Триггер

149943ет, т,е. в исходном состоянии расход мощности в триггере равен нулю.При величине входного сигнала менее уровня срабатывания триггера тран 5 зисторы 1-3 остаются в закрытом состоянии.В том случае, если шина 6 соединена с анодом диода 9, то порог срабатывания триггера примерно равен двум 10 падениям напряжения на полупроводниковом переходе (диоде 9 и база-эмиттерном переходе транзистора 2 и небольшое падение напряжения на резисторе 5). В том случае, если в качест ве элемента 12 используют стабилитрон, то уровень срабатывания триггера равен сумме напряжения пробоя стабилитрона и двум падениям напряжения на полупроводниковом переходе. 20В том случае, если используется резистор 14 и источник 13 тока, ток с которого протекает по резистору 14 к источнику входного напряжения Б , то величина напряжения срабаты вания триггера равна падению напряжения на резисторе 14 плюс падение напряжения на двух р-п-переходах.Изменяя величину сопротивления при постоянной величине источника 30 13 тока, изменяют уровень срабатывания триггера.Таким образом, можно уровень срабатывания триггера установить любым, чего нельзя достичь при помощи ста билитронов.Вследствие падения напряжения на резисторе 14 на аноде диода 9 имеет место отрицательный потенциал по отношению к потенциалу Б. Для сраба тывания триггера напряжение Уз должно прев 1 сить напряжение на резисто-. ре 14.ФВ момент времени, когда величина напряжения превысит уровень начала 45 проводимости диода 9, через него, резистор 5 и база-эмиттерный переход транзистора 2 потечет ток. Начинает протекать ток через коллектор транзистора 2 и нагрузочный элемент 10. Вследствие падения напряжения на нагрузочном элементе 10 величина напряжения на коллекторе транзистора 2 падает, вследствие чего отпираются транзисторы 1 и.3., Через коллектор транзистора 3 начинает протекать ток, который создает на резисторе 5 падение напряжения, от которого диод 9 запирается и ток через него прекра 3 4щается. Ток коллектора 3, протекающий через резистор 5, еще более отпираеттранзисторы 1-3, Ток через резистор 5 еще более увеличивается, еще более отпираются транзисторы 1-3 и т.д., т.е. происходит лавинообразный процесс, после которого транзисторы1-3 переходят в насыщенное состояние и на нагрузочном элементе 10 почти полностью имеет место падение напря. - жения, равное напряжению на шине 8 эа вычетом малого падения напряженияна коллекторно-эмиттерном переходе транзистора 2, В этом режиме величина входного сопротивления определя"ется величиной сопротивления транзистора 1, включенного по схеме с общим коллектором. Величина сопротивления резистора 4 может быть весьма высокой, поскольку для удержания транзистора 2 в насыщенном состоянии,величина тока базы транзистора 1 должна быть в произведение коэффициентов усиления транзисторов 1-3 раэ меньше, чем ток нагрузки через нагрузоч- . ный элемент 10. Это является одним из основных достоинств предлагаемого триггера. Причем при изменении коэффициента усиления транзистора 1, например, под действием температуры пропорционально изменяется и входное сопротивление триггера, минимально необходимый ток базы транзистора 1., при котором триггер удерживается в указанном устойчивом состоянии.Для перевода триггера в исходное состояние необходимо уменьшить величину входного .напряжения до такого уровня, при котором ток через базу транзистора 1 станет меньше минимально необходимого, при этом напряжение на коллекторе транзистора 2 по"вышается, ток базы транзистора 1 еще больше уменьшается, еще больше уменьшается ток коллектора транзистора 3,ток базы транзистора 2 и 1 и т.д.,т.е. происходит лавинообразный про"цесс, после которого транзисторы1-3 скачком закрываются. Другим важным достоинством предлагаемого технического решения является большойгистерезис по величине входного тока.Отличие величины тока срабатыванияот тока отпускания более 1 ОфФормула из обретенияТриггер, содержащий первый и второй транзисторы первого типа прово704/52 Тир Государственного комите113035, Москва аж 884по изобретенЖ, Раушска Заказ ВНИИПИ Подписноем и открытиям при ГКНТ СССР наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.у 3 кгород,агарина,10 5 14димости, третий транзистор второготипа проводимости, эмиттер которогосоединен с шиной питания, первыйвывод диода соединен с входной шиной,а первые выводы первого и второгорезисторов соединены соответственно,с эмиттером первого и базой второготранзисторов, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью расширения области 99433бприменения, база первого транзисторасоединена с входной шиной, эмиттерс базой третьего транзистора, коллвктор которого соединен с вторыми выводами диода и второго резистора,эмиттер второго транзистора подключен к общей шине, а коллектор - к выходу и второму выводу первого резис тора.