Схема управления газоразрядной лампой цифровой и знаковой индикации

Номер патента: 145636

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Жаленас, Шуминас

МПК: G01R 19/00, G01R 31/25

Метки: запирающего, ламп, электронных

...при достижении анодным током установленной величины.Отсчет запирающего напряжения производится по шкале ламповото вольтметра ЛВ с достаточно большим входным сопротивлением, выполненного по обычной мостовой схеме. Для регулировки остаточного анодного тока применяется переменное сопротивление 1 х 2, позволяющее регулировать ток запертой лампы в довольно широких пределах, начиная от нескольких микроампер. После измерения конденсатор С разряжается через контакт К.Л 145636 В случае плохого вакуума или пониженной междуэлектродной изоляции испытуемой лампы конденсатор С быстро разряжается, и испытуемая лампа частично отпирается, что вызывает периодическое срабатывание реле ЛР и качание стрелки лампового вольтметра.Описанная схема была...

Номер патента: 1057999

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Герасимов, Хузмиев, Хузмиева

МПК: H01J 9/38

Метки: бесштенгельной, газоразрядной, лампы

...обеспечивающей нагрев кол .бы до температуры, превышающей эксплуатационную, а .йосле наполнениялампы рабочим газом уменьшают тепло".,На чертеже изображена лампа, уста.новленная в герметичной камере дляОбрабОтки поданному Способу.В .герметичной. камере 1, имеющей З 0 ввод 2 для откачки объема и .введения газа, а также герметичный токо,- ;ввод 3 в купольной части, на котором укреплена теплоотводящая де-.,ф таль 4, в данном варианте,с тепло рассеивающим радиатором, вертикально запаянным токовводом 5 вверхустановлена лампа б., Токоввод 5плотно контактирует с теплоотводйщей деталью 4, входя в углубление 40 последней. Второй; незапаянный токоввод 7 с прокладкой З.из .мягкого.припоя. (сплав олово- титан), междутитановым цилиндром...

Номер патента: 1737564

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Абрамян, Агабабян, Вартанян, Галстян

МПК: H01J 61/54

Метки: газоразрядная, лампа

...и сокращается время повторного зажигания. 1 ил,давления, содержащая наружнудвумя основными электродамивспомогательным электродом,ненным с противоположным осн ванной или газпнаполненещена кварцевая горелкамя одинаковыми электро 3173дами 2, 3 и 4. Злектроды 4 и 3 соеди-нены между собой проводниками 5 и7 и биметаллическим элементом 6, замыкающим цепь в нерабочем состояниии расположенным у конца с двумя электродами,При включении лампы между электродами 2 и 4 возникает тлеющий разряд,быстро переходящий в дуговой. Междууказанными электродами поддерживаетсясильно ионизированная термическаяплазма, а электроды нагреты до рабочей температуры, Осажденные на поверхностях электродов галогены и галогениды испаряются,.в результате чегоснижается...

Номер патента: 140901

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Карандеев, Соболевский

МПК: G01R 17/02

Метки: компенсационных, напряжений, отсчета, схемах

...декады и добавочное сопротив(и)ление Я,) (фиг. 1). Величину этого добавочного сопротивления находят из условия получения требуемого значения отношения токов (равного 10)" =10,Откуда Йд" = 8,1 го Предмет изобретения Устройство для регулировання и отсчета напряжения в компенсационных схемах измерения, состоящее из ряда декад сопротивлений, снабженных сдвоенными переключателями, установленными через один или через два выводных контакта декады и соединенных по каскадной схеме таким образом, что каждая последующая декада присоедине:(а к контактам переключателя предыдущей декады, шунтируя часть секций последней, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения устройства, сопротивления всех декад выполнены одной величины, а для...

Номер патента: 1408424

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Свердлов, Соскин

МПК: G05F 1/56

Метки: интегральной, подложки, смещения, схемы

...соединен с обидней шиной 5, а затвор - с его стоком, вход инвертора соединен с первой шиной 6 управляющих импульсов, сток транзистора 4 заряда - с подложкой 7 ИС через МДП- транзистор 8 разряда, затвор которого соединен с второй шиной 9 управляющих импульсов, второй вывод конденсатора 3 - с эмиттером биполярного транзистора 1 О, коллектор и база которого соединены,с подложкой 7 интегральной схемы. При реализации в виде ИС конденсатор 3 образован обкладками из поликристаллического кремния и диффузионного (например, п)слоя, от которых сделаны отводы в схему устройства, а вокруг диффузионной обкладки конденсатора расположена диффузионная шина, отделенная от конденсатора участком подложки,Устройство работает следующим образом.Во время...