Устройство для рефлексотерапии
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1517956
Автор: Тышкевич
Текст
(5 И 4 А 61 Н 39/00 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР. ЯО 1517956 А 1 2пульсов, электроды 6. Формирователь 4 импульсов содержит элемент И 7, два одновиб. ратора 8 и 6, два ключа 9 и 11, конденса. тор 17, стабилизатор 10 тока, первый и второй резисторы 12 и 13, диод 15 и стабилитрон 14. Устройство позволяет формировать импульсы как остроконечной, так и прямоугольной формы в диапазоне частот 00 - 5 кГц. Предельная амплит да импульсов 200 В. Амплитуды и длителынсти положительной и отрицательной полуволн регулируются независимо. Устройство можно эксплуатировать в полевых условиях. 2 ил.1 зо 6 ртс нис Относится к меди(инской ГС ХНИК, ц 3 СТНОС 1 К Прц 6 ОрдМ Лля рф- ,КСОГС РДПИ 1 Г11 ль и.и 6 ретения - нвышение эффекг 3 цси р;) цс Втичсскогц Воздейстьия пл-((3 С Р;3 ПИ И РЗНОПОГ 51 РНЫ.( ИМПЛьсцв и:пиркцч диапазоне частот и амплитуд.11;) фи) 1 прслстдвлнд функциональная схс м;) ус рцйсзв лля рсфлексотердпии; и;1 113 Р.чс)131 ь)с,1 дГРдмчь, 11051(.нчн)- п)3. )(360 тл чстрцис тв 3.Л ТРОИ ГВО,ЛЯ РСфгКОТЕР)П 33 СС)ЛЕР- к. г;)йчр 1, псрвцй и второй выхц,ьы кц РОГО (ОС,цнЦЬ 1 СЦОТВТС В(.ННО С ВХОЛ;1 МИ пс рцоГОи ВГ(реп) 3 ыл;)нп 1 х Гснс рзт)рцв, ц),)хцль кцгцрцх пц;кс)н)чць соотвтствнцц к псрвл) и второму входим формиров;ьт- . 4 )лпу.)ь(03, третий вхол которогц по,- К)03(Ц К 3 СГОЦ ЦИК ) ПТ 3 НИ 51, с ВЬХОЛ,и р ис Ор 13, си лиценнь)н д)кзчи . ;)6:,)и;рцц 14 и Лицд 15, д тзкжс второй с. 1 )) )(3)Г)) 1 6К 0 1.1 С )(с 3 Т 0 р 1 7 ,1 С ) В с ) 51 06 К, , К; Кц ГорО ИО,1 К,)К)ЧС)3 К 06 П ТО. к р( исгрцц 12 и 3, кдтцлу стдбилитро 14 и )ь),0.у фцрчирц)зт(ля 4 ичпу,1 ьсов,ц цр;)я к п(рвцч) вхцлл второго к К)- и(1, Вцрцй цхоз кцпрог снлинс ц с )зьхццм цгорцгц оццци 6 р;ь горд 16, вхоз кцтцрс. ) (,)0.1),Кцси к Вцхц,1 у првого о)ьцц)336 р 3 )Ор 8 15)црц 3 Вцццл псрвогц рВист(рд 12 1),1 К,)Н)1(Ц К ВЫ ХОЛУ П.РЦОГО К,К)сД , ВТОРОЙ ц,)ги)л ц)р(н 0 )с (исторг 13 сцгь)33( ц с к;)п)- .1 Лицдд 15, ВыхоЛоч второго клк) ш 11 и нпн и п)иццй. 11(рвцй и второй вхцлц э,- лс 1 1)1 я ВЛ 51 к) Гс 51 пс рви ч 13 Вторь) л Вхц,)ч )Орлрц 3;)г)я 4 ичпу,ьсцв, д вх.1 ) ргя 0 клнц 1 с п гртьил ВхЛом.х с)нис гьц р(ц г:1 т слелуюпим 06 Р,) (ОЧ1;)имр 1 06 спс чивдт;1,ит.ьц(и гь П)(1(,)Л РЬ 3( С Ц 3 С .с 1.(Д ННОГО 13 Р( ЧС Ц) ( )3 )3 К,НЦ сс Г 3 0 Г К,1 Н )3 С 1 3 с; Ы К) Ии (.р,) гцрц 2 и 3, кцОрьс 3 ьрдбдтьВин)1 гдктцв,с ич)у ьсц (фис, гнрдтцр 3),;3 т;к/к( и л Ич,)ь(ы 3; и,1 цсн 1351 ( фи Г 6 ) цсрсь. Ор 2) (;и Ндлц Ог 0(них гцрдторцв поступ)н 1 ц;) входы,и)гицского элсчцт;3 7 11, К). 0 Р 1)фР Л И РС 1 П с КСТ Ь Ч П Р Д Н, Я К) П 3 Х ичцульсцц л,я фцрмирцвдпгля 4 (фи 2 ц). .-)И 1 Л ПС.Ь(Ы ПЛ 1 Н)ТС 51 Цс 1 ВХОД 0;ЦО 3 И 6- р ) гцр; 8, кцгцрц Хпрьвлят рдбот(и клн)- ц,)1 и 0 )И)ви 6 рдгор;3 16 (фиг. 2, ). КГ)нц 11 ,(к;)с гс 1 0.нви 6 рдтцроч 16 фиг. 2 д)1 ри пцс гл .Нии л пр 3 сяюц го лИл.пс, ц;3 вх л ОлцоН 1 брдторд 8 п)сл.пий От. К .) ) ) )(Г К, ) Н3 . ), ПЛ К.1 К) Ц с 1 51 С Т с) 613,1 3 33 Тц ) ) )к,и п(рвц)1 резистор 12 к положит(,иц)иц( исгцццик; 5 питания Ецц,с цс;).01)Гс)151 ГК с(51 (Т 36 ИЛЕ Н Ь Л ГО)ОЧгорой резистор 13 и последоват,ьно соединццыс сгдбилитрон 14 н днол 15. Одновречннц через первый резистор 12 протекает ток, когорый совместно с зарядным током коц,с цсыторд 17 формиру- импульсы поло,+,итсльцого напряжения на электродах 6.15,3 циьд эгого напряжения зави ит от параметров сгдбилитроца 14 и диода 15 (фиг. 2 е).110 окцнчднии действия имплльса одно.ви 6 р;торы 8 (фиг. 2 г) ключ 9 закрывается, О; о,ьцовибрзтцр 16 запускается фиг, 2 д),Огкрцвдя ключ 11. С 1 д электродах 6 обрается отрицательный илилльс напряжения, амплитуда которого убывает по мере разрялд конленсдтора 17 через резистор 13 и внспнн)н) ппь нагрузки (фиг. 2 е), при этом пдрдл,льндя цепь стзбилитронд 14 не проводит тцк, тзк как диод 15 закрыт приложенным к цлу 06 ратным напряжением10 Оконца ци и дсйстВи 5 ими,1 )сд О 1 но.вибрдпра 16 ключ 11 закрывается, з остдтцццци вряд с элктродов 6 сцимзется посрлствцч второго рзистора 13.11 рлдгычо лстройство позволяет форлровлплс)ьсы кык стрцкоцечной форчцтч числе импульсы типы островершицц;)я Вцлцд, фиг. 2 ), тдк и прямугольццц п)ирцкцм диапазоне частот ,к) 1.11 рслсльцзя змплигллд импчльсов можетЛстид ь 20 В. Алпстлды и длительности положи сльнцй и отрицательной полуволн 30 н 3 )висичц регулируются пыралетрыми олшнибр;)пров 8, 16, з тзкжпдрдмстрдми ,(чс п)цв фцрчир(пзтсля 4.,10 сгоицсвцл преллыгдлоп) у сгрцйствд51 Н, 15 "1 С Я (Г С Л Т (.Т В И С П 3 Р Д:3 И Т Н Ь) Х В )1 ) РО С О 13 и кц,3(63 )ии 33 с)црлс ьрд 6 дтывсМОГО 35 сигц 3,1;3. Устройство члцбцц ц экспгх 3 ць 33,чд(сц 3 и 3161 рить 1 позвол 5 к)т исцц 1 ьзов;ьть О и пцлсвых условиях Устройство пцзвц(1дкж. ИОВысить эл(к 1 р 06 зон 3(н)сть )3 прц)1 ссс эк(пг)у)тд 133, тдк как чаксималь- Ц Д 51 Э Ц СР Г И 51 И Л3 Л . Ь С О В 13 ОЗ 1 13 С Т В 3 Я О Г Р с 3 Н И- И ВЗСС 5 В 1 ИцИ ИОИ (Ч К(СТИ КС)Н 1 Сц(с)торс 1 Г.Фо(.5 (, г Сг .з 0(5)1 ГГ и.У(трой(т 30 лс 53 рефлксотерапии, солср )к;)НЬ( таймер первый и Втор)й выходы коГпрцп ск:инены сццтвтстве)но с вхолзчи ЦСРОГ 3 ВТОРОП) З)дсК)пьи) ГЦРДТОРОВ, РЫХО.Ь КОТОРЬ)Х ПОДК.1 К)1 НЬ) СООТВРТСТВ(ННО К ИСР ВОЛ У И ВТОРОМЧ ВХОЛ.:)Л фОРМИРОВЗТЕЛЯ ичпу.ьсцв, д в) хол к электродач, от,ги Гнщ(зч тс м, чт, с цельн) повышсния эфф( ктивццсти тердпвтичского возлйствия п) т( ч гс цердпии рдзнополярных импульсов В ц)прокол лиапазончаст т и длпгтлл, фцрчирцвзтль ичпу.)ьсов солержит со(лицццце пцс,нловдтельцо элемнт 11, первый 0.(ццви 6 рдтцр. первый ключ, стд 6 илиззп)р пк;), В Орцй ключ, соединенные поссцвдльц( ирвцй и второй резисторы, осли.цс ццц;)нолдли стабилитроц и лиол, д также517956 с сск 1 сс сссс с с сс, 11 с 1 эссс1 сссссТс рс 11 1 с рсс 1 ссррс л 1 и 1 Б К;свинин 1 ссп;с и с)4 З 11 сспсс ссс ссс р 1+.с;слссс 1 с М 1 няниясс нлсскисл;сс скззС) 1 П В 111111 1 сссгспрсгяесснсго лсслссс сися пи ииобритс нияи сгкрсс 1 ияч при Г 1111 С:с.с. 11 ЗС)З 5, Мсссквсс, Ж 35, Рпссспл;ся сссссз, л 4 5 11 рссссинсссс 1 ис 1 сссп ссспитс 1 с,с кссЙ лисписспг 11;сгс ссс, с. Х кксс 1 ссль и 1 ис ирсссс;с, 115второй одновибратор и конденсатор, первая обкладка которого подключена к общей точке первого и второго резисторов, катоду стабилитрона и выходу формирователя импуль сов, а вторая к первому входу второго ключа, второй вход которого соединен с выходом второго одновибратора, вход которого подклкчен к выходу первого одновибратора,6второй вывод первого резистора подключен к выходу первого ключа, второй вывод второго резистора соединен с катодом диода, выходом второго ключа и обшей шиной, первый и второй входы злемента И являются первым и втооым входами формирователя импульсов, а вход первого ключаего третьим входом.
СмотретьЗаявка
4149001, 20.11.1986
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6288
ТЫШКЕВИЧ ЕВГЕНИЙ ВАЛЕНТИНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: A61H 39/00
Метки: рефлексотерапии
Опубликовано: 30.10.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1517956-ustrojjstvo-dlya-refleksoterapii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для рефлексотерапии</a>
Предыдущий патент: Устройство для лечения позвоночника
Следующий патент: Лакопротез
Случайный патент: Прибора чесальной л1ашины