Устройство для измерения параметров антенн
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Изобретение относится к технике змерений на СВЧ и может быть исольэовано в измерительных устанонах, предназначенных для измерения Параметров антенн СВЧ.Цель изобретения - повышение точНости измерений.На чертеже. приведена структурная .лектрическая схема устройстна для 10 змерения параметров антенн.Устройство для измерения параметов антенн содержит отражатель 1 в иде части параболоида, облучательустановленный н Фокусе отражате я 1 и соединенный с выходом генераора 3, к другому выходу которого ) одключен двухканальный амплифазоетр 4, соединенный с регистраторомпри этом второй вход двухканалього амплифазометра является входом игнала от исследуемой антенны 6, ранспарант 7, корректирующий амплиудно-фазовое распределение поля обучателя 2, транспарант 7, выполненый двухслойным, причем первый слойз поглощающего материала переменнойолщины служит для получения требуеого амплитудного распределения, его , олщина определяется выражением 30 .(Х,УрЕ)=-1 па(Х,У,Е) /;де а(Х У. Е)на (-, --- г гг й ХРЯЕ 4 о о(кгкг1- е +Х1, ---- ЙБз) /Е н- коэффиций циент пропускания корректирующего транспаранта, )г = 2 Я, г(2-2 ) + (Г - т. ) - (2 - 2 ) расстояние между точками на поверхности отражателя и на траспаранте; Х,У,2 - координаты точек в плоскости расположения транспаранта; Х, Уз, Е - координаты точек на поверхности отражателя;1 = 2 йхН 1 - ток на поверхности отражателя; й - нормаль к поверхности отражателя; Н - напряженность магнитного поля падающей на поверхность отражателя плоской волны; Е(Х,У,Е) - амплитудно-Фазовое распределение поля облучателя в плоскости расположения транспаранта; о(, - постоянная затухания в материале первого слоя;. Бз - площадь поверхности отражателя; знак (Х) означает комплексное сопряжение, а второй слой . служит для получения требуемого Фазового распред(пения с учетом Фазового 40 50 55 набега в материале перного слоя, он выполнен из радиопроэрачного материала переменной толщины, определяемой выражениемг /где , и- Фазовые постоянные первого и второго слоев соответственно,Устройство для измерения параметров антенн работает следующимобразом,Волна, излучаемая облучателем 2,имеет комплекс ное расп роде ление вЮег о раск рыне Е(Х, У, 2),Транспарант 2 характеризуетсяк омплексным к озффициентом прозрачности а(Х,У,Е).На выходе транспаранта 7 получаетс я н олна с к омплекс ной амплитудойа(Х,У,2)Е б,) (Х,У,2), которая отразившись от отражателя 1, трансформируется в кваэиплоскую волнуВ -) КЕ (Х,У,Е) = Ее, при Х,У,Еббргде Ч - рабочая область коллиматора;Таким образом, для изготовлениятранспаранта необходимо знать комплексное распределение амплитуды нраскрыве облучателя и амплитудно-фазовое распределение, оптимальное сточки зрения получения плоской волны в облучающем раскрыне отражателя.Последнее рассчитывается следующим образом,Пусть на отражатель 1 со стороны исследуемой антенны 6 падает плоская волна Е (Х,У,Е 7 = Е е , Отра) К 2. жаясь от поверхности зеркала коллиматора, плоская волна преобразуется в волну с Фазовым фронтом, близким к сферическому, Поле в плоскости установк и. тра нспа ранта 7 оп ределяетс я соотношением1Е (ХУЕ) = -- г гг )гпад р ро о( - е1 --- (а Б (1)5 )причем начало системы коррдинат совпадает с поверхностью параболоида а ось Е ориентирована по оси параболоида, Интегрирование ведется по поверхности отражателя 1.)+(Е-Е,) У,Е ординаты точек, лежащихрасположения транспана плоскост ранта;Х , У, Е з - координатьа пверхности отражателя;1= 2(пхй) - ток на повражателя;и - нормаль к поверхносжателя;Н - напряженность магнитного полпадающей на поверхность отражателяплоской волны; л точек н ерхности о ти отраи амплитудно-фа зов оеля облучателя; оверхности отражаЕ, (Х,У,Еаспределение Б - площад Ф о.р а иэо тени еля; атухания матери - постояннаярвого слом;означает ко ла плексное со й слой к в ректирующегоиз радиопрозрина которого анснопаран го ма выполне ала, толщ зме тся в соответстви аже м Х,У,Е)12) /Р Е(Х,У,Е) = ат, й,(Х,У где 3, и (3 - фаэовые материалов первого И вт корректирующего транспа ственно. стоянныеого слоевнта соответставитель Р. Кузнецовахред А.КравчукРедакт орректор В Бугренкова дписное Заказ 328 Тираж 557 ВНИИПИ Государственного комитета по113035, Москва, ЖНТ СССР обретениям и открытиямРаушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,10 5 1 5521Рупором может быть принята только та доля энергии волны, прошедшей через транспарант 7, которая соответствует волне со структурой поля,5 согласующейся со структурой поля облучателя, Она определяется его конструкцией и в простейшем случае рупор- ного облучателя хорошо известий. Это равномерное распределение амплитуды в плоскости Е, косинусоидальное распределение амплитуд в плоскости Н и квадратичный закон изменения фаэ,Комплексный коэффициент прозрачности транспаранта 7, обеспечивающего требуемое согласование полей, находится как комплексно-сопряженная величина от рассчитанного по формуле (1) амплитудно-фа эового расп ределения, деленная на известное комплекс -20 ное распределение амплитуд в раскрыве облучателя 2Предлагаемое устройство позволяет производить более точные измерения параметров исследуемых антенн за счет 25 сключения ошибок измерения амплитудно-фазового распределения поля облучателя и отраженного от коллимирующего рефлектора поля при облучении. Устройство для измерения параметров антенн, содержащее отражатель в виде части параболоида, облучатель, установленный в фокусе отража 35 теля и соединенный с выходом генератора, другой выход которого подсоединен к первому входу двухканального амплифаэометра, соединенного с ре 40 гистратором, корректирующий транспа рант, размещенный между облучателем и отражателем, при этом второй вход двухканального амплифаэометра является входом для подсоединения выхода45 исследуемой антенны, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повьппения точности измерений, корректирующий транспарант выполнендвухслойным 31 6причем первый слой выполнен из поглощающего материала и имеет переменную толщину, определяемую выражением1 п а(Х У Е)(ХУЕ) =- --- - -л1
СмотретьЗаявка
4375670, 10.12.1987
МВТУ ИМ. Н. Э. БАУМАНА
БЕЙ НИКОЛАЙ АРСЕНЬЕВИЧ, ХАНДАМИРОВ ВИКТОР ЛЕВАНОВИЧ, КУЛАКОВ ВЛАДИМИР ЕГОРОВИЧ, СЕДОВ АЛЕКСАНДР НИКОЛАЕВИЧ, ТЯГУНОВ ВИКТОР АЛЕКСАНДРОВИЧ, ГОНЧАРОВ ВАДИМ ИВАНОВИЧ, БОГОМОЛОВ АЛЕКСЕЙ АЛЕКСЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 29/10
Метки: антенн, параметров
Опубликовано: 23.03.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1552131-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-parametrov-antenn.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения параметров антенн</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения амплитудно-фазового распределения поля в раскрыве антенны
Следующий патент: Устройство для измерения амплитудно-фазового распределения поля фазированной антенной решетки
Случайный патент: Патентно-jqill -tx№4r. ci: aftьйблйотек