Преобразователь переменного напряжения в постоянное

Номер патента: 1457123

Автор: Ткачев

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИК А 1 145712 Н 02 М САНИЕ ИЗОБРЕТЕН СВИДЕТЕЛЬСТВ ВТОРС)Т12, Вып.5,области использо озможнос ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИПРИ ГКНТ СССР(56) Микроэлектроника1983, с.455, рис.2 а.Авторское свидетельство СССР 9 1221705, кл, Н 02 М 7/155, 1985(54) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ В ПОСТОЯННОЕ(57) Изобретение относится к электротехники и может быть вано в источниках питания интегральных микросхем. Цель изобретения - расшйрение функциональных в тей и повышение эффективности путем обеспечения питания трех нагрузок и повышения величины среднего значения выпрямленного напряжения за счет обеспечения работы устройства в режиме двухполупериодного выпрямления. Устройство состоит из двух транзис" торных групп, каждая из которых включает три транзистора, соединенные базами. В первую группу входят транзисторы 1,2,4, а во вторую - транзисторы 3,5,6, причем транзисторы 1,3,4 имеют р - п - р-тип проводимости, а транзисторы 2,5,6 - и - р - и-тип проводимости. Коллекторы транзисторов 4, 1 и 6,5 соединены соответственно через диоды 10,11. Коллекторы транзисторов 1,2, и 3,5 соединены, соответственно с нагрузками 7,9, Нагрузка 8 включена между эмиттерами транзисторов 2,3. Эмиттеры транзисторов 1,6 и 4,5 соединены соответственно с входными выводами 12,13. За счет указанного соединения элементов за один период входного синусоидального напряжения на нагрузках 7,8,9 появляются две положительные полуволны выпрямленного напряжения, т,е. осуществляется процесс двухполупериод- Се ного выпрямления. При этом пары транзисторов 1, 2 и 3,5 в положительный полупериод и пары транзисторов 4,2 и 3,6 в отрицтельный полупериод ра ботают в инжекционном режиме. 1 ил, 4 фМИзобретение относится к электротехнике и преобразовательной техникеи может быть использовано в источниках питания интегральных микросхем.Цель изобретения - расширениеФункциональных возможностей и повышение эФФективности преобразователяпутем обеспечения питания трех нагрузок и повышения величины среднего 10значения выпрямленного напряжения,что обеспечивается работой устройства в режиме двухполупериодного выпрямления,На чертеже представлена схема 15преобразователя.Преобразователь переменного напряжения в постоянное содержит транзисторы 1-6, из которых первый 1, третий 3 и четвертый 4 - р - и- р-типа, 20а второй 2, пятый 5 и шестой 6 -и - р - п-типа, а также первую 7, вторую 8 и третью 9 нагрузки, первый10 и второй 11 диоды, Причем, базыпервого 1 и второго 2 транзисторовсоединены между собой, а их коллекторы подключены к первой нагрузке 7,эмиттер первого транзистора 1 соединен с первым входным выводом 12,эмиттер второго транзистора 2 соединен с первым выходным выводом второйнагрузки 8, а эмиттер третьего транзистора 3 подключен к второму выходному выводу второй нагрузки 8, базытретьего 3, пятого 5 и шестого 6транзисторов соединены между собой,коллекторы третьего 3 и пятого 5транзисторов подключены к третьейнагрузке 9, эмиттеры четвертого 4 ипятого 5 транзисторов соединены между собой и подключены к второму входному выводу 13, база четвертого транзистора 4 соединена с базами первого1 и второго 2 транзисторов, а коллектор через первый диод 10 подключен 45к коллектору первого транзистора 1,эмиттер шестого транзистора 6 подключен к точке соединения эмиттерапервого транзистора 1 с первым входным Выводом 12, а коллектор через 50второй диод 11 подключен к коллектору пятого транзистора 5.Преобразователь переменного напряжения в постоянное работает следующим образом.55При появлении положительной полуволны синусоидального напряжения напервом входном выводе 12 и отрицательной полуволны на втором входном выводе 13 эмиттерные переходы транзисторов 1-4 смещаются в прямом направлении. Эмиттериый ток транзистора 2, протекая по нагрузке 8, вызывает падение напряжения на этой нагрузке, которое является выходным напряжением,Транзисторы 1,2 и 3,5 работают винжекционном режиме, Носители заряда,инжектированные из эмиттеров транзисторов (дырки для транзисторов 1 и 3,электроны для транзисторов 2 и 5),проходя область базы, экстрагируютсяколлекторами. За счет избыточного заряда дырок в коллекторах транзисто-,ров 1 и 3 возникает положительныйинжекционный потенциал, а вследствиеизбыточного заряда электронов в коллекторах транзисторов 2 и 5 - отрицательный потенциал, Между коллекторамитранзисторов 1,2 и 3,5 возникает инжекционное напряжение, которое является выходным напряжением инжекционных источников, т,е, напряжением нанагрузках 7 и 9. Это напряжение определяется суммой потенциальных барье- .ров коллекторных переходов транзисторов 1,2 и 3,5 в равновесном состоянии и для кремниевых транзисторовнаходится в пределах 1,5 В.Выходное напряжение на нагрузке 8может иметь значительно большую величину и определяется как разность меж"ду амплитудой входного синусондального напряжения и падением напряжения на эмиттерных переходах транзисторов 1-4При появлении отрицательной полуволны синусоидального напряжения напервом входном выводе 12 и положительной полуволны на втором входномвыводе 13 эмиттерные переходы транзисторов 1 и 5 смещаются в обратномнаправлении и эти транзисторы запираются.В то же время смещаются в прямомнаправлении эмиттерные переходы транзисторов 2,3,4 и 6; Транзисторы 4,2и 3,6 образуют пары, работающие винжекционном режимеНосители заряда,инжектированные из эмиттеров транзисторов (дырки для транзисторов 3 и 4,электроны для транзисторов 2 и 6),проходя область базы, экстрагируютсяколлекторами. Между коллекторамитранзисторов 2,4 и 6,3 образуетсяинжекционное напряжение, т.е. напряжение на нагрузках 7 и 9. Ток эмитте1457123 ра транзистора 2 создает падение нат пряжения на второй 8 нагрузке.Диоды 10 и 11 необходимы для предотвращения работы транзисторов 4 и б в инверсном режиме.Таким образом, во всех трех нагрузках 7-9 за один период входного синусоидального напряжения появляются две положительные полуводны выпрямленного напряжения, т.е. происходит процесс двухполупериодного выпрямления. 10 Формула изобретения Составитель А. КирилловТехред М.Ходанич Корректор В.Бутяга Редактор А. Ворович Заказ 7488/55 Тираж 645 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Преобразователь переменного напряжения в постоянное, содержащий два транзистора р - и - р- и и - р - и-типа и две нагрузки, причем базы первого р - и - р-транзистора и второго и - р - п-транзистора соединены между собой, а их коллекторы соединены с выходными выводами для подключения первой нагрузки, эмиттер первого транзисто ра соединен с первым входным выводом, а эмиттер второго транзистора подключен к первому выходному выводу для подключения второй нагрузки,отличающийся тем, что,с целью расширения функциональныхвозможностей и повышения эффективности, в него дополнительно введенытретий и четвертый р - и - р-транзисторы, пятый и шестой п - р - п-тран-.зисторы, первый и второй диоды, приэтом эмиттер третьего транзистораподключен к второму выходному выводу для подключения второй нагрузки,базы третьего, пятого и шестого тран.эисторов соединены между собой, коллекторы третьего и пятого транзисторов образуют выходные выводы дляподключения третьей нагрузки, эмиттеры четвертого и пятого транзисторов соединены между собой и подключены к второму входному выводу, базачетвертого транзистора соединена сбазами первого и второго транзисторов, а его коллектор через первыйдиод подключен к коллектору первоготранзистора, эмиттер шестого транзистора подключен к точке соединениязмиттера первого транзистора. с первым входным выводом, а его коллекторчерез второй диод подключен к коллектору пятого транзистора.

Смотреть

Заявка

4212703, 23.03.1987

А. И. Ткачев

ТКАЧЕВ АНАТОЛИЙ ИВАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H02M 7/155

Метки: переменного, постоянное

Опубликовано: 07.02.1989

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1457123-preobrazovatel-peremennogo-napryazheniya-v-postoyannoe.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Преобразователь переменного напряжения в постоянное</a>

Похожие патенты