Устройство для защиты электронных блоков

(57) Изобретениетротехнике. Цель Ы ЭЛЕКТРОН 1 Я элекповы ля затноситс изобретен устройств блоковТ одной ток шение надежности щиты электронных 1 ограничивает в анзисто блока 2 а уровн Изо техниктение относится к может быть испол тронной аппарат зобретения - по ектровано в иоэл уре.вышен ие на 1 эле ежност ронных На фрои ов; ства для защина фиг,2 - диработу.,Устройстввой транзистпитания элек его иг,1) со т по й в шину 2, к вхо подключе нные стаен онного бл ным выво ны после билитрон 3 и 4 которогоательно соединеи резистор 6. П подсоединен ба первого биполяколлектор котор ралл ель ноа-эмиттерного транго через резистору ный перехзистора 7 строй разом ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ПНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗ(56) Заявка Японкл. Н 02 Н 9/02,Заявка Япониикл. Н 02 Н 9/02,еделяемом крутизной ха и устроиства для защ блоков.иг.1 изображена схем ты электронных аграммы, поясн ЯО 151 Л 99 рактеристики и напряжением затвористок, задаваемьм делителем на резисторах 13, 14. При цальнейшем уменьшении входного сопротивления блока 2транзистор 9 входит в усилительныйрежим напряжение затвор - истокуменьшается и вхоцной ток блока 2уменьшается. При повышении входногонапряжения происходит пробой стабилитрона 5, транзисторы 7, 9 переходят в усилительный режим, напряженис затвор - исток транзистора 1уменьшается и его сопротивление возрастает, Таким образом, происходитограничение напряжения на входныхвыводах 3, 4 блока 2 па уровне напряжения пробоя стабилитрона 5.1 з.п. ф-лы. 2 ил. резистор 8 поцключен к базовому выводу второго биполярного транзистора 9, Коллектор-эмиттерный переходтранзистора 9 через резистор 10 подсоединен параллельно переходу затвор-исток транзистора 1. К входнымвыводам 11 и 12 подключены последовательно соединенные резисторы 13 и14, общая точка которых соединена сзатвором транзистора 1. Резистор 15включен между стоком транзистора 1 ибазовым выводом транзистора 9, базаэмиттерный переход которого шунтирован резистором 16, Параллельно резистору 13 может быть включен стабилитрон 17. аботает следующим об5 10 15 3 151Б нормальном режиме работы транзисторы 7 и 9 закрыты, а транзистор 1 открыт, и сопротивление его канала минимально. При уменьшении входного сопротивления ток 16, потребляемый блоком 2, возрастает до уровня 1, определяемого крутизной характеристики и напряжением затвор - исток транзистора 1, задаваемым делителем напряжения, выполненным на резисторах 13 и 14. При этом рабочая точка по передаточной характеристике транзистора 1 (фиг,26) перемещается в точку М.При дальнейшем уменьшении входного сопротивления блока 2 транзистор 1 входит в режим насыщения, входной ток 1 в, совпадающий с током стока 1 с, ограничивается на уровне 1,М 4 Кс (фиг.2 а), напряжение сток - исток транзистора 1 возрастает, а напряжение на входах 3 и 4 блока 2 уменьшается, Увеличение напряжения сток - исток транзистора 1 приводит к увеличению напряжения база - эмиттер транзистора 9, последний переходит в усилительный режим и шунтирует резистор 13, в результате чего напряжение затвор - исток транзистора 1 уменьшается. Рабочая точка по передаточной характеристике транзистора 1 (фиг.26) смещается в сторону меньших токов стока, и входной ток блока 2 уменьшается.При коротком замыкании на входных выводах 3 и 4 блока 2 входной ток равен току Х з (фиг.2 а), меньшему максимального тока 1 , при этом рабочая точка на передаточной характеристике находится в точке И (фиг.26). Таким образом осуществляется защита фблока 2 от перегрузок по току,При возрастании входного напряжения происходит пробой стабилитрона 5, напряжение на база-эмиттерном переходе транзистора 7 возрастает.Транзистор 7 переходит в усилительный режим, и ток, протекающий через коллектор транзистора 7, вызывает открытие транзистора 9, который шунтирует резистор 13, При этом напряжение затвор - исток транзистора 1 уменьшается, транзистор 1 входит в режим насыщения и его сопротивление :возрастает. Таким образом происходит ограничение напряжения на входных ;выводах 3 и 4 блока 2 на уровне напряжения пробоя стабилитрона 5 без 20 25 30 35 40 45 50 55 учета напряжения база - эмиттер транзистора 7 . При этом ток через стабилитрон равен току, при котором наблюдается излом его вольт-амперной харак теристики и который составляет 0,5 - 3 ш А для большинства маломощ-, ных стабилитронов.При изменении входного напряжения,. напряжение затвор - исток транзистора 1 изменяется,что приводит к зависимости тока ограничения 1, от входного напряжения. Для уменьшения этой зависимости параллельно переходу затвор - исток транзистора 1 может быть включен стабилитрон 17. Формула изобретения1. Устройство для защиты электронных блоков, содержащее полевой транзистор, исток и сток которого соединены с первыми выводами соответственно первого и второго резисторов, входные и выходные выводы и первый стабилитрон, первым выводом подключенный к первому выходному выводу устройства, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышени надежности, в него введены первый и второй биполярные транзисторы взаимно противоположных типов проводимости, третий, четвертый, пятый, шестой и седьмой резисторы, при этом Исток и сток полевого транзистора соединены соответ. ственно, с первыми входными и вЫходным выводами устройства, затвор соединен с вторым выводом первого резистора и через третий резистор подключен к вторым входному и выходному выводам устройства и эмиттеру первого биполярного транзистора, через четвертый резистор соединенному с его базой, подключенной к второму выводу первого стабилитрона, коллектор первого биполярного транзистора через пятый резистор подключен к базе второго биполярного транзистора, сое" диненной с вторым выводом второго резистора и через шестой резистор подключенной к истоку полевого транзистора, через седьмой резистор соединенному с эмиттером второго биполярного транзистора, коллектор которого подключен к затвору полевого транзистора.2. Устройство по п,1, о т л и - ч а ю щ е е с я тем, что в него введен второй стабилитрон, включенный параллельно первому резистору.ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 13035, Мо ква, Ж, Раушская наб., д. 4/5