляется на общу,г инуустройства, обесточивая тем самым ц":пи 35баз транзисторов 2 и 4, что пр и одит к ихпо 1 ному закрыванию, обесточиванию цепибазы транзистора 3 и его закрытию и обесточиванию цепи нагрузки,Время выключения формиронэ 1 сля д 40основном зависит от степени нэсы , н"ятранзистора 3. Так как она определена прим чнимэльно необходимом токе его базы ипри уменьшении температуры окружающейсреды или уменьшении сопротивления нэ Состэнитель В.СавиновТехред МзЫоргентэл Корректор М.Пожо Редактор Н,Тупица Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Заказ 282 Тираж 460 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушскэя наб 4/5