Устройство для детектирования сверхвысокочастотных сигналов

,80136499 4 С 01 К 21/О 0 АНИЕ И ОБРЕТ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ иног а концах ря такой очногвсей ость пональнаволны. датчика тличает тветстоверхдвух вааны ил..п. ф-лы 2 ил нтов устр - ва,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(71) Саратовский филиал Институтарадиотехники и электроники АН ССС(56) Авторское свидетельство СССРУ 813284, кл. С 01 К 21/09, 1979.Медников А.М. и др. Увлечениеэлектронов поверхностной спиновой волной в тонкопленочнои структуреЖИГ-п-ФТТ, 1981, т,23, с.2116-2120.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДЕТЕКТИРОВАНИЧСВЕРХВ 1 СОКОЧАСТОТНХ СИГНАЛОВ(57) Изобретение относится к техникеСВЧ. Цель изобретения - повьппениечувствительности. Устр-во содержитмагнитостатический волновод 1, на котором расположены входной преобразователь 2 и полупроводниковый датчик3, выполненный в виде нескольких одинаковых параллельных полос 4 полупроводникового материала, разделенныхполосами диэлектрика 5, на концах которых нанесены омические контакты 6,соединенные металлическими проводниками 7, а также измеритель 8. Входной СВЧ-сигнал преобразуется в магнитостатическую волну, распространяющуюся в волноводе 1. При разменении датчика 3 на поверхности волноводапоперечное электрическое имагнитное поля проникают в полупроводник, где,воздействуя на носителизаряда, вызывают их движение в направлении распространения волны. Направленное движение электронов в кадой полосе 4 приводит к накоплениюзаряда, которое продолжается до техпор, пока с о поле не останавливает направ движения носителей заряда, Н каждой полосы 4 накапливаетс же заряд, как и в случае од полупроводника, но на конца цепи при этом возникает раз тенциалов, которая пропорци мощности магнитостатической Цель достигается выполнение 3. Устр-во по пп.2 и 3 ф ся расположением полос 4 венно одна над другой и на ности волновода 1. ДИзобретение относится к технике СВЧ и может использоваться для измерения и детектирования СВЧ-сигналов в широкой полосе частот, в том числе импульсных и амплитудно-модулированных сигналов.11 елью изобретения является повышение чувствительности.На фиг.1 изображено устройстводля детектирования сверхвысокочастотных сигналов, первый вариант; нафиг,2 - то же, второй вариант.Устройство для детектирования СВЧсигналов содержит магнитостатическийволновод 1, на котором расположенывходной преобразователь 2 и полупроводниковый датчик 3, выполненный ввиде нескольких (И) одинаковых параллельных полос 4 полупроводникового материала, разделенных полосамидиэлектрика 5. На противоположныхконцах каждой -й (1д . М) полосы4 полупроводникового материала нанесены омические контакты 6 (А, и В ),причем контакты А; и В;,соединеныпри помощи металлических проводников7 так, что полосы 4 полупроводникового материала образуют последовательную цепь. К контактам А, и В подключен измеритель 8.Общая толщина Е полупроводниковогодатчика 3, а также толщина с 1 полос 4полупроводникового материала должныудовлетворять условию11.1; с 1- д,ск ф где 1 - глубина скин-слоя электромагнитной волны на частотесигнала;- ширина входного преобразователя.Устройство работает следующим образом.СВЧ-снгнал поступает на входной преобразователь 2 и преобразуется в магнитостатическую волну, распространяющуюся в магнитостатическом волноводе 1. При размещении на поверхности магнитостатического волновода полупроводникового датчика 3 поперечное электрическое и магнитное поля волны проникают в полупроводник, где, воздействуя на носители заряда с силой Лоренца, и вызывают их движение в направлении распространения волны, Направленное движение электронов в каждой полосе 4 полупроводникового материала приводит к накоплению заряда на концах омически разомкнутойполосы из полупроводникового материала, Заряд накапливается до тех пор,пока созданное им электрическое полене остановит направленного движенияносителей заряда. Поскольку накопление заряда зависит от плотности мощности МСВ по ширине структуры, на концах каждой полосы 4 накопится такойже заряд, как и в случае одиночногополупроводника, но на концах всейцепи при этом возникает разность1 г потенциаловабч,:где- разность потенциалов между1Концами одного слоя (поло 20 сы),11 - оказывается пропорциональоБц,ным мощности магнитостатической волны,25 Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я1, Устройство для детектированиясверхвысокочастотных сигналов, содержащее магнитостатический волновод, З 0 расположенные на нем входной преобразователь и полупроводниковый датчик с омическими контактами, о т -л и ч а ю щ е е с я тем, что, сцелью повышения чувствительности, полупроводниковый датчик выполнен в виде последовательно соединенных припомощи омических контактов одинаковых параллельных полос полупроводникового материала, разделенных полоса ми диэлектрика, причем первые концыкаждой иэ одинаковых параллельныхполос полупроводникового материаларасположены на одном уровне и соединены с вторым концом соседней одина ковой параллельной полосы полупроводникового материала, а толщина полупроводникового датчика Е1 , где1, - глубина скин-слоя, а толщинаодинаковых параллельных полос полу 1проводникового материала с 1 с -у2где ч - ширина входного преобразователя.2. Устройство по п.1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что одинаковые параллельные полосы полупроводникового материала расположены одна над другой,1364995 3. Устройство по п.1, о т л и - ч а ю щ е е с я тем, что все параллельные полосы полупроводникового поверхволноматериала расположены на ности маннитостатического вода,Фиг, Г Составитель Е.АдамоваРедактор Н.Гунько Техред М.Ходанич Корректор И.Муска Заказ 6 б 03/38 Тираж 772 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5