Отражатель квантрона твердотельного лазера

Номер патента: 1435113

Авторы: Беляк, Герасимова, Леонов, Сапрыкин, Щедров

ZIP архив

Текст

СНИХИЧЕСИИК ООЭ СОВ ЦИА ЛИС СПУБЛИ,ЯО,51)5: Н 01 Б МИТЕТ СССРИЙ И ОТНРЬТИЙ ГОСУДАРСТВЕНИЫИПО ДЕЛАМ ИЗОБ ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ВИДЕТЕЛЬСТВУ Н АВТОРСН аЗ(56) Микаэлян Л.Л. и др. Оптические квантовые генераторы на твердом теле М.: Сов. радио, 1967, с. 79-87,Гардашьян В,М. и др. ГЬрокополосные интерференциониые отражаюшие покрытия осветителей оптических генера торов. - Квантовая электроника, 1971 И 3, с. 113-1 15.(54 ) ОТРЛУЪТЕЛЬ КВЛ 1 ТРОИЛ ТВЕРДОТЕЛЪ НОГО ЛАЗЕРА(57) Изобретение относится к кванто" вой электропке и может быть использовано в квантронах с безжидкостнымохлаждением. Кель" повышение КПД инадежности отражателя. Подложка отражателя выполнена из термообработанного стекла структуры ИО-А 20-810.На подложку нанесено покрытие нз смеси окиси циркония с размерами ча"тиц2-80 мкм и жидкого калиевого стеклас плотностью 1,11-1,15 г/см при соотношении компонент 1:1, причем числослоев покрытия выбрано от 2 до 4, Этопозволило повысить КПД отражателядо 30% и увеличить надежность отражателя до 1 Оф импульсов наработки.Изобретение отиоснтся и квантовойэлектронике и может быть использовано в квантронах с безжг,гдкостныи охлаждегпгеи полости накачки.Цель ггзобретенйя " увеличение КПД5 и надежности отражателя,Сущность изобретения поясняется чертежом.Отражатель. квантрона содержит под О ложку 1, сквантывающую активный элемент 2, устагговленный внутри сапфиро вого теплоотвода, выполненного в ви" де коаксиального цилиндра 3. В отражателе также расположены две лаины 15 накачки 4, установленные сииметрично "по разные стороны активного элемен. та, параллельно его оптической,оси. Оптические оси ламп накачки и активного элеиента лежат в одной плоскос ти. На подложку нанесено многослойное покрытие.Подложка выполнена нз термообработанного стекла марки СОсистемьг г 1 О-А 10 -ЫО, а покрытие - из 25смеси окиси циркония с размерами частиц 2-80 мкм и жидкого калиевого стекла с плотностью 1,11-1,15 г/см пргу соотношении компонентов 1 ф 1, прн" чем число слоев покрытия выбрано от 502 до 4.Термообработка стекла позволяет увеличить его коэффициент отражения. После териообработкн коэфФициент отражения стекла системы ЫО-Ы О- ЯО увеличивается до 907. Высокий коэффициент отражения позволяет наносить небольшое количество слоев покрытия, увеличивает механическую прочность последнего, 40Окись циркония, как показали эксперименты, являетсястойкой к воз" действию излучения лампы накачки и обеспечивает увеличение коэффициента отражения отражателя квантрона не .менее чем до 94 Ж, Жидкое калиевое стекло сочетает прозрачность н проч" кость к механо-климатическим яоздействияи. При меныпих размерах частиц окиси циркоиия коэФФициент отражения уменьшается, так как размер частиц становится сравнимым с длинойволны излучения накачки. Прн большихразмерах частиц покрытие становитсярыхлыи и осыпается при иеханичесвких воздействиях,Соблюдение ограничений по плотности жидкого калиевого стекла и величине отношения массы окиси цирко"ния к массе жидкого калиевого стекланеобходимо дпя получения механически прочного покрытия.При использовании жидкогог раствора для нанесенияпокрытия необходимо для обеспечениявысокого коэффициента отражения наносить большое количество слоев, чтоуменьшает механическую прочность покрытия. При "густои" растворе покрытие получается "рыхлым". Механическая прочность покрытия уиеньшаетсятакже, если число слоев покрытия бо"атее 4. При одном слое уменьшаетсякоэффициент отражения отражателя,Нанесение укаэанного покрытияна подложку отражателя позволило уве"лнчить КПД отражателя до 15-ЗОХ упринакачке активного элемента нз алкиоиттриевого граната с неовимом энергией от 4 до 40 Дж) и повысить наработку отражателя до 10. импульсов.Формула изобретенияОтражатель квантрона твердотельного лазера, включающий подложку с. нанесенными на нее слоями покрытия, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения КПД и надежности отражателя, подложка выполнена иэ териообработанного стекла структурыЫО-ЫО-ЫО, а покрытие - из смеси окиси. цнркония с размераин чаетиц 2-80 мкм и жидкого калиевого стекла плотностью ,11-1,15 г/см при соот 3ношении компонент 1:1, причем покрьг тие содержит от двух до четырех слоев.435113 орректор М,Васильева дпис 97 Заказ 432 Государственного комитета ССелам изобретений и открытийсква, Ж, Раущская наб., д

Смотреть

Заявка

4174957, 08.10.1986

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3695

БЕЛЯК Л. Ф, ГЕРАСИМОВА Л. Г, ЛЕОНОВ Г. С, САПРЫКИН Л. Г, ЩЕДРОВ М. В

МПК / Метки

МПК: H01S 3/02

Метки: квантрона, лазера, отражатель, твердотельного

Опубликовано: 30.12.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1435113-otrazhatel-kvantrona-tverdotelnogo-lazera.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Отражатель квантрона твердотельного лазера</a>

Похожие патенты