Устройство для измерения несущей частоты однократных свч импульсов

) 5 С .01 В. 23/0 АНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ЕЙЬСТВУ К АВТОРСКОМ 1" 11ательскийри Томское им. С.МА.Ваулин, каин нсти- поли- ирова мент ка экспеов 6,Г,ундной домиздат,ощны ител 1981 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОВЧГтЕНИЯМ И ОТКРЫТИЕМПРИ ГКНТ СССР(71) Научно-исследовтут ядерной Физики итехническом институт(5 Ь) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ НЕСУЩцдстоть ОднокРдтнцх свц-иипульсов(57) Изобретение относится к техникСВЦ, Цель изобретения - упрощение и повышение помехозащищенности, Дляэтого устр-во для измерения несуще 4частоты однократных СВЧ-импульсовсодержит отрезок 1 волновода, короткозамыкатель 2 и измерительный блок,выполненный в вире газонаполненнойдиэлектрической трубки 3, помещеннойпо центру вдоль отрезка . Полостьтрубки 3 разделена с помощью тонкихоптически непрозрачных диаФрагм чна секции, в каждой из которых пооси трубки 3 размещена Фотопленка 5.Диаметр трубки 3 и шаг, с которымразмещены диаФрагмы 1 много меньшедлины СВЧ-волны. На конце отрезка 1установлен короткозамыкатель 2 с регулируемым коэф. отражения СВЧ-волныРегулировка электрической длины отрезка 1 осуществляется путем нанесения на металлическую заглушку поглотителя различной толщины. 1 ил.Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано для определения центральной частоты (несущей частоты СВЧ-им 5 пульсов) полосы спектра, в которой содержится большая часть энергии импульса, генерируемого с помощью релятивистских СВЧ-генераторов.Цель изобретения - упрощение и повышение помехозащищенности.На чертеже представлена структурнэя схема. устройства для измерения несущей частоты однократных СВЧ-им" ульв. 15Устройство для измерения несущей частоты однократных СВЧ-импульсоводержит отрезок волновода 1, коротозамыкатель 2, диэлектрическую газо"аполненную трубку 3, помещенную поентру вдоль отрезка волноводаалость которой разделена с помощью тонких оптически непрозрачных диаФ- агм 4 на секции, в каждой из котоых по оси трубки 3 размещена Фото олщи ны.Устройство для измерения астоты однократных СВЧ-имп аботает следующим образом. сущеисов Ч-импульс подается в открытыиотрезка волновода 1 и распрояется вдоль него, При достижении мпульсом короткозамыкателя 2 ходит его отражение и в волновотанавливается стоячая волна.сообразно, чтобы отрезок коротконутого волновода имел длину Чь/2, 7 - скорость СВЧ-волны;- длиность СВЧ-импульса, и тогда сто"волна заполнит всю длину волСВМонецстран1,ВЧ-иЩе уЦеле9 амкгдетель ячанов ода.Действительно, половина длины импульса будет на подходе к отражающей заглушке, в то время, как половина уже отразилась и распространилась навстречу падающему,Распределение амплитуды электрического поля стоячей волны имеет вид гленка 5.Диаметр трубки 3 и шаг, с которым размещены диафрагмы 1, много меньше лины СВЧ-волны, На конце волновода установлен короткозамыкатель 2 с ре 30 гулируемым коэффициентом отражения СВЧ-волны. Регулировать электрическую длину отрезка волновода 1 можно, например, путем нанесения на металлическую заглушку поглотителя различной З 5 1(1) где 11 - амплитуда поля; Е - продольная вдоль волноводакоордината; г, 4 - модуль и Фаза коэффициента 2 л отражения заглушки; 2 ь К = т- - волновое число,1 - длина волны в волноводе.Характерной особенностью этого распределения является то, цто оно периодицно и расстояние между соседними минимумами или максимумами связано с несущей цастотой СВЧ-волны йо,Я 1/2 7 щ (2)Ф2 где С - скорость света, а - размер широкой стенки волновода,Подобрав давление газа внутри трубки столь малым (это легко делается), чтобы минимальная величина поля в (1) превышала пороговое пробивное знацение, можно создать условия для СВЧ-пробоя внутри трубки и возникновения СВЧ газового разряда, При этом поглощаемая мощность в разряде будет определяться в каждой точке Е квадратом, действующим в этой точке амплитуды. Если зарегистрировать интенсивность сечения с разрешением по координате Е можно будет по (2) вос" становить несущую частоту, что и ре" шит поставленную задачу. Для этого внутри трубки размещают Фотопленку, поцернение которой определяется интенсивностью светового излучения в соответствующей точке по координате Е: Для достижения пространственного разрешения по Е нужно добиться, чтобы засветка пленки осуществлялась локально, излучением только в данной точке. Это выполняется с помощью оп" тически непрозрачных диафрагм, которые предотвращает нелокализованную засветку излучением, направленным параллельно продольной оси. Из выражения (2) видно, что точность определения местоположения минимумов или мак" симумов определяет точность измерения несущей частоты СВЧ-импульса, которая определяется по расстоянию между соседними минимумами почернения на пленке после ее проявления, Формула изобретени яУстройство для измерения несущейцастоты однократных СВЧ-импульсов,Составитель В.ПоротовТехред Л.Сердюкова Корректор И,Иаксимишинец 1 Редактор В.Бугренкова Заказ 327 Тираж 556 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул.Гагарина, 191 5 15521 содержащее отрезок волновода, на одном конце которого расположены корот" коэамыкатель с регулируемым коэффициентом отражения и измерительный блок, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью упрощения и повьаения, помехоэащищенности, измерительный,. блок выполнен в виде газонаполненной диэлектрической трубки, размещенной 14 6по оси отрезка волновода, полостькоторой разделена с помощью оптическинепрозрачных диафрагм на секции, вкаждой из которых по оси горизонтальной диэлектрической трубки размещенафотопленка, причем диаметр гаэонаполненной диэлектрической трубки и шагдиафрагм значительно меньше длиныоси волны,