Генератор тока

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИК 1% (11) 511,1 Н 03 Г 3(4 ЕТЕНИЯ 4103999/24-09 02,06,86 30,12.87. Бюл Б.А. Гарбуз, Л. Опалев 621.375.024(06) Микросхема КН(53) Коновалов 8.8) 9 КН е т к микро ия - ст широком асиента усижит двух- транзисна трани 7 и, о тока СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРО делАм изОБРетений и ОтнРытий(54) ГЕНЕРАТОР ТОКА (57) Изобретение относится электронике. Цель изобрете билизация выходного тока в диапазоне изменений коэффи ления. Генератор тока соде коллекуорный транзистор 1, торы 2 и 5, токовое зеркал зисторах 3 и 4, резисторы диод 8, При задании входно транзистор 1 открывается, через диод8 протекает незначительный ток ибольшая часть эмиттерного тока транзистора 1 течет из эмиттера транзистора 5. Когда на базе транзистора 5потенциал понизится, то транзистор5 начинает стабилизировать свой эмиттерный ток, а следовательно, застабилизируется и выходной ток транзистора 1. Если коэффициент передачи токового зеркала равен единице и токиобоих коллекторов транзистора 1 равнымежду собой, то выходной ток пропорционален коллекторному току транзистора 3, при этом на величину выходного тока не влияет коэффициент усиления транзистора 1, который являетсянаиболее нестабильным параметром.Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для использования в логических и интегральных схемах, реализуемых по высоковольтной биполярной технологии,Цель изобретения - стабилизациявыходного тока в широком диапазонеизменений коэффициента усиления,На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого генератора тока.Генератор тока содержит первыйтранзистор 1, выполненный двухколлекторным, с второго по пятый транзисторы,2-5, первый 6 и второй 7 резисторыи диод 8.Генератор тока работает следующимобразом.При задании входного тока первыйтранзистор 1 открывается, на егоэмиттере поддерживается потенциал= Б - Б - иЭ П, ЭБ 2 В)где Б - падение напряжения на базоЭ 62эмиттерном переходе второго транзистора 2Б - падение напряжения на дио-8де 8,Через диод 8 протекает незначи- З 0 тельный токбЭ 2 6 + 6 э 216 э 2= 1 к 2: Р 2 1 к 2 1 вх,где 1 - токпротекающий через6 Э 2базоэмиттерный переходвторого транзистора 2,12 - колЛекторный ток второготранзистора 2,2 - коэффициент усиления второго транзистора 2Большая часть эмиттерного токапервого транзистора 1 течет из эмиттера пятого транзистора 5.Выходной ток, протекающий через 45первый коллектор первого транзистора1, пропорционален току, протекающемучерез второй коллектор данного транзистора и.поступающему в четвертый(задающий) транзистор 4 токовогозеркала, Следовательно, через третийтранзистор 3 токового зеркала протекает ток 1 к , пропорциональный выходному току,На базе пятого транзистора 5 соз- -5даЕТСЯ ПОТЕНЦИЗЛ 166 = НП Н 2 1 к 9Когда на базе пятого транзистора5 потенциал понизится до Уэ, - Уэ 66,пятый транзистор 5 начинает стабилизировать свой эмиттерный ток, а следовательно, застабилизируется и выходной ток первого транзистора 1При этом через второй резистор 7 протекает ток 1,= (Б-У 6 ): В =(Б э э 66 ) 7 (эв 2 в эв) НуТак как ток базы пятого транзистора 5 значительно меньше 1 р (на величиеГу 1 кв ,1 эпри 3 э 1) то можно считать, что 1 р 7 = 1,в, где 1 к и 1 - коллекторные токи транзисторов 5 и 3 соответственно.В частном случае если коэффициент передачи токового зеркала на транзисторах 3 и 4 равен единице и токи обоих коллекторов первого транзистора 1 равны между собой, то можно счиПри этом на величину выходного тока не влияет коэффициент усиления первого транзистора 1, который является наиболее нестабильным параметром вследствие того, что первый транзистор 1 является высоковольтным латеральным транзистором р-п-р-типа, изготовленным в едином технологическом цикле по высоковольтной биполярной технологии. Необходимо только, чтобы выходной управляющий ток 1был не меньше, чем 1 вк мич= (1 к, + 1 к 2 )гДе 1 и 1 к токио про текающие соответственно через первый и второй коллекторы первого транзистора 1, ц - янимально допчстимый коэффициент усиления данного транзистора,формула изобретенияГенератор тока, выполненный на первом транзисторе, имеющем Р-и-рструктуру, база которого является входом генератора тока и соединена с коллектором второго транзистора, имеющим р-п-р-структуру, база которо. го через первый резистор соединена с коллектором этого транзистора и с положительной шиной источника питания, при этом коллектор первогс транзистора является выходом генератора тока, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью стабилизации выходного тока в широком диапазоне изменений коэффициента усиления, в него введены токовое зеркало, выполненное на третьем и четвертом транзисторах, имеющих п-р-п-структуру, пятый транзистор имеющий п-р-п-структуру, диод и вто13 б 3440 Составитель Н, ДубровскаяТехред М.Ходанич Корректор Г. Решетник Редактор А, Огар Заказ 6378/52 Тираж 900 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 45Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная,6 рой резистор, при этом первый транзистор выполнен двухколлекторным,дополнительный коллектор которогосоединен с входом токового зеркала,выход которого соединен с базой пятого транзистора и через второй резистор с коллектором пятого транзистораи с положительной ниной источника питания, эмиттер пятого транзисторасоединен с. эмиттером первого транзистора и с катодом диода, анод которого соединен с базой второго транзистора, а объединенные эмиттерытретьего и четвертого транзисторовтокового зеркала соединены с общейшиной,